Isamu Akasaki (Catalan Wikipedia)

Analysis of information sources in references of the Wikipedia article "Isamu Akasaki" in Catalan language version.

refsWebsite

Global rank Catalan rank

16doi.org

2^nd place

6^th place

10worldcat.org

5^th place

3web.archive.org

1^st place

2sciencedirect.com

149^th place

111^th place

1jsap.jp

low place

1iop.org

1,725^th place

1,272^nd place

1inamori-f.or.jp

low place

1ieee.org

652^nd place

549^th place

1nobelprize.org

301^st place

106^th place

1qeprize.org

low place

1kyoto-u.ac.jp

2,913^th place

9,187^th place

1scitation.org

4,352^nd place

1,493^rd place

1ccma.cat

3,681^st place

8^th place

1nippon.com

2,354^th place

9,749^th place

ccma.cat

324cat. «Mor el científic japonès Isamu Akasaki, pare dels llum led», 02-04-2021. [Consulta: 2 abril 2021].

doi.org

dx.doi.org

Amano, Hiroshi; Kito, Masahiro; Hiramatsu, Kazumasa; Akasaki, Isamu «P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI)» (en anglès). Japanese Journal of Applied Physics, 28, 12A, 01-12-1989, pàg. L2112. DOI: 10.1143/JJAP.28.L2112. ISSN: 1347-4065.
Isamu Akasaki; Hiroshi Amano; Masahiro Kito; Kazumasa Hiramatsu «Photoluminescence of Mg-doped p-type GaN and electroluminescence of GaN p-n junction LED» (en anglès). Journal of Luminescence, 48-49, 01-01-1991, pàg. 666–670. DOI: 10.1016/0022-2313(91)90215-H. ISSN: 0022-2313.
Hiramatsu, Kazumasa; Amano, Hiroshi; Akasaki, Isamu; Kato, Hisaki; Koide, Norikatsu «MOVPE growth of GaN on a misoriented sapphire substrate». Journal of Crystal Growth, 107, 1-4, 1991-01, pàg. 509–512. DOI: 10.1016/0022-0248(91)90512-4. ISSN: 0022-0248.
Akasaki, I.; Amano, H.; Koide, N.; Kotaki, M.; Manabe, K. Conductivity control of GaN and fabrication of UV/blue GaN light emitting devices. Elsevier, 1993, p. 428–432. ISBN 978-0-444-81573-6.
Amano, H.; Sawaki, N.; Akasaki, I.; Toyoda, Y. «Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer». Applied Physics Letters, 48, 5, 03-02-1986, pàg. 353–355. DOI: 10.1063/1.96549. ISSN: 0003-6951.
Akasaki, Isamu; Amano, Hiroshi; Koide, Yasuo; Hiramatsu, Kazumasa; Sawaki, Nobuhiko «Effects of ain buffer layer on crystallographic structure and on electrical and optical properties of GaN and Ga1−xAlxN (0 < x ≦ 0.4) films grown on sapphire substrate by MOVPE» (en anglès). Journal of Crystal Growth, 98, 1, 01-11-1989, pàg. 209–219. DOI: 10.1016/0022-0248(89)90200-5. ISSN: 0022-0248.
Amano, Hiroshi; Asahi, Tsunemori; Akasaki, Isamu «Stimulated Emission Near Ultraviolet at Room Temperature from a GaN Film Grown on Sapphire by MOVPE Using an AlN Buffer Layer» (en anglès). Japanese Journal of Applied Physics, 29, Part 2, No. 2, 20-02-1990, pàg. L205–L206. DOI: 10.1143/jjap.29.l205. ISSN: 0021-4922.
Akasaki, Isamu; Amano, Hiroshi; Sota, Shigetoshi; Sakai, Hiromitsu; Tanaka, Toshiyuki «Stimulated Emission by Current Injection from an AlGaN/GaN/GaInN Quantum Well Device» (en anglès). Japanese Journal of Applied Physics, 34, 11B, 01-11-1995, pàg. L1517. DOI: 10.7567/jjap.34.l1517. ISSN: 0021-4922.
Itoh, Kenji; Kawamoto, Takeshi; Amano, Hiroshi; Hiramatsu, Kazumasa; Akasaki, Isamu «Metalorganic Vapor Phase Epitaxial Growth and Properties of GaN/Al0.1Ga0.9N Layered Structures» (en anglès). Japanese Journal of Applied Physics, 30, Part 1, No. 9A, 15-09-1991, pàg. 1924–1927. DOI: 10.1143/jjap.30.1924. ISSN: 0021-4922.
Takeuchi, Tetsuya; Sota, Shigetoshi; Katsuragawa, Maki; Komori, Miho; Takeuchi, Hideo «Quantum-Confined Stark Effect due to Piezoelectric Fields in GaInN Strained Quantum Wells» (en anglès). Japanese Journal of Applied Physics, 36, Part 2, No. 4A, 01-04-1997, pàg. L382–L385. DOI: 10.1143/jjap.36.l382. ISSN: 0021-4922.
Takeuchi, Tetsuya; Amano, Hiroshi; Akasaki, Isamu «Theoretical Study of Orientation Dependence of Piezoelectric Effects in Wurtzite Strained GaInN/GaN Heterostructures and Quantum Wells» (en anglès). Japanese Journal of Applied Physics, 39, Part 1, No. 2A, 15-02-2000, pàg. 413–416. DOI: 10.1143/jjap.39.413. ISSN: 0021-4922.

doi.org

Amano, Hiroshi; Asahi, Tsunemori; Akasaki, Isamu «Stimulated Emission Near Ultraviolet at Room Temperature from a GaN Film Grown on Sapphire by MOVPE Using an AlN Buffer Layer» (en anglès). Japanese Journal of Applied Physics, 29, Part 2, No. 2, 20-02-1990, pàg. L205–L206. DOI: 10.1143/jjap.29.l205. ISSN: 0021-4922.
Akasaki, Isamu; Amano, Hiroshi; Sota, Shigetoshi; Sakai, Hiromitsu; Tanaka, Toshiyuki «Stimulated Emission by Current Injection from an AlGaN/GaN/GaInN Quantum Well Device» (en anglès). Japanese Journal of Applied Physics, 34, 11B, 01-11-1995, pàg. L1517. DOI: 10.7567/jjap.34.l1517. ISSN: 0021-4922.
Itoh, Kenji; Kawamoto, Takeshi; Amano, Hiroshi; Hiramatsu, Kazumasa; Akasaki, Isamu «Metalorganic Vapor Phase Epitaxial Growth and Properties of GaN/Al0.1Ga0.9N Layered Structures» (en anglès). Japanese Journal of Applied Physics, 30, Part 1, No. 9A, 15-09-1991, pàg. 1924–1927. DOI: 10.1143/jjap.30.1924. ISSN: 0021-4922.
Takeuchi, Tetsuya; Sota, Shigetoshi; Katsuragawa, Maki; Komori, Miho; Takeuchi, Hideo «Quantum-Confined Stark Effect due to Piezoelectric Fields in GaInN Strained Quantum Wells» (en anglès). Japanese Journal of Applied Physics, 36, Part 2, No. 4A, 01-04-1997, pàg. L382–L385. DOI: 10.1143/jjap.36.l382. ISSN: 0021-4922.
Takeuchi, Tetsuya; Amano, Hiroshi; Akasaki, Isamu «Theoretical Study of Orientation Dependence of Piezoelectric Effects in Wurtzite Strained GaInN/GaN Heterostructures and Quantum Wells» (en anglès). Japanese Journal of Applied Physics, 39, Part 1, No. 2A, 15-02-2000, pàg. 413–416. DOI: 10.1143/jjap.39.413. ISSN: 0021-4922.

ieee.org

«"IEEE Jack S. Kilby Signal Processing Medal Recipients" (PDF)». IEEE.

inamori-f.or.jp

«INAMORI FOUNDATION», 04-03-2016. Arxivat de l'original el 2016-03-04. [Consulta: 2 abril 2021].

iop.org

iopscience.iop.org

Amano, Hiroshi; Kito, Masahiro; Hiramatsu, Kazumasa; Akasaki, Isamu «P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI)» (en anglès). Japanese Journal of Applied Physics, 28, 12A, 01-12-1989, pàg. L2112. DOI: 10.1143/JJAP.28.L2112. ISSN: 1347-4065.

jsap.jp

jjap.jsap.jp

«"Japanese Journal of Applied Physics". Jsap.jp. Arxivat de l'original del 22 de juliol de 2012.», 22-07-2012. Arxivat de l'original el 2012-07-22. [Consulta: 2 abril 2021].

kyoto-u.ac.jp

«ノーベル物理学賞受賞者・赤﨑勇博士と京都大学－大学時代に育まれた研究者の芽－» (en japonès). [Consulta: 2 abril 2021].

nippon.com

«Nobel-Winning Scientist Isamu Akasaki Dies at 92» (en anglès), 02-04-2021. Arxivat de l'original el 2021-04-02. [Consulta: 2 abril 2021].

nobelprize.org

«The Nobel Prize in Physics 2014» (en anglès americà). [Consulta: 2 abril 2021].

qeprize.org

«LED Lighting» (en anglès). [Consulta: 2 abril 2021].

sciencedirect.com

Isamu Akasaki; Hiroshi Amano; Masahiro Kito; Kazumasa Hiramatsu «Photoluminescence of Mg-doped p-type GaN and electroluminescence of GaN p-n junction LED» (en anglès). Journal of Luminescence, 48-49, 01-01-1991, pàg. 666–670. DOI: 10.1016/0022-2313(91)90215-H. ISSN: 0022-2313.
Akasaki, Isamu; Amano, Hiroshi; Koide, Yasuo; Hiramatsu, Kazumasa; Sawaki, Nobuhiko «Effects of ain buffer layer on crystallographic structure and on electrical and optical properties of GaN and Ga1−xAlxN (0 < x ≦ 0.4) films grown on sapphire substrate by MOVPE» (en anglès). Journal of Crystal Growth, 98, 1, 01-11-1989, pàg. 209–219. DOI: 10.1016/0022-0248(89)90200-5. ISSN: 0022-0248.

scitation.org

aip.scitation.org

Amano, H.; Sawaki, N.; Akasaki, I.; Toyoda, Y. «Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer». Applied Physics Letters, 48, 5, 03-02-1986, pàg. 353–355. DOI: 10.1063/1.96549. ISSN: 0003-6951.

web.archive.org

«"Japanese Journal of Applied Physics". Jsap.jp. Arxivat de l'original del 22 de juliol de 2012.», 22-07-2012. Arxivat de l'original el 2012-07-22. [Consulta: 2 abril 2021].
«INAMORI FOUNDATION», 04-03-2016. Arxivat de l'original el 2016-03-04. [Consulta: 2 abril 2021].
«Nobel-Winning Scientist Isamu Akasaki Dies at 92» (en anglès), 02-04-2021. Arxivat de l'original el 2021-04-02. [Consulta: 2 abril 2021].

worldcat.org

Amano, Hiroshi; Kito, Masahiro; Hiramatsu, Kazumasa; Akasaki, Isamu «P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI)» (en anglès). Japanese Journal of Applied Physics, 28, 12A, 01-12-1989, pàg. L2112. DOI: 10.1143/JJAP.28.L2112. ISSN: 1347-4065.
Isamu Akasaki; Hiroshi Amano; Masahiro Kito; Kazumasa Hiramatsu «Photoluminescence of Mg-doped p-type GaN and electroluminescence of GaN p-n junction LED» (en anglès). Journal of Luminescence, 48-49, 01-01-1991, pàg. 666–670. DOI: 10.1016/0022-2313(91)90215-H. ISSN: 0022-2313.
Hiramatsu, Kazumasa; Amano, Hiroshi; Akasaki, Isamu; Kato, Hisaki; Koide, Norikatsu «MOVPE growth of GaN on a misoriented sapphire substrate». Journal of Crystal Growth, 107, 1-4, 1991-01, pàg. 509–512. DOI: 10.1016/0022-0248(91)90512-4. ISSN: 0022-0248.
Amano, H.; Sawaki, N.; Akasaki, I.; Toyoda, Y. «Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer». Applied Physics Letters, 48, 5, 03-02-1986, pàg. 353–355. DOI: 10.1063/1.96549. ISSN: 0003-6951.
Akasaki, Isamu; Amano, Hiroshi; Koide, Yasuo; Hiramatsu, Kazumasa; Sawaki, Nobuhiko «Effects of ain buffer layer on crystallographic structure and on electrical and optical properties of GaN and Ga1−xAlxN (0 < x ≦ 0.4) films grown on sapphire substrate by MOVPE» (en anglès). Journal of Crystal Growth, 98, 1, 01-11-1989, pàg. 209–219. DOI: 10.1016/0022-0248(89)90200-5. ISSN: 0022-0248.
Amano, Hiroshi; Asahi, Tsunemori; Akasaki, Isamu «Stimulated Emission Near Ultraviolet at Room Temperature from a GaN Film Grown on Sapphire by MOVPE Using an AlN Buffer Layer» (en anglès). Japanese Journal of Applied Physics, 29, Part 2, No. 2, 20-02-1990, pàg. L205–L206. DOI: 10.1143/jjap.29.l205. ISSN: 0021-4922.
Akasaki, Isamu; Amano, Hiroshi; Sota, Shigetoshi; Sakai, Hiromitsu; Tanaka, Toshiyuki «Stimulated Emission by Current Injection from an AlGaN/GaN/GaInN Quantum Well Device» (en anglès). Japanese Journal of Applied Physics, 34, 11B, 01-11-1995, pàg. L1517. DOI: 10.7567/jjap.34.l1517. ISSN: 0021-4922.
Itoh, Kenji; Kawamoto, Takeshi; Amano, Hiroshi; Hiramatsu, Kazumasa; Akasaki, Isamu «Metalorganic Vapor Phase Epitaxial Growth and Properties of GaN/Al0.1Ga0.9N Layered Structures» (en anglès). Japanese Journal of Applied Physics, 30, Part 1, No. 9A, 15-09-1991, pàg. 1924–1927. DOI: 10.1143/jjap.30.1924. ISSN: 0021-4922.
Takeuchi, Tetsuya; Sota, Shigetoshi; Katsuragawa, Maki; Komori, Miho; Takeuchi, Hideo «Quantum-Confined Stark Effect due to Piezoelectric Fields in GaInN Strained Quantum Wells» (en anglès). Japanese Journal of Applied Physics, 36, Part 2, No. 4A, 01-04-1997, pàg. L382–L385. DOI: 10.1143/jjap.36.l382. ISSN: 0021-4922.
Takeuchi, Tetsuya; Amano, Hiroshi; Akasaki, Isamu «Theoretical Study of Orientation Dependence of Piezoelectric Effects in Wurtzite Strained GaInN/GaN Heterostructures and Quantum Wells» (en anglès). Japanese Journal of Applied Physics, 39, Part 1, No. 2A, 15-02-2000, pàg. 413–416. DOI: 10.1143/jjap.39.413. ISSN: 0021-4922.