Atsufumi Hirohata, Keisuke Yamada, Yoshinobu Nakatani, Ioan-Lucian Prejbeanu, Bernard Diény: Review on spintronics: Principles and device applications. In: Journal of Magnetism and Magnetic Materials. Band509, 1. September 2020, ISSN0304-8853, S.166711, doi:10.1016/j.jmmm.2020.166711 (englisch, sciencedirect.com [abgerufen am 6. Dezember 2021]).
W. Patrick McCray: How spintronics went from the lab to the iPod. In: Nature Nanotechnology. Band4, Nr.1, Januar 2009, ISSN1748-3387, S.2–4, doi:10.1038/nnano.2008.380 (englisch).
Albert Fert: Nobel Lecture: Origin, development, and future of spintronics. In: Reviews of Modern Physics. Band80, Nr.4, 17. Dezember 2008, ISSN0034-6861, S.1517–1530, doi:10.1103/revmodphys.80.1517 (englisch).
Sabpreet Bhatti, Rachid Sbiaa, Atsufumi Hirohata, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami: Spintronics based random access memory: a review. In: Materials Today. Band20, Nr.9, 1. November 2017, ISSN1369-7021, S.530–548, doi:10.1016/j.mattod.2017.07.007 (sciencedirect.com [abgerufen am 6. Dezember 2021]).
D. Edelstein, M. Rizzolo, D. Sil, A. Dutta, J. DeBrosse: A 14 nm Embedded STT-MRAM CMOS Technology. In: 2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). IEEE, San Francisco, CA, USA 2020, ISBN 978-1-72818-888-1, S.11.5.1–11.5.4, doi:10.1109/IEDM13553.2020.9371922 (ieee.org [abgerufen am 6. Dezember 2021]).
W. J. Gallagher, S. S. P. Parkin: Development of the magnetic tunnel junction MRAM at IBM: From first junctions to a 16-Mb MRAM demonstrator chip. In: IBM Journal of Research and Development. Band50, Nr.1, Januar 2006, ISSN0018-8646, S.5–23, doi:10.1147/rd.501.0005 (ieee.org [abgerufen am 6. Dezember 2021]).
D. Edelstein, M. Rizzolo, D. Sil, A. Dutta, J. DeBrosse: A 14 nm Embedded STT-MRAM CMOS Technology. In: 2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). IEEE, San Francisco, CA, USA 2020, ISBN 978-1-72818-888-1, S.11.5.1–11.5.4, doi:10.1109/IEDM13553.2020.9371922 (ieee.org [abgerufen am 6. Dezember 2021]).
W. J. Gallagher, S. S. P. Parkin: Development of the magnetic tunnel junction MRAM at IBM: From first junctions to a 16-Mb MRAM demonstrator chip. In: IBM Journal of Research and Development. Band50, Nr.1, Januar 2006, ISSN0018-8646, S.5–23, doi:10.1147/rd.501.0005 (ieee.org [abgerufen am 6. Dezember 2021]).
John Markoff: Redefining the Architecture of Memory. In: The New York Times. 11. September 2007, ISSN0362-4331 (englisch, nytimes.com [abgerufen am 6. Dezember 2021]).
sciencedirect.com
Atsufumi Hirohata, Keisuke Yamada, Yoshinobu Nakatani, Ioan-Lucian Prejbeanu, Bernard Diény: Review on spintronics: Principles and device applications. In: Journal of Magnetism and Magnetic Materials. Band509, 1. September 2020, ISSN0304-8853, S.166711, doi:10.1016/j.jmmm.2020.166711 (englisch, sciencedirect.com [abgerufen am 6. Dezember 2021]).
Sabpreet Bhatti, Rachid Sbiaa, Atsufumi Hirohata, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami: Spintronics based random access memory: a review. In: Materials Today. Band20, Nr.9, 1. November 2017, ISSN1369-7021, S.530–548, doi:10.1016/j.mattod.2017.07.007 (sciencedirect.com [abgerufen am 6. Dezember 2021]).
Atsufumi Hirohata, Keisuke Yamada, Yoshinobu Nakatani, Ioan-Lucian Prejbeanu, Bernard Diény: Review on spintronics: Principles and device applications. In: Journal of Magnetism and Magnetic Materials. Band509, 1. September 2020, ISSN0304-8853, S.166711, doi:10.1016/j.jmmm.2020.166711 (englisch, sciencedirect.com [abgerufen am 6. Dezember 2021]).
W. Patrick McCray: How spintronics went from the lab to the iPod. In: Nature Nanotechnology. Band4, Nr.1, Januar 2009, ISSN1748-3387, S.2–4, doi:10.1038/nnano.2008.380 (englisch).
Albert Fert: Nobel Lecture: Origin, development, and future of spintronics. In: Reviews of Modern Physics. Band80, Nr.4, 17. Dezember 2008, ISSN0034-6861, S.1517–1530, doi:10.1103/revmodphys.80.1517 (englisch).
John Markoff: Redefining the Architecture of Memory. In: The New York Times. 11. September 2007, ISSN0362-4331 (englisch, nytimes.com [abgerufen am 6. Dezember 2021]).
Sabpreet Bhatti, Rachid Sbiaa, Atsufumi Hirohata, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami: Spintronics based random access memory: a review. In: Materials Today. Band20, Nr.9, 1. November 2017, ISSN1369-7021, S.530–548, doi:10.1016/j.mattod.2017.07.007 (sciencedirect.com [abgerufen am 6. Dezember 2021]).
W. J. Gallagher, S. S. P. Parkin: Development of the magnetic tunnel junction MRAM at IBM: From first junctions to a 16-Mb MRAM demonstrator chip. In: IBM Journal of Research and Development. Band50, Nr.1, Januar 2006, ISSN0018-8646, S.5–23, doi:10.1147/rd.501.0005 (ieee.org [abgerufen am 6. Dezember 2021]).