Bande interdite (French Wikipedia)

Analysis of information sources in references of the Wikipedia article "Bande interdite" in French language version.

refsWebsite

Global rank French rank

9doi.org

2^nd place

3^rd place

9harvard.edu

18^th place

118^th place

3sciencedirect.com

149^th place

80^th place

2nih.gov

4^th place

12^th place

2aps.org

1,503^rd place

1,077^th place

1cea.fr

low place

1,264^th place

1gouv.qc.ca

1,004^th place

73^rd place

1springer.com

274^th place

223^rd place

1web.archive.org

1^st place

1semanticscholar.org

11^th place

325^th place

1researchgate.net

120^th place

178^th place

1escholarship.org

1,523^rd place

2,842^nd place

1wiley.com

222^nd place

129^th place

1arxiv.org

69^th place

232^nd place

1nature.com

234^th place

147^th place

aps.org

journals.aps.org

(en) J. D. Joannopoulos et Marvin L. Cohen, « Electronic Properties of Complex Crystalline and Amorphous Phases of Ge and Si. I. Density of States and Band Structures », Physical Review B, vol. 7, n^o 6,‎ mars 1973, p. 2644-2657 (DOI 10.1103/PhysRevB.7.2644, Bibcode 1973PhRvB...7.2644J, lire en ligne).
(en) J. D. Joannopoulos et Marvin L. Cohen, « Electronic Properties of Complex Crystalline and Amorphous Phases of Ge and Si. II. Band Structure and Optical Properties », Physical Review B, vol. 8, n^o 6,‎ septembre 1973, p. 2733-2755 (DOI 10.1103/PhysRevB.8.2733, Bibcode 1973PhRvB...8.2733J, lire en ligne).

arxiv.org

(en) Elham M. T. Fadaly, Alain Dijkstra, Jens Renè Suckert, Dorian Ziss, Marvin A. J. van Tilburg, Chenyang Mao, Yizhen Ren, Victor T. van Lange, Ksenia Korzun, Sebastian Kölling, Marcel A. Verheijen, David Busse, Claudia Rödl, Jürgen Furthmüller, Friedhelm Bechstedt, Julian Stangl, Jonathan J. Finley, Silvana Botti, Jos E. M. Haverkort et Erik P. A. M. Bakkers, « Direct-bandgap emission from hexagonal Ge and SiGe alloys », Nature, vol. 580, n^o 7802,‎ 8 avril 2020, p. 205-209 (PMID 32269353, DOI 10.1038/s41586-020-2150-y, Bibcode 2020Natur.580..205F, arXiv 1911.00726, lire en ligne).

cea.fr

irfu.cea.fr

« Bande (électronique interdite) directe ou indirecte », sur irfu.cea.fr, IRFU, CEA (consulté le 14 janvier 2023).

doi.org

dx.doi.org

(en) Jerry L. Hudgins, « Wide and narrow bandgap semiconductors for power electronics: A new valuation », Journal of Electronic Materials, vol. 32, n^o 6,‎ juin 2003, p. 471-477 (DOI 10.1007/s11664-003-0128-9, Bibcode 2003JEMat..32..471H, lire en ligne).
(en) D. A. Evans, A. G. McGlynn, B. M. Towlson, M. Gunn, D. Jones, T. E. Jenkins, R. Winter et N. R. J. Poolton, « Determination of the optical band-gap energy of cubic and hexagonal boron nitride using luminescence excitation spectroscopy », Journal of Physics: Condensed Matter, vol. 20, n^o 7,‎ février 2008, article n^o 075233 (DOI 10.1088/0953-8984/20/7/075233, Bibcode 2008JPCM...20g5233E, S2CID 52027854, lire en ligne ).
(en) Malkeshkumar Patel, Indrajit Mukhopadhyay et Abhijit Ray, « Annealing influence over structural and optical properties of sprayed SnS thin films », Optical Materials, vol. 35, n^o 9,‎ juillet 2013, p. 1693-1699 (DOI 10.1016/j.optmat.2013.04.034, Bibcode 2013OptMa..35.1693P, lire en ligne).
(en) Jose J. Fonseca, Sefaattin Tongay, Mehmet Topsakal, Annabel R. Chew, Alan J. Lin, Changhyun Ko, Alexander V. Luce, Alberto Salleo, Junqiao Wu et Oscar D. Dubon, « Bandgap Restructuring of the Layered Semiconductor Gallium Telluride in Air », Advanced Materials, vol. 28, n^o 30,‎ 10 août 2016, p. 6465-6470 (PMID 27171481, DOI 10.1002/adma.201601151, Bibcode 2016AdM....28.6465F, lire en ligne).
(en) Nazanin Rahimi, Randolph A. Pax et Evan MacA. Gray, « Review of functional titanium oxides. I: TiO₂ and its modifications », Progress in Solid State Chemistry, vol. 44, n^o 3,‎ septembre 2016, p. 86-105 (DOI 10.1016/j.progsolidstchem.2016.07.002, lire en ligne).
(en) J. D. Joannopoulos et Marvin L. Cohen, « Electronic Properties of Complex Crystalline and Amorphous Phases of Ge and Si. I. Density of States and Band Structures », Physical Review B, vol. 7, n^o 6,‎ mars 1973, p. 2644-2657 (DOI 10.1103/PhysRevB.7.2644, Bibcode 1973PhRvB...7.2644J, lire en ligne).
(en) J. D. Joannopoulos et Marvin L. Cohen, « Electronic Properties of Complex Crystalline and Amorphous Phases of Ge and Si. II. Band Structure and Optical Properties », Physical Review B, vol. 8, n^o 6,‎ septembre 1973, p. 2733-2755 (DOI 10.1103/PhysRevB.8.2733, Bibcode 1973PhRvB...8.2733J, lire en ligne).
(en) Elham M. T. Fadaly, Alain Dijkstra, Jens Renè Suckert, Dorian Ziss, Marvin A. J. van Tilburg, Chenyang Mao, Yizhen Ren, Victor T. van Lange, Ksenia Korzun, Sebastian Kölling, Marcel A. Verheijen, David Busse, Claudia Rödl, Jürgen Furthmüller, Friedhelm Bechstedt, Julian Stangl, Jonathan J. Finley, Silvana Botti, Jos E. M. Haverkort et Erik P. A. M. Bakkers, « Direct-bandgap emission from hexagonal Ge and SiGe alloys », Nature, vol. 580, n^o 7802,‎ 8 avril 2020, p. 205-209 (PMID 32269353, DOI 10.1038/s41586-020-2150-y, Bibcode 2020Natur.580..205F, arXiv 1911.00726, lire en ligne).
(en) Y. P. Varshni, « Temperature dependence of the energy gap in semiconductors », Physica, vol. 34, n^o 1,‎ 1967, p. 149-154 (DOI 10.1016/0031-8914(67)90062-6, Bibcode 1967Phy....34..149V, lire en ligne).

escholarship.org

(en) Jose Javier Fonseca Vega, « Bandgap Engineering of Gallium Telluride » , sur escholarship.org, UC Berkeley Electronic Theses and Dissertations, 2017 (Bibcode 2017PhDT.......106F, consulté le 27 janvier 2023).

gouv.qc.ca

gdt.oqlf.gouv.qc.ca

« Largeur de bande interdite », sur gdt.oqlf.gouv.qc.ca, OQLF (consulté le 14 janvier 2023).

harvard.edu

ui.adsabs.harvard.edu

(en) Jerry L. Hudgins, « Wide and narrow bandgap semiconductors for power electronics: A new valuation », Journal of Electronic Materials, vol. 32, n^o 6,‎ juin 2003, p. 471-477 (DOI 10.1007/s11664-003-0128-9, Bibcode 2003JEMat..32..471H, lire en ligne).
(en) D. A. Evans, A. G. McGlynn, B. M. Towlson, M. Gunn, D. Jones, T. E. Jenkins, R. Winter et N. R. J. Poolton, « Determination of the optical band-gap energy of cubic and hexagonal boron nitride using luminescence excitation spectroscopy », Journal of Physics: Condensed Matter, vol. 20, n^o 7,‎ février 2008, article n^o 075233 (DOI 10.1088/0953-8984/20/7/075233, Bibcode 2008JPCM...20g5233E, S2CID 52027854, lire en ligne ).
(en) Malkeshkumar Patel, Indrajit Mukhopadhyay et Abhijit Ray, « Annealing influence over structural and optical properties of sprayed SnS thin films », Optical Materials, vol. 35, n^o 9,‎ juillet 2013, p. 1693-1699 (DOI 10.1016/j.optmat.2013.04.034, Bibcode 2013OptMa..35.1693P, lire en ligne).
(en) Jose Javier Fonseca Vega, « Bandgap Engineering of Gallium Telluride » , sur escholarship.org, UC Berkeley Electronic Theses and Dissertations, 2017 (Bibcode 2017PhDT.......106F, consulté le 27 janvier 2023).
(en) Jose J. Fonseca, Sefaattin Tongay, Mehmet Topsakal, Annabel R. Chew, Alan J. Lin, Changhyun Ko, Alexander V. Luce, Alberto Salleo, Junqiao Wu et Oscar D. Dubon, « Bandgap Restructuring of the Layered Semiconductor Gallium Telluride in Air », Advanced Materials, vol. 28, n^o 30,‎ 10 août 2016, p. 6465-6470 (PMID 27171481, DOI 10.1002/adma.201601151, Bibcode 2016AdM....28.6465F, lire en ligne).
(en) J. D. Joannopoulos et Marvin L. Cohen, « Electronic Properties of Complex Crystalline and Amorphous Phases of Ge and Si. I. Density of States and Band Structures », Physical Review B, vol. 7, n^o 6,‎ mars 1973, p. 2644-2657 (DOI 10.1103/PhysRevB.7.2644, Bibcode 1973PhRvB...7.2644J, lire en ligne).
(en) J. D. Joannopoulos et Marvin L. Cohen, « Electronic Properties of Complex Crystalline and Amorphous Phases of Ge and Si. II. Band Structure and Optical Properties », Physical Review B, vol. 8, n^o 6,‎ septembre 1973, p. 2733-2755 (DOI 10.1103/PhysRevB.8.2733, Bibcode 1973PhRvB...8.2733J, lire en ligne).
(en) Elham M. T. Fadaly, Alain Dijkstra, Jens Renè Suckert, Dorian Ziss, Marvin A. J. van Tilburg, Chenyang Mao, Yizhen Ren, Victor T. van Lange, Ksenia Korzun, Sebastian Kölling, Marcel A. Verheijen, David Busse, Claudia Rödl, Jürgen Furthmüller, Friedhelm Bechstedt, Julian Stangl, Jonathan J. Finley, Silvana Botti, Jos E. M. Haverkort et Erik P. A. M. Bakkers, « Direct-bandgap emission from hexagonal Ge and SiGe alloys », Nature, vol. 580, n^o 7802,‎ 8 avril 2020, p. 205-209 (PMID 32269353, DOI 10.1038/s41586-020-2150-y, Bibcode 2020Natur.580..205F, arXiv 1911.00726, lire en ligne).
(en) Y. P. Varshni, « Temperature dependence of the energy gap in semiconductors », Physica, vol. 34, n^o 1,‎ 1967, p. 149-154 (DOI 10.1016/0031-8914(67)90062-6, Bibcode 1967Phy....34..149V, lire en ligne).

nature.com

(en) Elham M. T. Fadaly, Alain Dijkstra, Jens Renè Suckert, Dorian Ziss, Marvin A. J. van Tilburg, Chenyang Mao, Yizhen Ren, Victor T. van Lange, Ksenia Korzun, Sebastian Kölling, Marcel A. Verheijen, David Busse, Claudia Rödl, Jürgen Furthmüller, Friedhelm Bechstedt, Julian Stangl, Jonathan J. Finley, Silvana Botti, Jos E. M. Haverkort et Erik P. A. M. Bakkers, « Direct-bandgap emission from hexagonal Ge and SiGe alloys », Nature, vol. 580, n^o 7802,‎ 8 avril 2020, p. 205-209 (PMID 32269353, DOI 10.1038/s41586-020-2150-y, Bibcode 2020Natur.580..205F, arXiv 1911.00726, lire en ligne).

nih.gov

ncbi.nlm.nih.gov

(en) Jose J. Fonseca, Sefaattin Tongay, Mehmet Topsakal, Annabel R. Chew, Alan J. Lin, Changhyun Ko, Alexander V. Luce, Alberto Salleo, Junqiao Wu et Oscar D. Dubon, « Bandgap Restructuring of the Layered Semiconductor Gallium Telluride in Air », Advanced Materials, vol. 28, n^o 30,‎ 10 août 2016, p. 6465-6470 (PMID 27171481, DOI 10.1002/adma.201601151, Bibcode 2016AdM....28.6465F, lire en ligne).
(en) Elham M. T. Fadaly, Alain Dijkstra, Jens Renè Suckert, Dorian Ziss, Marvin A. J. van Tilburg, Chenyang Mao, Yizhen Ren, Victor T. van Lange, Ksenia Korzun, Sebastian Kölling, Marcel A. Verheijen, David Busse, Claudia Rödl, Jürgen Furthmüller, Friedhelm Bechstedt, Julian Stangl, Jonathan J. Finley, Silvana Botti, Jos E. M. Haverkort et Erik P. A. M. Bakkers, « Direct-bandgap emission from hexagonal Ge and SiGe alloys », Nature, vol. 580, n^o 7802,‎ 8 avril 2020, p. 205-209 (PMID 32269353, DOI 10.1038/s41586-020-2150-y, Bibcode 2020Natur.580..205F, arXiv 1911.00726, lire en ligne).

researchgate.net

(en) D. A. Evans, A. G. McGlynn, B. M. Towlson, M. Gunn, D. Jones, T. E. Jenkins, R. Winter et N. R. J. Poolton, « Determination of the optical band-gap energy of cubic and hexagonal boron nitride using luminescence excitation spectroscopy », Journal of Physics: Condensed Matter, vol. 20, n^o 7,‎ février 2008, article n^o 075233 (DOI 10.1088/0953-8984/20/7/075233, Bibcode 2008JPCM...20g5233E, S2CID 52027854, lire en ligne ).

sciencedirect.com

(en) Malkeshkumar Patel, Indrajit Mukhopadhyay et Abhijit Ray, « Annealing influence over structural and optical properties of sprayed SnS thin films », Optical Materials, vol. 35, n^o 9,‎ juillet 2013, p. 1693-1699 (DOI 10.1016/j.optmat.2013.04.034, Bibcode 2013OptMa..35.1693P, lire en ligne).
(en) Nazanin Rahimi, Randolph A. Pax et Evan MacA. Gray, « Review of functional titanium oxides. I: TiO₂ and its modifications », Progress in Solid State Chemistry, vol. 44, n^o 3,‎ septembre 2016, p. 86-105 (DOI 10.1016/j.progsolidstchem.2016.07.002, lire en ligne).
(en) Y. P. Varshni, « Temperature dependence of the energy gap in semiconductors », Physica, vol. 34, n^o 1,‎ 1967, p. 149-154 (DOI 10.1016/0031-8914(67)90062-6, Bibcode 1967Phy....34..149V, lire en ligne).

semanticscholar.org

api.semanticscholar.org

(en) D. A. Evans, A. G. McGlynn, B. M. Towlson, M. Gunn, D. Jones, T. E. Jenkins, R. Winter et N. R. J. Poolton, « Determination of the optical band-gap energy of cubic and hexagonal boron nitride using luminescence excitation spectroscopy », Journal of Physics: Condensed Matter, vol. 20, n^o 7,‎ février 2008, article n^o 075233 (DOI 10.1088/0953-8984/20/7/075233, Bibcode 2008JPCM...20g5233E, S2CID 52027854, lire en ligne ).

springer.com

link.springer.com

(en) Jerry L. Hudgins, « Wide and narrow bandgap semiconductors for power electronics: A new valuation », Journal of Electronic Materials, vol. 32, n^o 6,‎ juin 2003, p. 471-477 (DOI 10.1007/s11664-003-0128-9, Bibcode 2003JEMat..32..471H, lire en ligne).

web.archive.org

(en) « Semiconductors on NSM », sur web.archive.org, Institut physico-technique Ioffe, 23 janvier 2003 (consulté le 15 janvier 2023).

wiley.com

onlinelibrary.wiley.com

(en) Jose J. Fonseca, Sefaattin Tongay, Mehmet Topsakal, Annabel R. Chew, Alan J. Lin, Changhyun Ko, Alexander V. Luce, Alberto Salleo, Junqiao Wu et Oscar D. Dubon, « Bandgap Restructuring of the Layered Semiconductor Gallium Telluride in Air », Advanced Materials, vol. 28, n^o 30,‎ 10 août 2016, p. 6465-6470 (PMID 27171481, DOI 10.1002/adma.201601151, Bibcode 2016AdM....28.6465F, lire en ligne).