R. B. Laughlin, « Quantized Hall conductivity in two dimensions », Physical Review B, vol. 23, no 10, , p. 5632–5633 (DOI10.1103/physrevb.23.5632, lire en ligne, consulté le )
K. v. Klitzing, « New Method for High-Accuracy Determination of the Fine-Structure Constant Based on Quantized Hall Resistance », Physical Review Letters, vol. 45, no 6, , p. 494–497 (DOI10.1103/physrevlett.45.494, lire en ligne, consulté le )
D. J. Thouless, « Quantization of particle transport », Physical Review B, vol. 27, no 10, , p. 6083–6087 (DOI10.1103/physrevb.27.6083, lire en ligne, consulté le )
doi.org
dx.doi.org
R. B. Laughlin, « Quantized Hall conductivity in two dimensions », Physical Review B, vol. 23, no 10, , p. 5632–5633 (DOI10.1103/physrevb.23.5632, lire en ligne, consulté le )
Alexander Tzalenchuk, Samuel Lara-Avila, Alexei Kalaboukhov et Sara Paolillo, « Towards a quantum resistance standard based on epitaxial graphene », Nature Nanotechnology, vol. 5, no 3, , p. 186–189 (DOI10.1038/nnano.2009.474, lire en ligne)
Tsuneya Ando, Yukio Matsumoto et Yasutada Uemura, « Theory of Hall Effect in a Two-Dimensional Electron System », Journal of the Physical Society of Japan, vol. 39, no 2, , p. 279–288 (ISSN0031-9015, DOI10.1143/jpsj.39.279, lire en ligne, consulté le )
Jun-ichi Wakabayashi et Shinji Kawaji, « Hall Effect in Silicon MOS Inversion Layers under Strong Magnetic Fields », Journal of the Physical Society of Japan, vol. 44, no 6, , p. 1839–1849 (ISSN0031-9015, DOI10.1143/jpsj.44.1839, lire en ligne, consulté le )
K. v. Klitzing, « New Method for High-Accuracy Determination of the Fine-Structure Constant Based on Quantized Hall Resistance », Physical Review Letters, vol. 45, no 6, , p. 494–497 (DOI10.1103/physrevlett.45.494, lire en ligne, consulté le )
D. J. Thouless, « Quantization of particle transport », Physical Review B, vol. 27, no 10, , p. 6083–6087 (DOI10.1103/physrevb.27.6083, lire en ligne, consulté le )
Tsuneya Ando, Yukio Matsumoto et Yasutada Uemura, « Theory of Hall Effect in a Two-Dimensional Electron System », Journal of the Physical Society of Japan, vol. 39, no 2, , p. 279–288 (ISSN0031-9015, DOI10.1143/jpsj.39.279, lire en ligne, consulté le )
Jun-ichi Wakabayashi et Shinji Kawaji, « Hall Effect in Silicon MOS Inversion Layers under Strong Magnetic Fields », Journal of the Physical Society of Japan, vol. 44, no 6, , p. 1839–1849 (ISSN0031-9015, DOI10.1143/jpsj.44.1839, lire en ligne, consulté le )
Tsuneya Ando, Yukio Matsumoto et Yasutada Uemura, « Theory of Hall Effect in a Two-Dimensional Electron System », Journal of the Physical Society of Japan, vol. 39, no 2, , p. 279–288 (ISSN0031-9015, DOI10.1143/jpsj.39.279, lire en ligne, consulté le )
Jun-ichi Wakabayashi et Shinji Kawaji, « Hall Effect in Silicon MOS Inversion Layers under Strong Magnetic Fields », Journal of the Physical Society of Japan, vol. 44, no 6, , p. 1839–1849 (ISSN0031-9015, DOI10.1143/jpsj.44.1839, lire en ligne, consulté le )
nature.com
Alexander Tzalenchuk, Samuel Lara-Avila, Alexei Kalaboukhov et Sara Paolillo, « Towards a quantum resistance standard based on epitaxial graphene », Nature Nanotechnology, vol. 5, no 3, , p. 186–189 (DOI10.1038/nnano.2009.474, lire en ligne)