High-k діелектрик (Ukrainian Wikipedia)

Analysis of information sources in references of the Wikipedia article "High-k діелектрик" in Ukrainian language version.

refsWebsite

Global rank Ukrainian rank

7web.archive.org

1^st place

3worldcat.org

5^th place

9^th place

2doi.org

2^nd place

4^th place

2ieee.org

652^nd place

774^th place

1itrs.net

low place

1scitation.org

4,352^nd place

low place

1harvard.edu

18^th place

74^th place

1patents.google.com

1,182^nd place

7,843^rd place

1intel.com

1,118^th place

1,671^st place

1necel.com

low place

doi.org

Lau, W. S.; Wong, K. F.; Han, Taejoon; Sandler, Nathan P. (24 квітня 2006). Application of zero-temperature-gradient zero-bias thermally stimulated current spectroscopy to ultrathin high-dielectric-constant insulator film characterization. Applied Physics Letters. Т. 88, № 17. с. 172906. doi:10.1063/1.2199590. ISSN 0003-6951. Архів оригіналу за 10 березня 2020. Процитовано 31 грудня 2019.
Lau, W. S.; Wong, K. F.; Han, Taejoon; Sandler, Nathan P. (2006). Application of zero-temperature-gradient zero-bias thermally stimulated current spectroscopy to ultrathin high-dielectric-constant insulator film characterization. Applied Physics Letters. 88 (17): 172906. Bibcode:2006ApPhL..88q2906L. doi:10.1063/1.2199590.

harvard.edu

ui.adsabs.harvard.edu

Lau, W. S.; Wong, K. F.; Han, Taejoon; Sandler, Nathan P. (2006). Application of zero-temperature-gradient zero-bias thermally stimulated current spectroscopy to ultrathin high-dielectric-constant insulator film characterization. Applied Physics Letters. 88 (17): 172906. Bibcode:2006ApPhL..88q2906L. doi:10.1063/1.2199590.

ieee.org

IEEE Andrew S. Grove Award Recipients. IEEE Andrew S. Grove Award. Institute of Electrical and Electronics Engineers. Архів оригіналу за 4 липня 2019. Процитовано 4 липня 2019.

spectrum.ieee.org

IEEE Spectrum: The High-k Solution. Архів оригіналу за 26 жовтня 2007. Процитовано 31 грудня 2019.

intel.com

Intel 45nm High-k Silicon Technology Page. Intel.com. Архів оригіналу за 6 жовтня 2009. Процитовано 8 листопада 2011.

itrs.net

Wayback Machine (PDF). web.archive.org. 27 вересня 2007. Архів оригіналу (PDF) за 27 вересня 2007. Процитовано 31 грудня 2019.

necel.com

UltimateLowPower Technology|Advanced Process Technology|Technology|NEC Electronics. Necel.com. Архів оригіналу за 19 лютого 2010. Процитовано 8 листопада 2011.

patents.google.com

Sandhu, Gurtej; Doan, Trung T. (22 серпня 2001). Atomic layer doping apparatus and method. Google Patents. Архів оригіналу за 5 липня 2019. Процитовано 5 липня 2019.

scitation.org

aip.scitation.org

Lau, W. S.; Wong, K. F.; Han, Taejoon; Sandler, Nathan P. (24 квітня 2006). Application of zero-temperature-gradient zero-bias thermally stimulated current spectroscopy to ultrathin high-dielectric-constant insulator film characterization. Applied Physics Letters. Т. 88, № 17. с. 172906. doi:10.1063/1.2199590. ISSN 0003-6951. Архів оригіналу за 10 березня 2020. Процитовано 31 грудня 2019.

web.archive.org

Wayback Machine (PDF). web.archive.org. 27 вересня 2007. Архів оригіналу (PDF) за 27 вересня 2007. Процитовано 31 грудня 2019.
Lau, W. S.; Wong, K. F.; Han, Taejoon; Sandler, Nathan P. (24 квітня 2006). Application of zero-temperature-gradient zero-bias thermally stimulated current spectroscopy to ultrathin high-dielectric-constant insulator film characterization. Applied Physics Letters. Т. 88, № 17. с. 172906. doi:10.1063/1.2199590. ISSN 0003-6951. Архів оригіналу за 10 березня 2020. Процитовано 31 грудня 2019.
IEEE Andrew S. Grove Award Recipients. IEEE Andrew S. Grove Award. Institute of Electrical and Electronics Engineers. Архів оригіналу за 4 липня 2019. Процитовано 4 липня 2019.
Sandhu, Gurtej; Doan, Trung T. (22 серпня 2001). Atomic layer doping apparatus and method. Google Patents. Архів оригіналу за 5 липня 2019. Процитовано 5 липня 2019.
Intel 45nm High-k Silicon Technology Page. Intel.com. Архів оригіналу за 6 жовтня 2009. Процитовано 8 листопада 2011.
IEEE Spectrum: The High-k Solution. Архів оригіналу за 26 жовтня 2007. Процитовано 31 грудня 2019.
UltimateLowPower Technology|Advanced Process Technology|Technology|NEC Electronics. Necel.com. Архів оригіналу за 19 лютого 2010. Процитовано 8 листопада 2011.

worldcat.org

search.worldcat.org

Yeo, Kiat Seng, 1964- (2005). Low voltage, low power VLSI subsystems. New York: McGraw-Hill. ISBN 0-07-143786-X. OCLC 56198660.
Lau, W. S.; Wong, K. F.; Han, Taejoon; Sandler, Nathan P. (24 квітня 2006). Application of zero-temperature-gradient zero-bias thermally stimulated current spectroscopy to ultrathin high-dielectric-constant insulator film characterization. Applied Physics Letters. Т. 88, № 17. с. 172906. doi:10.1063/1.2199590. ISSN 0003-6951. Архів оригіналу за 10 березня 2020. Процитовано 31 грудня 2019.

worldcat.org

Yeo, Kiat Seng, 1964- (2005). Low voltage, low power VLSI subsystems. New York: McGraw-Hill. ISBN 0-07-143786-X. OCLC 56198660.