محمد محمد عطا الله (Arabic Wikipedia)

Analysis of information sources in references of the Wikipedia article "محمد محمد عطا الله" in Arabic language version.

refsWebsite

Global rank Arabic rank

10web.archive.org

1^st place

6books.google.com

3^rd place

8^th place

3invent.org

8,673^rd place

2,420^th place

2doi.org

2^nd place

5^th place

1tributes.com

low place

1semanticscholar.org

11^th place

86^th place

1wikidata.org

43^rd place

2^nd place

1worldcat.org

5^th place

4^th place

1dejazzer.com

low place

1galegroup.com

1,830^th place

2,401^st place

books.google.com

Atalla، Mohamed Mohamed (1948). "High Speed Flow in Square Diffusers". Research Series. جامعة بيردو. 103–117. مؤرشف من الأصل في 2019-12-17.
Bassett، Ross Knox (2007). To the Digital Age: Research Labs, Start-up Companies, and the Rise of MOS Technology. مطبعة جامعة جونز هوبكينز. ص. 22–23. ISBN:9780801886393. مؤرشف من الأصل في 2017-02-27.
Moskowitz، Sanford L. (2016). Advanced Materials Innovation: Managing Global Technology in the 21st century. جون وايلي وأولاده. ص. 165–167. ISBN:9780470508923. مؤرشف من الأصل في 2020-03-14.
Huff، Howard R.؛ Tsuya، H.؛ Gösele، U. (1998). Silicon Materials Science and Technology: Proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology. Electrochemical Society. ص. 181–182. مؤرشف من الأصل في 2020-03-14.
Dabrowski، Jarek؛ Müssig، Hans-Joachim (2000). "6.1. Introduction". Silicon Surfaces and Formation of Interfaces: Basic Science in the Industrial World. World Scientific. ص. 344–346. ISBN:9789810232863. مؤرشف من الأصل في 2020-03-14.
Heywang، W.؛ Zaininger، K.H. (2013). "2.2. Early history". Silicon: Evolution and Future of a Technology. سبرنجر. ص. 26–28. ISBN:9783662098974. مؤرشف من الأصل في 2019-12-17.

dejazzer.com

Sah، Chih-Tang (أكتوبر 1988). "Evolution of the MOS transistor-from conception to VLSI" (PDF). منشورات معهد مهندسي الكهرباء والإلكترونيات ^{[لغات أخرى]}‏. ج. 76 ع. 10: 1280–1326 (1290). DOI:10.1109/5.16328. ISSN:0018-9219. مؤرشف من الأصل (PDF) في 2019-10-27. Those of us active in silicon material and device research during 1956 – 1960 considered this successful effort by the Bell Labs group led by Atalla to stabilize the silicon surface the most important and significant technology advance, which blazed the trail that led to silicon integrated circuit technology developments in the second phase and volume production in the third phase.{{استشهاد بدورية محكمة}}: صيانة الاستشهاد: علامات ترقيم زائدة (link)

doi.org

Atalla، M. M. (1953). "Arcing of electrical contacts in telephone switching circuits: Part I — Theory of the initiation of the short arc". The Bell System Technical Journal. ج. 32 ع. 5: 1231–1244. DOI:10.1002/j.1538-7305.1953.tb01457.x.
Sah، Chih-Tang (أكتوبر 1988). "Evolution of the MOS transistor-from conception to VLSI" (PDF). منشورات معهد مهندسي الكهرباء والإلكترونيات ^{[لغات أخرى]}‏. ج. 76 ع. 10: 1280–1326 (1290). DOI:10.1109/5.16328. ISSN:0018-9219. مؤرشف من الأصل (PDF) في 2019-10-27. Those of us active in silicon material and device research during 1956 – 1960 considered this successful effort by the Bell Labs group led by Atalla to stabilize the silicon surface the most important and significant technology advance, which blazed the trail that led to silicon integrated circuit technology developments in the second phase and volume production in the third phase.{{استشهاد بدورية محكمة}}: صيانة الاستشهاد: علامات ترقيم زائدة (link)

galegroup.com

go.galegroup.com

Wolf، Stanley (مارس 1992). "A review of IC isolation technologies". Solid State Technology: 63. مؤرشف من الأصل في 2019-12-13. {{استشهاد بدورية محكمة}}: |archive-date= / |archive-url= timestamp mismatch (مساعدة)

invent.org

https://www.invent.org/inductees/martin-john-m-atalla. {{استشهاد ويب}}: |url= بحاجة لعنوان (مساعدة) والوسيط |title= غير موجود أو فارغ (من ويكي بيانات) (مساعدة)
https://www.invent.org/inductees/martin-john-m-atalla. اطلع عليه بتاريخ 2021-04-06. {{استشهاد ويب}}: |url= بحاجة لعنوان (مساعدة) والوسيط |title= غير موجود أو فارغ (من ويكي بيانات) (مساعدة)
"Martin (John) M. Atalla". القاعة الوطنية للمخترعين المشاهير. 2009. مؤرشف من الأصل في 2019-09-19. اطلع عليه بتاريخ 2013-06-21.

semanticscholar.org

"Mohamed Mohamed Atalla". سيمانتك سكولر. مؤرشف من الأصل في 2019-12-13.

tributes.com

http://www.tributes.com/obituary/show/Martin-M.-Atalla-87847515. {{استشهاد ويب}}: |url= بحاجة لعنوان (مساعدة) والوسيط |title= غير موجود أو فارغ (من ويكي بيانات) (مساعدة)

web.archive.org

"Mohamed Mohamed Atalla". سيمانتك سكولر. مؤرشف من الأصل في 2019-12-13.
Atalla، Mohamed Mohamed (1948). "High Speed Flow in Square Diffusers". Research Series. جامعة بيردو. 103–117. مؤرشف من الأصل في 2019-12-17.
"Martin (John) M. Atalla". القاعة الوطنية للمخترعين المشاهير. 2009. مؤرشف من الأصل في 2019-09-19. اطلع عليه بتاريخ 2013-06-21.
Bassett، Ross Knox (2007). To the Digital Age: Research Labs, Start-up Companies, and the Rise of MOS Technology. مطبعة جامعة جونز هوبكينز. ص. 22–23. ISBN:9780801886393. مؤرشف من الأصل في 2017-02-27.
Moskowitz، Sanford L. (2016). Advanced Materials Innovation: Managing Global Technology in the 21st century. جون وايلي وأولاده. ص. 165–167. ISBN:9780470508923. مؤرشف من الأصل في 2020-03-14.
Huff، Howard R.؛ Tsuya، H.؛ Gösele، U. (1998). Silicon Materials Science and Technology: Proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology. Electrochemical Society. ص. 181–182. مؤرشف من الأصل في 2020-03-14.
Sah، Chih-Tang (أكتوبر 1988). "Evolution of the MOS transistor-from conception to VLSI" (PDF). منشورات معهد مهندسي الكهرباء والإلكترونيات ^{[لغات أخرى]}‏. ج. 76 ع. 10: 1280–1326 (1290). DOI:10.1109/5.16328. ISSN:0018-9219. مؤرشف من الأصل (PDF) في 2019-10-27. Those of us active in silicon material and device research during 1956 – 1960 considered this successful effort by the Bell Labs group led by Atalla to stabilize the silicon surface the most important and significant technology advance, which blazed the trail that led to silicon integrated circuit technology developments in the second phase and volume production in the third phase.{{استشهاد بدورية محكمة}}: صيانة الاستشهاد: علامات ترقيم زائدة (link)
Wolf، Stanley (مارس 1992). "A review of IC isolation technologies". Solid State Technology: 63. مؤرشف من الأصل في 2019-12-13. {{استشهاد بدورية محكمة}}: |archive-date= / |archive-url= timestamp mismatch (مساعدة)
Dabrowski، Jarek؛ Müssig، Hans-Joachim (2000). "6.1. Introduction". Silicon Surfaces and Formation of Interfaces: Basic Science in the Industrial World. World Scientific. ص. 344–346. ISBN:9789810232863. مؤرشف من الأصل في 2020-03-14.
Heywang، W.؛ Zaininger، K.H. (2013). "2.2. Early history". Silicon: Evolution and Future of a Technology. سبرنجر. ص. 26–28. ISBN:9783662098974. مؤرشف من الأصل في 2019-12-17.

wikidata.org

Sah، Chih-Tang (أكتوبر 1988). "Evolution of the MOS transistor-from conception to VLSI" (PDF). منشورات معهد مهندسي الكهرباء والإلكترونيات ^{[لغات أخرى]}‏. ج. 76 ع. 10: 1280–1326 (1290). DOI:10.1109/5.16328. ISSN:0018-9219. مؤرشف من الأصل (PDF) في 2019-10-27. Those of us active in silicon material and device research during 1956 – 1960 considered this successful effort by the Bell Labs group led by Atalla to stabilize the silicon surface the most important and significant technology advance, which blazed the trail that led to silicon integrated circuit technology developments in the second phase and volume production in the third phase.{{استشهاد بدورية محكمة}}: صيانة الاستشهاد: علامات ترقيم زائدة (link)

worldcat.org

Sah، Chih-Tang (أكتوبر 1988). "Evolution of the MOS transistor-from conception to VLSI" (PDF). منشورات معهد مهندسي الكهرباء والإلكترونيات ^{[لغات أخرى]}‏. ج. 76 ع. 10: 1280–1326 (1290). DOI:10.1109/5.16328. ISSN:0018-9219. مؤرشف من الأصل (PDF) في 2019-10-27. Those of us active in silicon material and device research during 1956 – 1960 considered this successful effort by the Bell Labs group led by Atalla to stabilize the silicon surface the most important and significant technology advance, which blazed the trail that led to silicon integrated circuit technology developments in the second phase and volume production in the third phase.{{استشهاد بدورية محكمة}}: صيانة الاستشهاد: علامات ترقيم زائدة (link)