ترانزستور الوصلة النامية (Arabic Wikipedia)

Analysis of information sources in references of the Wikipedia article "ترانزستور الوصلة النامية" in Arabic language version.

refsWebsite

Global rank Arabic rank

12web.archive.org

1^st place

7doi.org

2^nd place

5^th place

4worldcat.org

5^th place

4^th place

3archive.org

6^th place

3^rd place

3ieee.org

652^nd place

834^th place

1semiconductormuseum.com

low place

1physics-and-radio-electronics.com

low place

1proquest.com

206^th place

1,567^th place

1caltech.edu

887^th place

1,217^th place

1dtic.mil

833^rd place

1,051^st place

1smecc.org

low place

1scholar.google.com

1,697^th place

3,369^th place

1computerhistory.org

2,213^th place

2,218^th place

archive.org

Morris، Peter Robin (1990). "4.2". A History of the World Semiconductor Industry. IEE History of Technology Series 12. London: Peter Peregrinus Ltd. ص. 29. ISBN:0-86341-227-0.
"Grown Junction and Diffused Transistors". History of Semiconductor Engineering. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg. 2006. ص. 41–66. DOI:10.1007/978-3-540-34258-8_3. ISBN:978-3-540-34257-1. مؤرشف من الأصل في 2022-05-06.
Tanenbaum، M.؛ Valdes، L. B.؛ Buehler، E.؛ Hannay، N. B. (1955). "Silicon n‐p‐n Grown Junction Transistors". Journal of Applied Physics. AIP Publishing. ج. 26 ع. 6: 686–692. DOI:10.1063/1.1722071. ISSN:0021-8979.

caltech.edu

authors.library.caltech.edu

"A New Junction Transistor High-Frequency Equivalent Circuit". CaltechAUTHORS. 23 سبتمبر 2019. مؤرشف من الأصل في 2021-05-09. اطلع عليه بتاريخ 2021-11-25.

computerhistory.org

"1951: First Grown-Junction Transistors Fabricated - The Silicon Engine". Computer History Museum. 4 يوليو 1951. مؤرشف من الأصل في 2021-10-22. اطلع عليه بتاريخ 2021-12-29.

doi.org

EVANS، D. M. (1959). "The Measurement of the Temperature Dependence of the Mobility and Effective Lifetime of Minority Carriers in the Base Region of Silicon Transistors". Journal of Electronics and Control. Informa UK Limited. ج. 6 ع. 3: 204–208. DOI:10.1080/00207215908937143. ISSN:0368-1947.
Johnson، S.O. (1959). "A performance/cost approach to transistor design". Proceedings of the IEE - Part B: Electronic and Communication Engineering. Institution of Engineering and Technology (IET). ج. 106 ع. 15S: 370–374. DOI:10.1049/pi-b-2.1959.0084. ISSN:2054-0418.
Havill، R. L.؛ Walton، A. K. (1985). "The Junction Transistor". Elements of Electronics. London: Macmillan Education UK. ص. 57–74. DOI:10.1007/978-1-349-18009-7_3.
CONN، D. R.؛ MITCHELL، R. H. (1971). "State-space analysis of two-dimensional current flow in the base region of a junction transistorf". International Journal of Electronics. Informa UK Limited. ج. 31 ع. 4: 353–357. DOI:10.1080/00207217108938232. ISSN:0020-7217.
"Grown Junction and Diffused Transistors". History of Semiconductor Engineering. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg. 2006. ص. 41–66. DOI:10.1007/978-3-540-34258-8_3. ISBN:978-3-540-34257-1. مؤرشف من الأصل في 2022-05-06.
"Grown Junction and Diffused Transistors". History of Semiconductor Engineering. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg. ص. 41–66. DOI:10.1007/978-3-540-34258-8_3.
Tanenbaum، M.؛ Valdes، L. B.؛ Buehler، E.؛ Hannay، N. B. (1955). "Silicon n‐p‐n Grown Junction Transistors". Journal of Applied Physics. AIP Publishing. ج. 26 ع. 6: 686–692. DOI:10.1063/1.1722071. ISSN:0021-8979.

dtic.mil

apps.dtic.mil

RAYMOND، James P.؛ Chang، William W. (1 يونيو 1965). "STUDY FOR GENERALIZED MODEL FOR SEMICONDUCTOR RADIATION RESPONSE PREDICTION". DTIC. مؤرشف من الأصل في 2020-12-01. اطلع عليه بتاريخ 2021-11-25.

ieee.org

ieeexplore.ieee.org

"Generalized Model Analysis of Ionizing Radiation Effects in Semiconductor Devices". IEEE Xplore. 5 أكتوبر 2021. مؤرشف من الأصل في 2021-11-25. اطلع عليه بتاريخ 2021-11-25.
"Temperature Dependence of Junction Transistor Parameters". IEEE Xplore. 5 أكتوبر 2021. مؤرشف من الأصل في 2021-11-25. اطلع عليه بتاريخ 2021-11-25.
"High-Frequency Power Gain of Junction Transistors". IEEE Xplore. 5 أكتوبر 2021. مؤرشف من الأصل في 2021-11-25. اطلع عليه بتاريخ 2021-11-25.

physics-and-radio-electronics.com

Shaik، Asif (23 يونيو 1948). "Transistor Construction". Electronics Tutorial, Basic Physics, Online Tests, Computer Basics, Concepts of Physics. مؤرشف من الأصل في 2021-11-03. اطلع عليه بتاريخ 2021-12-29.

proquest.com

"A JUNCTION-TRANSISTOR HIGH-FREQUENCY EQUIVALENT CIRCUIT". ProQuest. 25 نوفمبر 2021. مؤرشف من الأصل في 2021-11-25. اطلع عليه بتاريخ 2021-11-25.

scholar.google.com

"الباحث العلمي من Google". Google Scholar. مؤرشف من الأصل في 2020-11-12. اطلع عليه بتاريخ 2021-11-25.

semiconductormuseum.com

TRANSISTOR MUSEUM Historic Transistor Photo Gallery BELL LABS TYPE M1752 نسخة محفوظة 2021-02-24 على موقع واي باك مشين.

smecc.org

"Grown Junction Transistors". Southwest Museum Of Engineering, Communications and Computation - Arizona's Radio and Television Museum - Also History Of Computers and Computation (SMECC). مؤرشف من الأصل في 2017-06-27. اطلع عليه بتاريخ 2021-12-29.

web.archive.org

TRANSISTOR MUSEUM Historic Transistor Photo Gallery BELL LABS TYPE M1752 نسخة محفوظة 2021-02-24 على موقع واي باك مشين.
Shaik، Asif (23 يونيو 1948). "Transistor Construction". Electronics Tutorial, Basic Physics, Online Tests, Computer Basics, Concepts of Physics. مؤرشف من الأصل في 2021-11-03. اطلع عليه بتاريخ 2021-12-29.
"A JUNCTION-TRANSISTOR HIGH-FREQUENCY EQUIVALENT CIRCUIT". ProQuest. 25 نوفمبر 2021. مؤرشف من الأصل في 2021-11-25. اطلع عليه بتاريخ 2021-11-25.
"A New Junction Transistor High-Frequency Equivalent Circuit". CaltechAUTHORS. 23 سبتمبر 2019. مؤرشف من الأصل في 2021-05-09. اطلع عليه بتاريخ 2021-11-25.
"Generalized Model Analysis of Ionizing Radiation Effects in Semiconductor Devices". IEEE Xplore. 5 أكتوبر 2021. مؤرشف من الأصل في 2021-11-25. اطلع عليه بتاريخ 2021-11-25.
RAYMOND، James P.؛ Chang، William W. (1 يونيو 1965). "STUDY FOR GENERALIZED MODEL FOR SEMICONDUCTOR RADIATION RESPONSE PREDICTION". DTIC. مؤرشف من الأصل في 2020-12-01. اطلع عليه بتاريخ 2021-11-25.
"Grown Junction Transistors". Southwest Museum Of Engineering, Communications and Computation - Arizona's Radio and Television Museum - Also History Of Computers and Computation (SMECC). مؤرشف من الأصل في 2017-06-27. اطلع عليه بتاريخ 2021-12-29.
"Temperature Dependence of Junction Transistor Parameters". IEEE Xplore. 5 أكتوبر 2021. مؤرشف من الأصل في 2021-11-25. اطلع عليه بتاريخ 2021-11-25.
"الباحث العلمي من Google". Google Scholar. مؤرشف من الأصل في 2020-11-12. اطلع عليه بتاريخ 2021-11-25.
"Grown Junction and Diffused Transistors". History of Semiconductor Engineering. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg. 2006. ص. 41–66. DOI:10.1007/978-3-540-34258-8_3. ISBN:978-3-540-34257-1. مؤرشف من الأصل في 2022-05-06.
"High-Frequency Power Gain of Junction Transistors". IEEE Xplore. 5 أكتوبر 2021. مؤرشف من الأصل في 2021-11-25. اطلع عليه بتاريخ 2021-11-25.
"1951: First Grown-Junction Transistors Fabricated - The Silicon Engine". Computer History Museum. 4 يوليو 1951. مؤرشف من الأصل في 2021-10-22. اطلع عليه بتاريخ 2021-12-29.

worldcat.org

EVANS، D. M. (1959). "The Measurement of the Temperature Dependence of the Mobility and Effective Lifetime of Minority Carriers in the Base Region of Silicon Transistors". Journal of Electronics and Control. Informa UK Limited. ج. 6 ع. 3: 204–208. DOI:10.1080/00207215908937143. ISSN:0368-1947.
Johnson، S.O. (1959). "A performance/cost approach to transistor design". Proceedings of the IEE - Part B: Electronic and Communication Engineering. Institution of Engineering and Technology (IET). ج. 106 ع. 15S: 370–374. DOI:10.1049/pi-b-2.1959.0084. ISSN:2054-0418.
CONN، D. R.؛ MITCHELL، R. H. (1971). "State-space analysis of two-dimensional current flow in the base region of a junction transistorf". International Journal of Electronics. Informa UK Limited. ج. 31 ع. 4: 353–357. DOI:10.1080/00207217108938232. ISSN:0020-7217.
Tanenbaum، M.؛ Valdes، L. B.؛ Buehler، E.؛ Hannay، N. B. (1955). "Silicon n‐p‐n Grown Junction Transistors". Journal of Applied Physics. AIP Publishing. ج. 26 ع. 6: 686–692. DOI:10.1063/1.1722071. ISSN:0021-8979.