جهاز متعدد البوابات (Arabic Wikipedia)

Analysis of information sources in references of the Wikipedia article "جهاز متعدد البوابات" in Arabic language version.

refsWebsite

Global rank Arabic rank

6web.archive.org

1^st place

5doi.org

2^nd place

5^th place

3worldcat.org

5^th place

4^th place

2harvard.edu

18^th place

33^rd place

1itrs.net

low place

1chipfind.ru

low place

1alldatasheet.com

low place

1nxp.com

low place

1books.google.com

3^rd place

8^th place

1ietejournals.org

low place

alldatasheet.com

"3SK45 datasheet pdf datenblatt - Hitachi Semiconductor - SILICON N-CHANNEL DUAL GATE MOSFET". Alldatasheet.com. مؤرشف من الأصل في 2020-04-09. اطلع عليه بتاريخ 2014-03-10.

books.google.com

Colinge، J.P. (2008). FinFETs and Other Multi-Gate Transistors. Springer Science & Business Media. ص. 11 & 39. ISBN:9780387717517. مؤرشف من الأصل في 2020-04-09.

chipfind.ru

doc.chipfind.ru

"3N201 (Motorola) - Dual Gate Mosfet Vhf Amplifier". Doc.chipfind.ru. مؤرشف من الأصل في 2020-04-09. اطلع عليه بتاريخ 2014-03-10.

doi.org

Wong، H-S.؛ Chan، K.؛ Taur، Y. (10 ديسمبر 1997). Self-aligned (top and bottom) double-gate MOSFET with a 25 nm thick silicon channel. ص. 427–430. DOI:10.1109/IEDM.1997.650416. ISBN:978-0-7803-4100-5. ISSN:0163-1918. {{استشهاد بكتاب}}: |صحيفة= تُجوهل (مساعدة)
Sekigawa، Toshihiro؛ Hayashi، Yutaka (أغسطس 1984). "Calculated threshold-voltage characteristics of an XMOS transistor having an additional bottom gate". Solid-State Electronics. ج. 27 ع. 8: 827–828. Bibcode:1984SSEle..27..827S. DOI:10.1016/0038-1101(84)90036-4. ISSN:0038-1101.
Balestra، Francis؛ Cristoloveanu، Sorin؛ Benachir، M.؛ Elewa، Tarek؛ Brini، Jean (سبتمبر 1987). "Double-gate silicon-on-insulator transistor with volume inversion: A new device with greatly enhanced performance". IEEE Electron Device Letters. ج. 8 ع. 9: 410–412. Bibcode:1987IEDL....8..410B. DOI:10.1109/EDL.1987.26677. ISSN:0741-3106.
Davari، Bijan؛ Chang، Wen-Hsing؛ Wordeman، Matthew R.؛ Oh، C. S.؛ Taur، Yuan؛ Petrillo، Karen E.؛ Rodriguez، M. D. (ديسمبر 1988). "A high performance 0.25 mu m CMOS technology". Technical Digest., International Electron Devices Meeting: 56–59. DOI:10.1109/IEDM.1988.32749.
Subramanian V (2010). "Multiple gate field-effect transistors for future CMOS technologies". IETE Technical Review. ج. 27 ع. 6: 446–454. DOI:10.4103/0256-4602.72582. مؤرشف من الأصل في 2012-03-23.{{استشهاد بدورية محكمة}}: صيانة الاستشهاد: دوي مجاني غير معلم (link)

harvard.edu

ui.adsabs.harvard.edu

Sekigawa، Toshihiro؛ Hayashi، Yutaka (أغسطس 1984). "Calculated threshold-voltage characteristics of an XMOS transistor having an additional bottom gate". Solid-State Electronics. ج. 27 ع. 8: 827–828. Bibcode:1984SSEle..27..827S. DOI:10.1016/0038-1101(84)90036-4. ISSN:0038-1101.
Balestra، Francis؛ Cristoloveanu، Sorin؛ Benachir، M.؛ Elewa، Tarek؛ Brini، Jean (سبتمبر 1987). "Double-gate silicon-on-insulator transistor with volume inversion: A new device with greatly enhanced performance". IEEE Electron Device Letters. ج. 8 ع. 9: 410–412. Bibcode:1987IEDL....8..410B. DOI:10.1109/EDL.1987.26677. ISSN:0741-3106.

ietejournals.org

tr.ietejournals.org

Subramanian V (2010). "Multiple gate field-effect transistors for future CMOS technologies". IETE Technical Review. ج. 27 ع. 6: 446–454. DOI:10.4103/0256-4602.72582. مؤرشف من الأصل في 2012-03-23.{{استشهاد بدورية محكمة}}: صيانة الاستشهاد: دوي مجاني غير معلم (link)

itrs.net

Table39b نسخة محفوظة September 27, 2007, على موقع واي باك مشين.

nxp.com

"BF1217WR" (PDF). مؤرشف من الأصل (PDF) في 2020-04-09. اطلع عليه بتاريخ 2015-05-10.

web.archive.org

Table39b نسخة محفوظة September 27, 2007, على موقع واي باك مشين.
"3N201 (Motorola) - Dual Gate Mosfet Vhf Amplifier". Doc.chipfind.ru. مؤرشف من الأصل في 2020-04-09. اطلع عليه بتاريخ 2014-03-10.
"3SK45 datasheet pdf datenblatt - Hitachi Semiconductor - SILICON N-CHANNEL DUAL GATE MOSFET". Alldatasheet.com. مؤرشف من الأصل في 2020-04-09. اطلع عليه بتاريخ 2014-03-10.
"BF1217WR" (PDF). مؤرشف من الأصل (PDF) في 2020-04-09. اطلع عليه بتاريخ 2015-05-10.
Colinge، J.P. (2008). FinFETs and Other Multi-Gate Transistors. Springer Science & Business Media. ص. 11 & 39. ISBN:9780387717517. مؤرشف من الأصل في 2020-04-09.
Subramanian V (2010). "Multiple gate field-effect transistors for future CMOS technologies". IETE Technical Review. ج. 27 ع. 6: 446–454. DOI:10.4103/0256-4602.72582. مؤرشف من الأصل في 2012-03-23.{{استشهاد بدورية محكمة}}: صيانة الاستشهاد: دوي مجاني غير معلم (link)

worldcat.org

Wong، H-S.؛ Chan، K.؛ Taur، Y. (10 ديسمبر 1997). Self-aligned (top and bottom) double-gate MOSFET with a 25 nm thick silicon channel. ص. 427–430. DOI:10.1109/IEDM.1997.650416. ISBN:978-0-7803-4100-5. ISSN:0163-1918. {{استشهاد بكتاب}}: |صحيفة= تُجوهل (مساعدة)
Sekigawa، Toshihiro؛ Hayashi، Yutaka (أغسطس 1984). "Calculated threshold-voltage characteristics of an XMOS transistor having an additional bottom gate". Solid-State Electronics. ج. 27 ع. 8: 827–828. Bibcode:1984SSEle..27..827S. DOI:10.1016/0038-1101(84)90036-4. ISSN:0038-1101.
Balestra، Francis؛ Cristoloveanu، Sorin؛ Benachir، M.؛ Elewa، Tarek؛ Brini، Jean (سبتمبر 1987). "Double-gate silicon-on-insulator transistor with volume inversion: A new device with greatly enhanced performance". IEEE Electron Device Letters. ج. 8 ع. 9: 410–412. Bibcode:1987IEDL....8..410B. DOI:10.1109/EDL.1987.26677. ISSN:0741-3106.