منطق أكسيد شبه موصل من النوع السالب (Arabic Wikipedia)

Analysis of information sources in references of the Wikipedia article "منطق أكسيد شبه موصل من النوع السالب" in Arabic language version.

refsWebsite

Global rank Arabic rank

12web.archive.org

1^st place

4doi.org

2^nd place

5^th place

2ieee.org

652^nd place

834^th place

2books.google.com

3^rd place

8^th place

2shmj.or.jp

low place

1computerhistory.org

2,213^th place

2,218^th place

1harvard.edu

18^th place

33^rd place

1pdfslide.net

low place

1antiquetech.com

low place

1swtpc.com

low place

1bitsavers.org

4,153^rd place

low place

1drive.google.com

1,343^rd place

1,272^nd place

1intel.com

1,118^th place

3,970^th place

1worldcat.org

5^th place

4^th place

1scientific.net

low place

antiquetech.com

"NEC 751 (uCOM-4)". The Antique Chip Collectors Page. مؤرشف من الأصل في 2011-05-25. اطلع عليه بتاريخ 2010-06-11.

bitsavers.org

"CDP 1800 μP Commercially available" (PDF). Microcomputer Digest. ج. 2 ع. 4: 1–3. أكتوبر 1975. مؤرشف من الأصل (PDF) في 2019-09-23.

books.google.com

Kuhn، Kelin (2018). "CMOS and Beyond CMOS: Scaling Challenges". High Mobility Materials for CMOS Applications. Woodhead Publishing. ص. 1. ISBN:9780081020623.
Kuhn، Kelin (2018). "CMOS and Beyond CMOS: Scaling Challenges". High Mobility Materials for CMOS Applications. Woodhead Publishing. ص. 1. ISBN:9780081020623.Kuhn, Kelin (2018). "CMOS and Beyond CMOS: Scaling Challenges". High Mobility Materials for CMOS Applications. Woodhead Publishing. p. 1. ISBN 9780081020623.

computerhistory.org

"1960 - Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated". متحف تاريخ الحاسوب. مؤرشف من الأصل في 2021-10-25.

doi.org

Sah، Chih-Tang؛ Leistiko، Otto؛ Grove، A. S. (مايو 1965). "Electron and hole mobilities in inversion layers on thermally oxidized silicon surfaces". IEEE Transactions on Electron Devices. ج. 12 ع. 5: 248–254. Bibcode:1965ITED...12..248L. DOI:10.1109/T-ED.1965.15489. مؤرشف من الأصل في 2021-04-14.
Critchlow، D. L. (2007). "Recollections on MOSFET Scaling". IEEE Solid-State Circuits Society Newsletter. ج. 12 ع. 1: 19–22. DOI:10.1109/N-SSC.2007.4785536.
Soeleman، Hendrawan؛ Roy، Kaushik (1999). Ultra-low power digital subthreshold logic circuits. New York, New York, USA: ACM Press. DOI:10.1145/313817.313874.
Le-Huu، Martin؛ Schrey، Frederik F.؛ Grieb، Michael؛ Schmitt، H.؛ Haeublein، Volker؛ Bauer، Anton J.؛ Ryssel، Heiner؛ Frey، L. (29 أبريل 2010). "NMOS Logic Circuits Using 4H-SiC MOSFETs for High Temperature Applications". Materials Science Forum. 645–648: 1143–1146. DOI:10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.1143. ISSN:1662-9752. مؤرشف من الأصل في 2018-06-02. اطلع عليه بتاريخ 2021-11-26.

drive.google.com

"Silicon Gate MOS 2102A". إنتل. مؤرشف من الأصل في 2021-09-10. اطلع عليه بتاريخ 2019-06-27.

harvard.edu

ui.adsabs.harvard.edu

Sah، Chih-Tang؛ Leistiko، Otto؛ Grove، A. S. (مايو 1965). "Electron and hole mobilities in inversion layers on thermally oxidized silicon surfaces". IEEE Transactions on Electron Devices. ج. 12 ع. 5: 248–254. Bibcode:1965ITED...12..248L. DOI:10.1109/T-ED.1965.15489. مؤرشف من الأصل في 2021-04-14.

ieee.org

ieeexplore.ieee.org

"A high-speed CMOS full-adder cell using a new circuit design technique-adaptively-biased pseudo-NMOS logic". IEEE Xplore. 5 أكتوبر 2021. مؤرشف من الأصل في 2021-11-26. اطلع عليه بتاريخ 2021-11-26.
"Monolithic integration of GaN-based NMOS digital logic gate circuits with E-mode power GaN MOSHEMTs". IEEE Xplore. 5 أكتوبر 2021. مؤرشف من الأصل في 2021-11-26. اطلع عليه بتاريخ 2021-11-26.

intel.com

download.intel.com

"A chronological list of Intel products. The products are sorted by date" (PDF). Intel museum. Intel Corporation. يوليو 2005. مؤرشف من الأصل (PDF) في 2007-08-09. اطلع عليه بتاريخ 2007-07-31.

pdfslide.net

Sah، Chih-Tang؛ Leistiko، Otto؛ Grove، A. S. (مايو 1965). "Electron and hole mobilities in inversion layers on thermally oxidized silicon surfaces". IEEE Transactions on Electron Devices. ج. 12 ع. 5: 248–254. Bibcode:1965ITED...12..248L. DOI:10.1109/T-ED.1965.15489. مؤرشف من الأصل في 2021-04-14.

scientific.net

Le-Huu، Martin؛ Schrey، Frederik F.؛ Grieb، Michael؛ Schmitt، H.؛ Haeublein، Volker؛ Bauer، Anton J.؛ Ryssel، Heiner؛ Frey، L. (29 أبريل 2010). "NMOS Logic Circuits Using 4H-SiC MOSFETs for High Temperature Applications". Materials Science Forum. 645–648: 1143–1146. DOI:10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.1143. ISSN:1662-9752. مؤرشف من الأصل في 2018-06-02. اطلع عليه بتاريخ 2021-11-26.

shmj.or.jp

"1970s: Development and evolution of microprocessors" (PDF). Semiconductor History Museum of Japan. مؤرشف من الأصل (PDF) في 2021-11-02. اطلع عليه بتاريخ 2019-06-27.
"1978: Double-well fast CMOS SRAM (Hitachi)" (PDF). Semiconductor History Museum of Japan. مؤرشف من الأصل (PDF) في 2019-07-05. اطلع عليه بتاريخ 2019-07-05.

swtpc.com

Cushman، Robert H. (20 سبتمبر 1975). "2-1/2-generation μPs-$10 parts that perform like low-end minis" (PDF). EDN. مؤرشف من الأصل (PDF) في 2016-04-24. اطلع عليه بتاريخ 2019-09-15.

web.archive.org

"1960 - Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated". متحف تاريخ الحاسوب. مؤرشف من الأصل في 2021-10-25.
Sah، Chih-Tang؛ Leistiko، Otto؛ Grove، A. S. (مايو 1965). "Electron and hole mobilities in inversion layers on thermally oxidized silicon surfaces". IEEE Transactions on Electron Devices. ج. 12 ع. 5: 248–254. Bibcode:1965ITED...12..248L. DOI:10.1109/T-ED.1965.15489. مؤرشف من الأصل في 2021-04-14.
"A high-speed CMOS full-adder cell using a new circuit design technique-adaptively-biased pseudo-NMOS logic". IEEE Xplore. 5 أكتوبر 2021. مؤرشف من الأصل في 2021-11-26. اطلع عليه بتاريخ 2021-11-26.
"1970s: Development and evolution of microprocessors" (PDF). Semiconductor History Museum of Japan. مؤرشف من الأصل (PDF) في 2021-11-02. اطلع عليه بتاريخ 2019-06-27.
"NEC 751 (uCOM-4)". The Antique Chip Collectors Page. مؤرشف من الأصل في 2011-05-25. اطلع عليه بتاريخ 2010-06-11.
Cushman، Robert H. (20 سبتمبر 1975). "2-1/2-generation μPs-$10 parts that perform like low-end minis" (PDF). EDN. مؤرشف من الأصل (PDF) في 2016-04-24. اطلع عليه بتاريخ 2019-09-15.
"CDP 1800 μP Commercially available" (PDF). Microcomputer Digest. ج. 2 ع. 4: 1–3. أكتوبر 1975. مؤرشف من الأصل (PDF) في 2019-09-23.
"Monolithic integration of GaN-based NMOS digital logic gate circuits with E-mode power GaN MOSHEMTs". IEEE Xplore. 5 أكتوبر 2021. مؤرشف من الأصل في 2021-11-26. اطلع عليه بتاريخ 2021-11-26.
"1978: Double-well fast CMOS SRAM (Hitachi)" (PDF). Semiconductor History Museum of Japan. مؤرشف من الأصل (PDF) في 2019-07-05. اطلع عليه بتاريخ 2019-07-05.
"Silicon Gate MOS 2102A". إنتل. مؤرشف من الأصل في 2021-09-10. اطلع عليه بتاريخ 2019-06-27.
"A chronological list of Intel products. The products are sorted by date" (PDF). Intel museum. Intel Corporation. يوليو 2005. مؤرشف من الأصل (PDF) في 2007-08-09. اطلع عليه بتاريخ 2007-07-31.
Le-Huu، Martin؛ Schrey، Frederik F.؛ Grieb، Michael؛ Schmitt، H.؛ Haeublein، Volker؛ Bauer، Anton J.؛ Ryssel، Heiner؛ Frey، L. (29 أبريل 2010). "NMOS Logic Circuits Using 4H-SiC MOSFETs for High Temperature Applications". Materials Science Forum. 645–648: 1143–1146. DOI:10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.1143. ISSN:1662-9752. مؤرشف من الأصل في 2018-06-02. اطلع عليه بتاريخ 2021-11-26.

worldcat.org

Le-Huu، Martin؛ Schrey، Frederik F.؛ Grieb، Michael؛ Schmitt، H.؛ Haeublein، Volker؛ Bauer، Anton J.؛ Ryssel، Heiner؛ Frey، L. (29 أبريل 2010). "NMOS Logic Circuits Using 4H-SiC MOSFETs for High Temperature Applications". Materials Science Forum. 645–648: 1143–1146. DOI:10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.1143. ISSN:1662-9752. مؤرشف من الأصل في 2018-06-02. اطلع عليه بتاريخ 2021-11-26.