Cel·la de metal·lització programable (Catalan Wikipedia)

Analysis of information sources in references of the Wikipedia article "Cel·la de metal·lització programable" in Catalan language version.

refsWebsite

Global rank Catalan rank

1,849^th place

2^nd place

2^nd place

6^th place

3web.archive.org

1^st place

1^st place

1adestotech.com

low place

low place

18^th place

40^th place

4^th place

7^th place

low place

low place

459^th place

53^rd place

adestotech.com

«Adesto Technologies Trademarks» (en anglès). Arxivat de l'original el 2019-11-18. [Consulta: 20 maig 2023].

axontc.com

Michael N. Kozicki, Chakravarthy Gopalan, Murali Balakrishnan, Mira Park, and Maria Mitkova «Còpia arxivada». Non-Volatile Memory Technology Symposium, 20-08-2004, pàg. 10–17. Arxivat de l'original el de juliol 11, 2016. DOI: 10.1109/NVMT.2004.1380792 [Consulta: 13 abril 2017].

doi.org

dx.doi.org

B. Swaroop, W. C. West, G. Martinez, Michael N. Kozicki and L.A. Akers International Symposium on Circuits and Systems, 3, maig 1998, pàg. 33–36. DOI: 10.1109/ISCAS.1998.703888.
Valov, Ilia; Waser, Rainer; Jameson, John; Kozicki, Michael Nanotechnology, 22, 25, juny 2011, pàg. 254003. Bibcode: 2011Nanot..22y4003V. DOI: 10.1088/0957-4484/22/25/254003. PMID: 21572191.
Michael N. Kozicki, Chakravarthy Gopalan, Murali Balakrishnan, Mira Park, and Maria Mitkova «Còpia arxivada». Non-Volatile Memory Technology Symposium, 20-08-2004, pàg. 10–17. Arxivat de l'original el de juliol 11, 2016. DOI: 10.1109/NVMT.2004.1380792 [Consulta: 13 abril 2017].
M.N. Kozicki, M. Balakrishnan, C. Gopalan, C. Ratnakumar and M. Mitkova Non-Volatile Memory Technology Symposium, novembre 2005, pàg. 83–89. DOI: 10.1109/NVMT.2005.1541405.
Muralikrishnan Balakrishnan; Sarath Chandran Puthen Thermadam; Maria Mitkova; Michael N. Kozicki Non-Volatile Memory Technology Symposium, novembre 2006, pàg. 111–115. DOI: 10.1109/NVMT.2006.378887.

google.cat

patents.google.cat

«Programmable metallization cell structure and method of making same» (en anglès).^{[Enllaç no actiu]}
«Programmable sub-surface aggregating metallization structure and method of making same» (en anglès).^{[Enllaç no actiu]}
«Programmable microelectronic devices and method of forming and programming same» (en anglès).^{[Enllaç no actiu]}
«Programmable conductor memory cell structure and method therefor» (en anglès).^{[Enllaç no actiu]}
«Programmable metallization cell structures including an oxide electrolyte, devices including the structure and method of forming same» (en anglès).^{[Enllaç no actiu]}

google.cat

U.S. Patent 7,372,065

harvard.edu

adsabs.harvard.edu

Valov, Ilia; Waser, Rainer; Jameson, John; Kozicki, Michael Nanotechnology, 22, 25, juny 2011, pàg. 254003. Bibcode: 2011Nanot..22y4003V. DOI: 10.1088/0957-4484/22/25/254003. PMID: 21572191.

nih.gov

ncbi.nlm.nih.gov

Valov, Ilia; Waser, Rainer; Jameson, John; Kozicki, Michael Nanotechnology, 22, 25, juny 2011, pàg. 254003. Bibcode: 2011Nanot..22y4003V. DOI: 10.1088/0957-4484/22/25/254003. PMID: 21572191.

umich.edu

astro.lsa.umich.edu

«Ion Sizes of Common Elements». Arxivat de l'original el 2007-11-07., compare with Co

web.archive.org

«Adesto Technologies Trademarks» (en anglès). Arxivat de l'original el 2019-11-18. [Consulta: 20 maig 2023].
Michael N. Kozicki, Chakravarthy Gopalan, Murali Balakrishnan, Mira Park, and Maria Mitkova «Còpia arxivada». Non-Volatile Memory Technology Symposium, 20-08-2004, pàg. 10–17. Arxivat de l'original el de juliol 11, 2016. DOI: 10.1109/NVMT.2004.1380792 [Consulta: 13 abril 2017].
«Ion Sizes of Common Elements». Arxivat de l'original el 2007-11-07., compare with Co