Díode geomètric (Catalan Wikipedia)

Analysis of information sources in references of the Wikipedia article "Díode geomètric" in Catalan language version.

refsWebsite

Global rank Catalan rank

2^nd place

6^th place

5^th place

18^th place

40^th place

149^th place

111^th place

1,160^th place

1,210^th place

1,959^th place

717^th place

low place

69^th place

186^th place

arxiv.org

Bolotin, K. I.; Sikes, K. J.; Jiang, Z.; Klima, M.; Fudenberg, G. «"Ultrahigh electron mobility in suspended graphene"» (en anglès). Solid State Communications, 146, 9, 01-06-2008, pàg. 351–355. arXiv: 0802.2389. Bibcode: 2008SSCom.146..351B. DOI: 10.1016/j.ssc.2008.02.024. ISSN: 0038-1098.

Custer, James P.; Low, Jeremy D.; Hill, David J.; Teitsworth, Taylor S.; Christesen, Joseph D. «Ratcheting quasi-ballistic electrons in silicon geometric diodes at room temperature» (en anglès). Science, 368, 6487, 10-04-2020, pàg. 177–180. DOI: 10.1126/science.aay8663. ISSN: 0036-8075.
Gall, Daniel «"Electron mean free path in elemental metals".». Journal of Applied Physics, 119, 8, 23-02-2016, pàg. 085101. Bibcode: 2016JAP...119h5101G. DOI: 10.1063/1.4942216. ISSN: 0021-8979.
Sze, S.M.. Physics of Semiconductor Devices (en anglès). http://cds.cern.ch,+10-04-2006. DOI 10.1002/0470068329. ISBN 9780470068328.
Bolotin, K. I.; Sikes, K. J.; Jiang, Z.; Klima, M.; Fudenberg, G. «"Ultrahigh electron mobility in suspended graphene"» (en anglès). Solid State Communications, 146, 9, 01-06-2008, pàg. 351–355. arXiv: 0802.2389. Bibcode: 2008SSCom.146..351B. DOI: 10.1016/j.ssc.2008.02.024. ISSN: 0038-1098.
Umansky, V.; Heiblum, M.; Levinson, Y.; Smet, J.; Nübler, J. «"MBE growth of ultra-low disorder 2DEG with mobility exceeding 35×106cm2/Vs"» (en anglès). Journal of Crystal Growth, 311, 7, 15-03-2009, pàg. 1658–1661. Bibcode: 2009JCrGr.311.1658U. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2008.09.151. ISSN: 0022-0248.

Gall, Daniel «"Electron mean free path in elemental metals".». Journal of Applied Physics, 119, 8, 23-02-2016, pàg. 085101. Bibcode: 2016JAP...119h5101G. DOI: 10.1063/1.4942216. ISSN: 0021-8979.
Bolotin, K. I.; Sikes, K. J.; Jiang, Z.; Klima, M.; Fudenberg, G. «"Ultrahigh electron mobility in suspended graphene"» (en anglès). Solid State Communications, 146, 9, 01-06-2008, pàg. 351–355. arXiv: 0802.2389. Bibcode: 2008SSCom.146..351B. DOI: 10.1016/j.ssc.2008.02.024. ISSN: 0038-1098.
Umansky, V.; Heiblum, M.; Levinson, Y.; Smet, J.; Nübler, J. «"MBE growth of ultra-low disorder 2DEG with mobility exceeding 35×106cm2/Vs"» (en anglès). Journal of Crystal Growth, 311, 7, 15-03-2009, pàg. 1658–1661. Bibcode: 2009JCrGr.311.1658U. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2008.09.151. ISSN: 0022-0248.

Custer, James P.; Low, Jeremy D.; Hill, David J.; Teitsworth, Taylor S.; Christesen, Joseph D. «Ratcheting quasi-ballistic electrons in silicon geometric diodes at room temperature» (en anglès). Science, 368, 6487, 10-04-2020, pàg. 177–180. DOI: 10.1126/science.aay8663. ISSN: 0036-8075.

Bolotin, K. I.; Sikes, K. J.; Jiang, Z.; Klima, M.; Fudenberg, G. «"Ultrahigh electron mobility in suspended graphene"» (en anglès). Solid State Communications, 146, 9, 01-06-2008, pàg. 351–355. arXiv: 0802.2389. Bibcode: 2008SSCom.146..351B. DOI: 10.1016/j.ssc.2008.02.024. ISSN: 0038-1098.
Umansky, V.; Heiblum, M.; Levinson, Y.; Smet, J.; Nübler, J. «"MBE growth of ultra-low disorder 2DEG with mobility exceeding 35×106cm2/Vs"» (en anglès). Journal of Crystal Growth, 311, 7, 15-03-2009, pàg. 1658–1661. Bibcode: 2009JCrGr.311.1658U. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2008.09.151. ISSN: 0022-0248.

Custer, James P.; Low, Jeremy D.; Hill, David J.; Teitsworth, Taylor S.; Christesen, Joseph D. «Ratcheting quasi-ballistic electrons in silicon geometric diodes at room temperature» (en anglès). Science, 368, 6487, 10-04-2020, pàg. 177–180. DOI: 10.1126/science.aay8663. ISSN: 0036-8075.
Gall, Daniel «"Electron mean free path in elemental metals".». Journal of Applied Physics, 119, 8, 23-02-2016, pàg. 085101. Bibcode: 2016JAP...119h5101G. DOI: 10.1063/1.4942216. ISSN: 0021-8979.
Bolotin, K. I.; Sikes, K. J.; Jiang, Z.; Klima, M.; Fudenberg, G. «"Ultrahigh electron mobility in suspended graphene"» (en anglès). Solid State Communications, 146, 9, 01-06-2008, pàg. 351–355. arXiv: 0802.2389. Bibcode: 2008SSCom.146..351B. DOI: 10.1016/j.ssc.2008.02.024. ISSN: 0038-1098.
Umansky, V.; Heiblum, M.; Levinson, Y.; Smet, J.; Nübler, J. «"MBE growth of ultra-low disorder 2DEG with mobility exceeding 35×106cm2/Vs"» (en anglès). Journal of Crystal Growth, 311, 7, 15-03-2009, pàg. 1658–1661. Bibcode: 2009JCrGr.311.1658U. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2008.09.151. ISSN: 0022-0248.