Ruptura de l'òxid de la porta depenent del temps (Catalan Wikipedia)

Analysis of information sources in references of the Wikipedia article "Ruptura de l'òxid de la porta depenent del temps" in Catalan language version.

refsWebsite

Global rank Catalan rank

1semanticscholar.org

11^th place

792^nd place

low place

low place

1ambientelectrons.org

low place

low place

1org.+

low place

low place

1sciencedirect.com

149^th place

111^th place

2^nd place

6^th place

5^th place

5^th place

1advanceseng.com

low place

low place

1com.+

low place

low place

advanceseng.com

«Time-dependent dielectric breakdown of gate oxide on 4H-SiC with different oxidation processes» (en anglès). https://advanceseng.com.+[Consulta: 2 novembre 2022].

ambientelectrons.org

«Gate Oxide Breakdown» (en anglès). http://www.ambientelectrons.org.+[Consulta: 2 novembre 2022].

com.+

advanceseng.com.+

«Time-dependent dielectric breakdown of gate oxide on 4H-SiC with different oxidation processes» (en anglès). https://advanceseng.com.+[Consulta: 2 novembre 2022].

doi.org

dx.doi.org

Tsui, Bing-Yue; Huang, Yi-Ting; Wu, Tian-Li; Chien, Chao-Hsin «Time-dependent dielectric breakdown of gate oxide on 4H-SiC with different oxidation processes» (en anglès). Microelectronics Reliability, 123, 01-08-2021, pàg. 114186. DOI: 10.1016/j.microrel.2021.114186. ISSN: 0026-2714.

org,+2012.+

semanticscholar.org,+2012.+

Mahmoodi, H. «TIME DEPENDENT BREAKDOWN OF GATE OXIDE AND PREDICTION OF OXIDE GATE LIFETIME» (en anglès). https://www.semanticscholar.org,+2012.+[Consulta: 2 novembre 2022].

org.+

ambientelectrons.org.+

«Gate Oxide Breakdown» (en anglès). http://www.ambientelectrons.org.+[Consulta: 2 novembre 2022].

sciencedirect.com

Tsui, Bing-Yue; Huang, Yi-Ting; Wu, Tian-Li; Chien, Chao-Hsin «Time-dependent dielectric breakdown of gate oxide on 4H-SiC with different oxidation processes» (en anglès). Microelectronics Reliability, 123, 01-08-2021, pàg. 114186. DOI: 10.1016/j.microrel.2021.114186. ISSN: 0026-2714.

semanticscholar.org

Mahmoodi, H. «TIME DEPENDENT BREAKDOWN OF GATE OXIDE AND PREDICTION OF OXIDE GATE LIFETIME» (en anglès). https://www.semanticscholar.org,+2012.+[Consulta: 2 novembre 2022].

worldcat.org

Tsui, Bing-Yue; Huang, Yi-Ting; Wu, Tian-Li; Chien, Chao-Hsin «Time-dependent dielectric breakdown of gate oxide on 4H-SiC with different oxidation processes» (en anglès). Microelectronics Reliability, 123, 01-08-2021, pàg. 114186. DOI: 10.1016/j.microrel.2021.114186. ISSN: 0026-2714.