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Immersionslithografie (German Wikipedia)

Analysis of information sources in references of the Wikipedia article "Immersionslithografie" in German language version.

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  • S. Jahromi, L. Bremer, R. Tuinier S. Liebregts: Development of Third Generation Immersion Fluids Based on Dispersion of Nanoparticles (Memento des Originals vom 23. Januar 2015 im Internet Archive)  Info: Der Archivlink wurde automatisch eingesetzt und noch nicht geprüft. Bitte prüfe Original- und Archivlink gemäß Anleitung und entferne dann diesen Hinweis.@1@2Vorlage:Webachiv/IABot/www.sematech.org. In: 5th international Symposium on immersion lithography extensions. 22.–25. September 2009.
  • Soichi Owa, Toshikazu Umatate: High Index Lithography (HIL) Progress and Plans (Memento des Originals vom 28. Januar 2016 im Internet Archive)  Info: Der Archivlink wurde automatisch eingesetzt und noch nicht geprüft. Bitte prüfe Original- und Archivlink gemäß Anleitung und entferne dann diesen Hinweis.@1@2Vorlage:Webachiv/IABot/www.sematech.org. 2008 SEMATECH Litho Forum, Bolton Landing 14. Mai 2008.

asml.nl

doi.org

  • Burn J. Lin: The future of subhalf-micrometer optical lithography. In: Microelectronic Engineering. Band 6, Nr. 1–4, 1987, S. 31–51, doi:10.1016/0167-9317(87)90015-3.
  • Daniel P. Sanders: Advances in Patterning Materials for 193 nm Immersion Lithography. In: Chemical Reviews. Band 110, Nr. 1, 2010, S. 321–360, doi:10.1021/cr900244n.
  • Yayi Wei, David Back: 193nm immersion lithography: Status and challenges. In: SPIE Newsroom. 22. März 2007, abgerufen am 22. Januar 2012 (doi:10.1117/2.1200703.0001).
  • Kazuhiro Hirano, Yuichi Shibazaki, Masato Hamatani, Jun Ishikawa, Yasuhiro Iriuchijima: Latest results from the Nikon NSR-S620 double patterning immersion scanner. Taipei, Taiwan 2009, S. 75200Z-75200Z-12, doi:10.1117/12.837037 (Enthält ein paar interessante Grafiken zum prinzipiellen Aufbau solcher Lithografiesysteme).
  • Axel Engel, Konrad Knapp, Lutz Aschke, Ewald Moersen, Wolfgang Triebel: Development and investigation of high-quality CaF2 used for 157-nm microlithography. International Society for Optics and Photonics, 26. April 2001, S. 298–304, doi:10.1117/12.425218 (spiedigitallibrary.org [abgerufen am 27. Juli 2017]).
  • M. Switkes, M. Rothschild: Immersion lithography at 157 nm. In: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. Band 19, Nr. 6, 2001, S. 2353, doi:10.1116/1.1412895.
  • M. Switkes, R. R. Kunz, M. Rothschild, R. F. Sinta, M. Yeung, S.-Y. Baek: Extending optics to 50 nm and beyond with immersion lithography. In: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. Band 21, Nr. 6, 2003, S. 2794, doi:10.1116/1.1624257.
  • J. Christopher Taylor, Charles R. Chambers, Ryan Deschner, Robert J. LeSuer, Willard E. Conley, Sean D. Burns, C. G. Willson: Implications of immersion lithography on 193-nm photoresists. Santa Clara, CA, USA 2004, S. 34–43, doi:10.1117/12.535875.
  • Akyhiro Iwata, Nobuaki Nakashima, Yasukazu Izawa, Chiyoe Yamanaka: One-photon ionization of liquid water upon 193 nm laser irradiation. In: Chemistry Letters. Band 22, Nr. 11, 1993, S. 1939–1940, doi:10.1246/cl.1993.1939.
  • Christian Wagner: Advanced technology for extending optical lithography. In: Proceedings of SPIE. Santa Clara, CA, USA 2000, S. 344–357, doi:10.1117/12.389046.

eetimes.com

espacenet.com

worldwide.espacenet.com

  • Patent EP0060729B1: Anordnung zur Ausbildung von Mustern. Angemeldet am 17. März 1982, veröffentlicht am 13. August 1986, Anmelder: Hitachi Ltd, Erfinder: Akihiro Takanashi et al.‌

intel.com

download.intel.com

  • Mark Bohr: Intel 32nm Technology. In: Logic Technology Development. 10. Februar 2009 (intel.com [PDF] Vortragsfolien).

redirecter.toolforge.org

  • S. Jahromi, L. Bremer, R. Tuinier S. Liebregts: Development of Third Generation Immersion Fluids Based on Dispersion of Nanoparticles (Memento des Originals vom 23. Januar 2015 im Internet Archive)  Info: Der Archivlink wurde automatisch eingesetzt und noch nicht geprüft. Bitte prüfe Original- und Archivlink gemäß Anleitung und entferne dann diesen Hinweis.@1@2Vorlage:Webachiv/IABot/www.sematech.org. In: 5th international Symposium on immersion lithography extensions. 22.–25. September 2009.
  • Soichi Owa, Toshikazu Umatate: High Index Lithography (HIL) Progress and Plans (Memento des Originals vom 28. Januar 2016 im Internet Archive)  Info: Der Archivlink wurde automatisch eingesetzt und noch nicht geprüft. Bitte prüfe Original- und Archivlink gemäß Anleitung und entferne dann diesen Hinweis.@1@2Vorlage:Webachiv/IABot/www.sematech.org. 2008 SEMATECH Litho Forum, Bolton Landing 14. Mai 2008.
  • Aaron Hand: DFM, Design Restrictions Enable Double Patterning. In: Semiconductor International. 12. Januar 2007, archiviert vom Original (nicht mehr online verfügbar) am 5. Februar 2008; abgerufen am 22. Januar 2012.
  • David Lammers: Intel: EUV Facts Don’t Add Up' for 22 nm in 2011. In: Semiconductor International. 22. Februar 2008, archiviert vom Original (nicht mehr online verfügbar) am 26. April 2008; abgerufen am 22. Januar 2012.

sematech.org

  • S. Jahromi, L. Bremer, R. Tuinier S. Liebregts: Development of Third Generation Immersion Fluids Based on Dispersion of Nanoparticles (Memento des Originals vom 23. Januar 2015 im Internet Archive)  Info: Der Archivlink wurde automatisch eingesetzt und noch nicht geprüft. Bitte prüfe Original- und Archivlink gemäß Anleitung und entferne dann diesen Hinweis.@1@2Vorlage:Webachiv/IABot/www.sematech.org. In: 5th international Symposium on immersion lithography extensions. 22.–25. September 2009.
  • Soichi Owa, Toshikazu Umatate: High Index Lithography (HIL) Progress and Plans (Memento des Originals vom 28. Januar 2016 im Internet Archive)  Info: Der Archivlink wurde automatisch eingesetzt und noch nicht geprüft. Bitte prüfe Original- und Archivlink gemäß Anleitung und entferne dann diesen Hinweis.@1@2Vorlage:Webachiv/IABot/www.sematech.org. 2008 SEMATECH Litho Forum, Bolton Landing 14. Mai 2008.

spie.org

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proceedings.spiedigitallibrary.org

  • Axel Engel, Konrad Knapp, Lutz Aschke, Ewald Moersen, Wolfgang Triebel: Development and investigation of high-quality CaF2 used for 157-nm microlithography. International Society for Optics and Photonics, 26. April 2001, S. 298–304, doi:10.1117/12.425218 (spiedigitallibrary.org [abgerufen am 27. Juli 2017]).

web.archive.org

  • S. Jahromi, L. Bremer, R. Tuinier S. Liebregts: Development of Third Generation Immersion Fluids Based on Dispersion of Nanoparticles (Memento des Originals vom 23. Januar 2015 im Internet Archive)  Info: Der Archivlink wurde automatisch eingesetzt und noch nicht geprüft. Bitte prüfe Original- und Archivlink gemäß Anleitung und entferne dann diesen Hinweis.@1@2Vorlage:Webachiv/IABot/www.sematech.org. In: 5th international Symposium on immersion lithography extensions. 22.–25. September 2009.
  • Soichi Owa, Toshikazu Umatate: High Index Lithography (HIL) Progress and Plans (Memento des Originals vom 28. Januar 2016 im Internet Archive)  Info: Der Archivlink wurde automatisch eingesetzt und noch nicht geprüft. Bitte prüfe Original- und Archivlink gemäß Anleitung und entferne dann diesen Hinweis.@1@2Vorlage:Webachiv/IABot/www.sematech.org. 2008 SEMATECH Litho Forum, Bolton Landing 14. Mai 2008.
  • Aaron Hand: DFM, Design Restrictions Enable Double Patterning. In: Semiconductor International. 12. Januar 2007, archiviert vom Original (nicht mehr online verfügbar) am 5. Februar 2008; abgerufen am 22. Januar 2012.
  • David Lammers: Intel: EUV Facts Don’t Add Up' for 22 nm in 2011. In: Semiconductor International. 22. Februar 2008, archiviert vom Original (nicht mehr online verfügbar) am 26. April 2008; abgerufen am 22. Januar 2012.

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