Jörg Schulze: Konzepte Silizium-basierter MOS-Bauelemente : mit 29 Tabellen / Jörg Schulze. Springer, Berlin 2005, ISBN 3-540-23437-3 (dnb.de [abgerufen am 5. Mai 2022]).
doi.org
W Hansch, C Fink, J Schulze, I Eisele: A vertical MOS-gated Esaki tunneling transistor in silicon. In: Thin Solid Films. Band369, Nr.1, 3. Juli 2000, ISSN0040-6090, S.387–389, doi:10.1016/S0040-6090(00)00896-8 (sciencedirect.com [abgerufen am 5. Mai 2022]).
K.K. Bhuwalka, J. Schulze, I. Eisele: Scaling the Vertical Tunnel FET With Tunnel Bandgap Modulation and Gate Workfunction Engineering. In: IEEE Transactions on Electron Devices. Band52, Nr.5, Mai 2005, ISSN0018-9383, S.909–917, doi:10.1109/TED.2005.846318 (ieee.org [abgerufen am 5. Mai 2022]).
K.K. Bhuwalka, J. Schulze, I. Eisele: Scaling the Vertical Tunnel FET With Tunnel Bandgap Modulation and Gate Workfunction Engineering. In: IEEE Transactions on Electron Devices. Band52, Nr.5, Mai 2005, ISSN0018-9383, S.909–917, doi:10.1109/TED.2005.846318 (ieee.org [abgerufen am 5. Mai 2022]).
W Hansch, C Fink, J Schulze, I Eisele: A vertical MOS-gated Esaki tunneling transistor in silicon. In: Thin Solid Films. Band369, Nr.1, 3. Juli 2000, ISSN0040-6090, S.387–389, doi:10.1016/S0040-6090(00)00896-8 (sciencedirect.com [abgerufen am 5. Mai 2022]).
Jörg Schulze: Bor-Oberflächenphasen in vertikalen Si- und SiGe-Schichtstrukturen. 2000 (unibw.de [abgerufen am 5. Mai 2022]).
zdb-katalog.de
W Hansch, C Fink, J Schulze, I Eisele: A vertical MOS-gated Esaki tunneling transistor in silicon. In: Thin Solid Films. Band369, Nr.1, 3. Juli 2000, ISSN0040-6090, S.387–389, doi:10.1016/S0040-6090(00)00896-8 (sciencedirect.com [abgerufen am 5. Mai 2022]).
K.K. Bhuwalka, J. Schulze, I. Eisele: Scaling the Vertical Tunnel FET With Tunnel Bandgap Modulation and Gate Workfunction Engineering. In: IEEE Transactions on Electron Devices. Band52, Nr.5, Mai 2005, ISSN0018-9383, S.909–917, doi:10.1109/TED.2005.846318 (ieee.org [abgerufen am 5. Mai 2022]).