Patent US3387286: Field-effect transistor memory. Veröffentlicht am 4. Juni 1968, Erfinder: Robert H. Dennard.
ieee.org
The Impact of Dennard's Scaling Theory. In: IEEE solid-state circuits society news. Band 12, Nr. 1, 2007 (Das ganze Heft beschäftigt sich mehr oder weniger mit dem Thema, PDF, abgerufen am 1. Mai 2010).
National Medal Winner. In: clinton4.nara.gov. White House Millenium Council 2000, abgerufen am 25. November 2014 (englisch).
redirecter.toolforge.org
Random Access Memory. In: Inventor of the Week Archive. Massachusetts Institute of Technology, März 2000, archiviert vom Original (nicht mehr online verfügbar) am 15. April 2003; abgerufen am 1. Mai 2010 (englisch).
ucsb.edu
ece.ucsb.edu
R. H. Dennard, F. H. Gaensslen, H. N. Yu, V. L. Rideout, E. Bassous, A. R. Leblanc: Design of ion-implanted MOSFETs with very small physical dimensions. In: IEEE Journal of Solid State Circuits. SC-9, Nr. 5, 1974, S. 256–268 (PDF, abgerufen am 1. Mai 2010).
web.archive.org
Random Access Memory. In: Inventor of the Week Archive. Massachusetts Institute of Technology, März 2000, archiviert vom Original (nicht mehr online verfügbar) am 15. April 2003; abgerufen am 1. Mai 2010 (englisch).
Robert Dennard: A design of an electronic analog computer for educational use. 1956, OCLC26689446 (Master-Arbeit an der Southern Methodist University).
Robert Dennard: Behavior of the ferroresonant series circuit containing a square-loop reactor. 1958, OCLC227253865 (Dissertation an der Carnegie Institute of Technology).