L. Chang u. a.: Stable SRAM cell design for the 32 nm node and beyond. In: 2005 Symposium on VLSI Technology, 2005. Digest of Technical Papers. 2005, S.128–129, doi:10.1109/.2005.1469239 (PDF).
ernet.in
chips.ece.iisc.ernet.in
L. Chang u. a.: Stable SRAM cell design for the 32 nm node and beyond. In: 2005 Symposium on VLSI Technology, 2005. Digest of Technical Papers. 2005, S.128–129, doi:10.1109/.2005.1469239 (PDF).
espacenet.com
worldwide.espacenet.com
Patent US3562721A: Solid State Switching and Memory Apparatus. Angemeldet am 5. März 1963, veröffentlicht am 9. Februar 1971, Anmelder: Fairchild Camera and Instrument Corporation, Erfinder: Robert H. Norman.
Datenblatt (Memento vom 1. Januar 2010 im Internet Archive) (PDF; 178 kB) eines NV-SRAM. (DS2030 mit 32 Ki × 8 mit integrierter Pufferbatterie) (englisch)
