Ένας τυπικός νανομπαινιτικός χάλυβας περιέχει 1% C, 1,5% Si, %1,9Mn, 0,25% Mo, 1,3% Cr και 0,1% V (κ.β.). Με θερμικό μετασχηματισμό στους 200°C αποκτά μπαινιτικές λωρίδες πάχους 20–40 nm μέσα σε ωστενιτικό μητρικό υλικό. Βλ. H. K. D. H. Bhadeshia, "The bainite reaction"Αρχειοθετήθηκε 2007-08-24 στο Wayback Machine., lecture notes, June 2007 (ανακτήθηκε στις 6/12/2007).
Ένας τυπικός νανομπαινιτικός χάλυβας περιέχει 1% C, 1,5% Si, %1,9Mn, 0,25% Mo, 1,3% Cr και 0,1% V (κ.β.). Με θερμικό μετασχηματισμό στους 200°C αποκτά μπαινιτικές λωρίδες πάχους 20–40 nm μέσα σε ωστενιτικό μητρικό υλικό. Βλ. H. K. D. H. Bhadeshia, "The bainite reaction"Αρχειοθετήθηκε 2007-08-24 στο Wayback Machine., lecture notes, June 2007 (ανακτήθηκε στις 6/12/2007).