Carbure de silicium (French Wikipedia)

Analysis of information sources in references of the Wikipedia article "Carbure de silicium" in French language version.

refsWebsite
Global rank French rank
2nd place
3rd place
18th place
118th place
4th place
12th place
1st place
1st place
149th place
80th place
274th place
223rd place
234th place
147th place
507th place
420th place
305th place
395th place
low place
low place
69th place
232nd place
1,725th place
998th place
222nd place
129th place
7,745th place
5,896th place
1,735th place
168th place
813th place
282nd place
237th place
625th place
1,503rd place
1,077th place
4,352nd place
2,750th place
124th place
14th place
3,158th place
3,502nd place
1,306th place
3,026th place
1,248th place
778th place
782nd place
1,468th place
low place
9,489th place
652nd place
741st place
low place
low place
2,113th place
4,481st place
194th place
17th place
87th place
20th place
243rd place
21st place

acs.org

pubs.acs.org

  • (en) Richard M. Laine et Florence Babonneau, « Preceramic polymer routes to silicon carbide », Chemistry of Materials, vol. 5, no 3,‎ , p. 260-279 (DOI 10.1021/cm00027a007, lire en ligne)

alfa.com

aps.org

journals.aps.org

archive.is

arxiv.org

bnf.fr

gallica.bnf.fr

  • Henri Moissan, « Nouvelles recherches sur la météorite de Cañon Diablo », Comptes rendus hebdomadaires des séances de l'Académie des sciences, vol. 139,‎ , p. 773-786 (lire en ligne).

cambridge.org

  • (en) D. O’Sullivan, M. J. Pomeroy, S. Hampshire et M. J. Murtagh, « Degradation resistance of silicon carbide diesel particulate filters to diesel fuel ash deposits », Journal of Material Research, vol. 19, no 10,‎ , p. 2913-2921 (DOI 10.1557/JMR.2004.0373, Bibcode 2004JMatR..19.2913O, lire en ligne)
  • (en) Hui Chen, Balaji Raghothamachar, William Vetter, Michael Dudley, Y. Wang et B. J. Skromme, « Effects of Different Defect Types on the Performance of Devices Fabricated on a 4H-SiC Homoepitaxial Layer », MRS Online Proceedings Library Archive, vol. 911,‎ , B12-03 (DOI 10.1557/PROC-0911-B12-03, lire en ligne)
  • (en) Ming Ruan, Yike Hu, Zelei Guo, Rui Dong, James Palmer, John Hankinson, Claire Berger et Walt A. de Heer, « Epitaxial graphene on silicon carbide: Introduction to structured graphene », MRS Bulletin, vol. 37, no 12,‎ , p. 1138-1147 (DOI 10.1557/mrs.2012.231, lire en ligne)

dguv.de

gestis.dguv.de

  • Entrée « Silicon carbide » dans la base de données de produits chimiques GESTIS de la IFA (organisme allemand responsable de la sécurité et de la santé au travail) (allemand, anglais), accès le 26 janvier 2019 (JavaScript nécessaire)

doi.org

dx.doi.org

  • (en) C. Persson et U. Lindefelt, « Detailed band structure for 3C-, 2H-, 4H-, 6H-SiC, and Si around the fundamental band gap », Physical Review B, vol. 54, no 15,‎ , article no 10257 (PMID 9984797, DOI 10.1103/PhysRevB.54.10257, Bibcode 1996PhRvB..5410257P, lire en ligne).
  • (en) H. Morkoç, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov et M. Burns, « Large‐band‐gap SiC, III‐V nitride, and II‐VI ZnSe‐based semiconductor device technologies », Journal of Applied Physics, vol. 76, no 3,‎ , p. 1363-1398 (DOI 10.1063/1.358463, Bibcode 1994JAP....76.1363M, lire en ligne).
  • (en) Takahiro Muranaka, Yoshitake Kikuchi, Taku Yoshizawa, Naoki Shirakawa et Jun Akimitsu, « Superconductivity in carrier-doped silicon carbide », Science and Technology of Advanced Materials, vol. 9, no 4,‎ , article no 044204 (PMID 27878021, PMCID 5099635, DOI 10.1088/1468-6996/9/4/044204, Bibcode 2008STAdM...9d4204M, lire en ligne).
  • (en) Markus Kriener, Takahiro Muranaka, Junya Kato, Zhi-An Ren, Jun Akimitsu et Yoshiteru Maeno, « Superconductivity in heavily boron-doped silicon carbide », Science and Technology of Advanced Materials, vol. 9, no 4,‎ , article no 044205 (PMID 27878022, PMCID 5099636, DOI 10.1088/1468-6996/9/4/044205, Bibcode 2008STAdM...9d4205K, arXiv 0810.0056, lire en ligne)
  • (en) Youichi Yanase et Naoyuki Yorozu, « Superconductivity in compensated and uncompensated semiconductors », Science and Technology of Advanced Materials, vol. 9, no 4,‎ , article no 044201 (PMID 27878018, PMCID 5099632, DOI 10.1088/1468-6996/9/4/044201, Bibcode 2008STAdM...9d4201Y, lire en ligne).
  • (en) Simonpietro Di Pierro, Edwin Gnos, Bernard H. Grobety, Thomas Armbruster, Stefano M. Bernasconi et Peter Ulmer, « Rock-forming moissanite (natural α-silicon carbide) », American Mineralogist, vol. 88, nos 11-12,‎ , p. 1817-1821 (DOI 10.2138/am-2003-11-1223, Bibcode 2003EAEJA.....8764D, lire en ligne)
  • (en) A. A. Shiryaev, W. L. Griffin et E. Stoyanov, « Moissanite (SiC) from kimberlites: Polytypes, trace elements, inclusions and speculations on origin », Lithos, vol. 122, nos 3-4,‎ , p. 152-164 (DOI 10.1016/j.lithos.2010.12.011, Bibcode 2011Litho.122..152S).
  • (en) Sabrina Nazzareni, Fabrizio Nestola, Vittorio Zanon, Luca Bindi, Enrico Scricciolo et al., « Discovery of moissanite in a peralkaline syenite from the Azores Islands », Lithos, vol. 324-325,‎ , p. 68-73 (DOI 10.1016/j.lithos.2018.10.036, Bibcode 2019Litho.324...68N).
  • (en) Wataru Fujiya, Peter Hoppe et Ulrich Ott, « Hints for Neutrino-process Boron in Presolar Silicon Carbide Grains from Supernovae », The Astrophysical Journal Letters, vol. 730, no 1,‎ , article no L7 (DOI 10.1088/2041-8205/730/1/L7/meta, Bibcode 2011ApJ...730L...7F, lire en ligne [PDF], consulté le ).
  • (en) A. S. Vlasov, A. I. Zakharov, O. A. Sarkisyan et N. A. Lukasheva, « Obtaining silicon carbide from rice husks », Refractories, vol. 32, nos 9-10,‎ , p. 521-523 (DOI 10.1007/bf01287542, lire en ligne)
  • (en) Yang Zhong, Leon L. Shaw, Misael Manjarres et Mahmoud F. Zawrah, « Synthesis of Silicon Carbide Nanopowder Using Silica Fume », Journal of the American Ceramic Society, vol. 93, no 10,‎ , p. 3159-3167 (DOI 10.1111/j.1551-2916.2010.03867.x, lire en ligne)
  • (en) M. W. Pitcher, S. J. Joray et P. A. Bianconi, « Smooth Continuous Films of Stoichiometric Silicon Carbide from Poly(methylsilyne) », Advanced Materials, vol. 16, no 8,‎ , p. 706-709 (DOI 10.1002/adma.200306467, lire en ligne)
  • (en) A. R. Bunsell et A. Piant, « A review of the development of three generations of small diameter silicon carbide fibres », Journal of Materials Science, vol. 41, no 3,‎ , p. 823-839 (DOI 10.1007/s10853-006-6566-z, Bibcode 2006JMatS..41..823B, lire en ligne)
  • (en) Richard M. Laine et Florence Babonneau, « Preceramic polymer routes to silicon carbide », Chemistry of Materials, vol. 5, no 3,‎ , p. 260-279 (DOI 10.1021/cm00027a007, lire en ligne)
  • (en) D. O’Sullivan, M. J. Pomeroy, S. Hampshire et M. J. Murtagh, « Degradation resistance of silicon carbide diesel particulate filters to diesel fuel ash deposits », Journal of Material Research, vol. 19, no 10,‎ , p. 2913-2921 (DOI 10.1557/JMR.2004.0373, Bibcode 2004JMatR..19.2913O, lire en ligne)
  • (en) P. Studt, « Influence of lubricating oil additives on friction of ceramics under conditions of boundary lubrication », Wear, vol. 115, nos 1-2,‎ , p. 185-191 (DOI 10.1016/0043-1648(87)90208-0, lire en ligne)
  • (en) Jignesh D. Maun, Peter B. Sunderland et David L. Urban, « Thin-filament pyrometry with a digital still camera », Applied Optics IP, vol. 46, no 4,‎ , p. 483-488 (DOI 10.1364/AO.46.000483, Bibcode 2007ApOpt..46..483M, lire en ligne)
  • (en) M. Bhatnagar et B.J. Baliga, « Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for power devices », IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 40, no 3,‎ , p. 645-655 (DOI 10.1109/16.199372, Bibcode 1993ITED...40..645B, lire en ligne)
  • (en) Hui Chen, Balaji Raghothamachar, William Vetter, Michael Dudley, Y. Wang et B. J. Skromme, « Effects of Different Defect Types on the Performance of Devices Fabricated on a 4H-SiC Homoepitaxial Layer », MRS Online Proceedings Library Archive, vol. 911,‎ , B12-03 (DOI 10.1557/PROC-0911-B12-03, lire en ligne)
  • (en) Roland Madar, « Silicon carbide in contention », Nature, vol. 430, no 7003,‎ , p. 974-975 (PMID 15329702, DOI 10.1038/430974a, Bibcode 2004Natur.430..974M, lire en ligne)
  • (en) Z. Chen, A. C. Ahyi, X. Zhu, M. Li, T. Isaacs-Smith, J. R. Williams et L. C. Feldman, « MOS Characteristics of C-Face 4H-SiC », Journal of Electronic Materials, vol. 39, no 5,‎ , p. 526-529 (DOI 10.1007/s11664-010-1096-5, Bibcode 2010JEMat..39..526C, lire en ligne)
  • (en) Gury Timofeevic Petrovsky, Michael N. Tolstoy, Sergey V. Ljubarsky, Yuri P. Khimitch et Paul N. Robb, « 2.7-meter-diameter silicon carbide primary mirror for the SOFIA telescope », Proceedings SPIE, vol. 2199,‎ , p. 263-270 (DOI 10.1117/12.176195, Bibcode 1994SPIE.2199..263P, lire en ligne)
  • (en) S. K. Singh, K. M. Parida, B. C. Mohanty et S. B. Rao, « High surface area silicon carbide from rice husk: A support material for catalysts », Reaction Kinetics and Catalysis Letters, vol. 54, no 1,‎ , p. 29-34 (DOI 10.1007/BF02071177, lire en ligne)
  • (en) E. López-Honorato, J. Tan, P. J. Meadows, G. Marsh et P. Xiao, « TRISO coated fuel particles with enhanced SiC properties », Journal of Nuclear Materials, vol. 392, no 2,‎ , p. 219-224 (DOI 10.1016/j.jnucmat.2009.03.013, Bibcode 2009JNuM..392..219L, lire en ligne)
  • (en) G. Bertolino, G. Meyer et J. Perez Ipiña, « Degradation of the mechanical properties of Zircaloy-4 due to hydrogen embrittlement », Journal of Alloys and Compounds, vol. 330-332,‎ , p. 408-413 (DOI 10.1016/S0925-8388(01)01576-6, lire en ligne)
  • (en) Ming Ruan, Yike Hu, Zelei Guo, Rui Dong, James Palmer, John Hankinson, Claire Berger et Walt A. de Heer, « Epitaxial graphene on silicon carbide: Introduction to structured graphene », MRS Bulletin, vol. 37, no 12,‎ , p. 1138-1147 (DOI 10.1557/mrs.2012.231, lire en ligne)
  • (en) Konstantin V. Emtsev, Aaron Bostwick, Karsten Horn, Johannes Jobst, Gary L. Kellogg, Lothar Ley, Jessica L. McChesney, Taisuke Ohta, Sergey A. Reshanov, Jonas Röhrl, Eli Rotenberg, Andreas K. Schmid, Daniel Waldmann, Heiko B. Weber et Thomas Seyller, « Towards wafer-size graphene layers by atmospheric pressure graphitization of silicon carbide », Nature Materials, vol. 8, no 3,‎ , p. 203-207 (PMID 19202545, DOI 10.1038/nmat2382, Bibcode 2009NatMa...8..203E, lire en ligne)
  • (en) Walt A. de Heer, Claire Berger, Xiaosong Wu, Phillip N. First, Edward H. Conrad, Xuebin Li, Tianbo Li, Michael Sprinkle, Joanna Hass, Marcin L. Sadowski, Marek Potemski et Gérard Martinez, « Epitaxial graphene », Solid State Communications, vol. 143, nos 1-2,‎ , p. 92-100 (DOI 10.1016/j.ssc.2007.04.023, lire en ligne)
  • (en) Zhen-Yu Juang, Chih-Yu Wu, Chien-Wei Lo, Wei-Yu Chen, Chih-Fang Huang, Jenn-Chang Hwang, Fu-Rong Chen, Keh-Chyang Leou et Chuen-Horng Tsai, « Synthesis of graphene on silicon carbide substrates at low temperature », Carbon, vol. 47, no 8,‎ , p. 2026-2031 (DOI 10.1016/j.carbon.2009.03.051, lire en ligne)
  • (en) A. Lohrmann, N. Iwamoto, Z. Bodrog, S. Castelletto, T. Ohshima, T.J. Karle, A. Gali, S. Prawer, J.C. McCallum et B.C. Johnson, « Single-photon emitting diode in silicon carbide », Nature Communications, vol. 6,‎ , article no 7783 (DOI 10.1038/ncomms8783, Bibcode 2015NatCo...6E7783L, arXiv 1503.07566, lire en ligne)
  • (en) Igor A. Khramtsov, Andrey A. Vyshnevyy et Dmitry Yu. Fedyanin, « Enhancing the brightness of electrically driven single-photon sources using color centers in silicon carbide », npj Quantum Information, vol. 4,‎ , article no 15 (DOI 10.1038/s41534-018-0066-2, Bibcode 2018npjQI...4...15K, lire en ligne)
  • (en) Joel Davidsson, Viktor Ivády, Rickard Armiento, N T Son, Adam Gali et Igor A Abrikosov, « First principles predictions of magneto-optical data for semiconductor point defect identification: the case of divacancy defects in 4H–SiC », New Journal of Physics, vol. 20, no 2,‎ , article no 023035 (DOI 10.1088/1367-2630/aaa752, Bibcode 2018NJPh...20b3035D, lire en ligne)

geoscienceworld.org

pubs.geoscienceworld.org

  • (en) Simonpietro Di Pierro, Edwin Gnos, Bernard H. Grobety, Thomas Armbruster, Stefano M. Bernasconi et Peter Ulmer, « Rock-forming moissanite (natural α-silicon carbide) », American Mineralogist, vol. 88, nos 11-12,‎ , p. 1817-1821 (DOI 10.2138/am-2003-11-1223, Bibcode 2003EAEJA.....8764D, lire en ligne)

googleusercontent.com

webcache.googleusercontent.com

harvard.edu

ui.adsabs.harvard.edu

ieee.org

ieeexplore.ieee.org

indiana.edu

ioffe.ru

iop.org

iopscience.iop.org

nature.com

cst-nrl.navy.mil

nih.gov

ncbi.nlm.nih.gov

osapublishing.org

qmul.ac.uk

chem.qmul.ac.uk

sciencedirect.com

  • (en) P. Studt, « Influence of lubricating oil additives on friction of ceramics under conditions of boundary lubrication », Wear, vol. 115, nos 1-2,‎ , p. 185-191 (DOI 10.1016/0043-1648(87)90208-0, lire en ligne)
  • (en) E. López-Honorato, J. Tan, P. J. Meadows, G. Marsh et P. Xiao, « TRISO coated fuel particles with enhanced SiC properties », Journal of Nuclear Materials, vol. 392, no 2,‎ , p. 219-224 (DOI 10.1016/j.jnucmat.2009.03.013, Bibcode 2009JNuM..392..219L, lire en ligne)
  • (en) G. Bertolino, G. Meyer et J. Perez Ipiña, « Degradation of the mechanical properties of Zircaloy-4 due to hydrogen embrittlement », Journal of Alloys and Compounds, vol. 330-332,‎ , p. 408-413 (DOI 10.1016/S0925-8388(01)01576-6, lire en ligne)
  • (en) Walt A. de Heer, Claire Berger, Xiaosong Wu, Phillip N. First, Edward H. Conrad, Xuebin Li, Tianbo Li, Michael Sprinkle, Joanna Hass, Marcin L. Sadowski, Marek Potemski et Gérard Martinez, « Epitaxial graphene », Solid State Communications, vol. 143, nos 1-2,‎ , p. 92-100 (DOI 10.1016/j.ssc.2007.04.023, lire en ligne)
  • (en) Zhen-Yu Juang, Chih-Yu Wu, Chien-Wei Lo, Wei-Yu Chen, Chih-Fang Huang, Jenn-Chang Hwang, Fu-Rong Chen, Keh-Chyang Leou et Chuen-Horng Tsai, « Synthesis of graphene on silicon carbide substrates at low temperature », Carbon, vol. 47, no 8,‎ , p. 2026-2031 (DOI 10.1016/j.carbon.2009.03.051, lire en ligne)

scitation.org

aip.scitation.org

  • (en) H. Morkoç, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov et M. Burns, « Large‐band‐gap SiC, III‐V nitride, and II‐VI ZnSe‐based semiconductor device technologies », Journal of Applied Physics, vol. 76, no 3,‎ , p. 1363-1398 (DOI 10.1063/1.358463, Bibcode 1994JAP....76.1363M, lire en ligne).

spiedigitallibrary.org

  • (en) Gury Timofeevic Petrovsky, Michael N. Tolstoy, Sergey V. Ljubarsky, Yuri P. Khimitch et Paul N. Robb, « 2.7-meter-diameter silicon carbide primary mirror for the SOFIA telescope », Proceedings SPIE, vol. 2199,‎ , p. 263-270 (DOI 10.1117/12.176195, Bibcode 1994SPIE.2199..263P, lire en ligne)

springer.com

link.springer.com

  • (en) A. S. Vlasov, A. I. Zakharov, O. A. Sarkisyan et N. A. Lukasheva, « Obtaining silicon carbide from rice husks », Refractories, vol. 32, nos 9-10,‎ , p. 521-523 (DOI 10.1007/bf01287542, lire en ligne)
  • (en) A. R. Bunsell et A. Piant, « A review of the development of three generations of small diameter silicon carbide fibres », Journal of Materials Science, vol. 41, no 3,‎ , p. 823-839 (DOI 10.1007/s10853-006-6566-z, Bibcode 2006JMatS..41..823B, lire en ligne)
  • (en) Z. Chen, A. C. Ahyi, X. Zhu, M. Li, T. Isaacs-Smith, J. R. Williams et L. C. Feldman, « MOS Characteristics of C-Face 4H-SiC », Journal of Electronic Materials, vol. 39, no 5,‎ , p. 526-529 (DOI 10.1007/s11664-010-1096-5, Bibcode 2010JEMat..39..526C, lire en ligne)
  • (en) S. K. Singh, K. M. Parida, B. C. Mohanty et S. B. Rao, « High surface area silicon carbide from rice husk: A support material for catalysts », Reaction Kinetics and Catalysis Letters, vol. 54, no 1,‎ , p. 29-34 (DOI 10.1007/BF02071177, lire en ligne)

tandfonline.com

ucl.ac.uk

img.chem.ucl.ac.uk

ucla.edu

newsroom.ucla.edu

web.archive.org

wikiwix.com

archive.wikiwix.com

wiley.com

ceramics.onlinelibrary.wiley.com

  • (en) Yang Zhong, Leon L. Shaw, Misael Manjarres et Mahmoud F. Zawrah, « Synthesis of Silicon Carbide Nanopowder Using Silica Fume », Journal of the American Ceramic Society, vol. 93, no 10,‎ , p. 3159-3167 (DOI 10.1111/j.1551-2916.2010.03867.x, lire en ligne)

onlinelibrary.wiley.com

  • (en) M. W. Pitcher, S. J. Joray et P. A. Bianconi, « Smooth Continuous Films of Stoichiometric Silicon Carbide from Poly(methylsilyne) », Advanced Materials, vol. 16, no 8,‎ , p. 706-709 (DOI 10.1002/adma.200306467, lire en ligne)