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Silicium-étain (French Wikipedia)

Analysis of information sources in references of the Wikipedia article "Silicium-étain" in French language version.

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1nih.gov
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doi.org

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  • Rasmus V S Jensen, Pedersen, Thomas G et Larsen, Arne N, « Quasiparticle electronic and optical properties of the Si–Sn system », Journal of Physics: Condensed Matter, vol. 23, no 34,‎ , p. 345501 (PMID 21841232, DOI 10.1088/0953-8984/23/34/345501)
  • Amrane, Ait Abderrahmane, S. et Aourag, H., « Band structure calculation of GeSn and SiSn », Infrared Physics & Technology, vol. 36, no 5,‎ , p. 843–848 (DOI 10.1016/1350-4495(95)00019-U)
  • Zaoui, Ferhat, M., Certier, M. et Khelifa, B., « Optical properties of SiSn and GeSn », Infrared Physics & Technology, vol. 37, no 4,‎ , p. 483–488 (DOI 10.1016/1350-4495(95)00116-6)
  • Hussain, Wehbe et Hussain, « SiSn diodes: Theoretical analysis and experimental verification », Applied Physics Letters, vol. 107, no 8,‎ , p. 082111 (DOI 10.1063/1.4929801, lire en ligne)
  • Claeys, Simoen, E., Neimash, V. B. et Kraitchinskii, A., « Tin Doping of Silicon for Controlling Oxygen Precipitation and Radiation Hardness », Journal of the Electrochemical Society, vol. 148, no 12,‎ , G738 (DOI 10.1149/1.1417558)
  • Chroneos, Londos, C. A. et Sgourou, E. N., « Effect of tin doping on oxygen- and carbon-related defects in Czochralski silicon », Journal of Applied Physics, vol. 110, no 9,‎ , p. 093507 (DOI 10.1063/1.3658261, lire en ligne)
  • Kringhøj et Larsen, Arne, « Anomalous diffusion of tin in silicon », Physical Review B, vol. 56, no 11,‎ , p. 6396–6399 (DOI 10.1103/PhysRevB.56.6396)
  • Yeh, « Diffusion of Tin into Silicon », Journal of Applied Physics, vol. 39, no 9,‎ , p. 4266–4271 (DOI 10.1063/1.1656959)
  • Akasaka, Horie, Kazuo, Nakamura, Genshiro et Tsukamoto, Katsuhiro, « Study of Tin Diffusion into Silicon by Backscattering Analysis », Japanese Journal of Applied Physics, vol. 13, no 10,‎ , p. 1533–1540 (DOI 10.1143/JJAP.13.1533)
  • Hussain, Fahad, Hossain M., Singh, Nirpendra et Sevilla, Galo A. Torres, « Exploring SiSn as channel material for LSTP device applications », Device Research Conference (DRC), 2013 71st Annual,‎ , p. 93–94 (ISBN 978-1-4799-0814-1, DOI 10.1109/DRC.2013.6633809)
  • Hussain, Fahad, Hossain M., Singh, Nirpendra et Sevilla, Galo A. Torres, « Tin - an unlikely ally for silicon field effect transistors? », Physica Status Solidi RRL, vol. 8, no 4,‎ , p. 332–335 (DOI 10.1002/pssr.201308300)
  • Hussain, Fahad, Hossain M., Singh, Nirpendra et Sevilla, Galo A. Torres, « Tin (Sn) for enhancing performance in silicon CMOS », Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC), 2013 IEEE,‎ , p. 13–15 (ISBN 978-1-4799-3387-7, DOI 10.1109/NMDC.2013.6707470)
  • Khatami, « Lattice Thermal Conductivity of the Binary and Ternary Group-IV Alloys Si-Sn, Ge-Sn, and Si-Ge-Sn », Physical Review Applied, vol. 6, no 1,‎ (DOI 10.1103/physrevapplied.6.014015)

kaust.edu.sa

repository.kaust.edu.sa

  • Hussain, Wehbe et Hussain, « SiSn diodes: Theoretical analysis and experimental verification », Applied Physics Letters, vol. 107, no 8,‎ , p. 082111 (DOI 10.1063/1.4929801, lire en ligne)

nih.gov

ncbi.nlm.nih.gov

  • Rasmus V S Jensen, Pedersen, Thomas G et Larsen, Arne N, « Quasiparticle electronic and optical properties of the Si–Sn system », Journal of Physics: Condensed Matter, vol. 23, no 34,‎ , p. 345501 (PMID 21841232, DOI 10.1088/0953-8984/23/34/345501)

open.ac.uk

oro.open.ac.uk

  • Chroneos, Londos, C. A. et Sgourou, E. N., « Effect of tin doping on oxygen- and carbon-related defects in Czochralski silicon », Journal of Applied Physics, vol. 110, no 9,‎ , p. 093507 (DOI 10.1063/1.3658261, lire en ligne)