Séléniure d'indium(III) (French Wikipedia)

Analysis of information sources in references of the Wikipedia article "Séléniure d'indium(III)" in French language version.

refsWebsite

Global rank French rank

4doi.org

2^nd place

3^rd place

2harvard.edu

18^th place

118^th place

2scitation.org

4,352^nd place

2,750^th place

1alfa.com

7,745^th place

5,896^th place

1qmul.ac.uk

1,735^th place

168^th place

1wiley.com

222^nd place

129^th place

1nih.gov

4^th place

12^th place

1semanticscholar.org

11^th place

325^th place

1acs.org

1,248^th place

778^th place

acs.org

pubs.acs.org

(en) Himani Arora, Younghun Jung, Tommaso Venanzi, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, René Hübner, Harald Schneider, Manfred Helm, James C. Hone et Artur Erbe, « Effective Hexagonal Boron Nitride Passivation of Few-Layered InSe and GaSe to Enhance Their Electronic and Optical Properties », ACS Applied Materials & Interfaces, vol. 11, n^o 46,‎ 25 octobre 2019, p. 43480-43487 (PMID 31651146, DOI 10.1021/acsami.9b13442, S2CID 204884014, lire en ligne)

alfa.com

« Fiche du composé Indium(III) selenide, 99.99% (metals basis) », sur Alfa Aesar (consulté le 31 décembre 2021).

doi.org

dx.doi.org

(en) J. Jasinski, W. Swider, J. Washburn et Z. Liliental-Weber, « Crystal structure of $κ$ -In₂Se₃ », Applied Physics Letters, vol. 81, n^o 23,‎ décembre 2002, article n^o 4356 (DOI 10.1063/1.1526925, Bibcode 2002ApPhL..81.4356J, lire en ligne)
(en) K. J. Chang, S. M. Lahn et J. Y. Chang, « Growth of single-phase In₂Se₃ by using metal organic chemical vapor deposition with dual-source precursors », Applied Physics Letters, vol. 89, n^o 18,‎ octobre 2006, article n^o 182118 (DOI 10.1063/1.2382742, Bibcode 2006ApPhL..89r2118C, lire en ligne)
(en) Himani Arora et Artur Erbe, « Recent progress in contact, mobility, and encapsulation engineering of InSe and GaSe », InfoMat, vol. 3, n^o 6,‎ juin 2021, p. 662-693 (DOI 10.1002/inf2.12160, lire en ligne)
(en) Himani Arora, Younghun Jung, Tommaso Venanzi, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, René Hübner, Harald Schneider, Manfred Helm, James C. Hone et Artur Erbe, « Effective Hexagonal Boron Nitride Passivation of Few-Layered InSe and GaSe to Enhance Their Electronic and Optical Properties », ACS Applied Materials & Interfaces, vol. 11, n^o 46,‎ 25 octobre 2019, p. 43480-43487 (PMID 31651146, DOI 10.1021/acsami.9b13442, S2CID 204884014, lire en ligne)

harvard.edu

ui.adsabs.harvard.edu

(en) J. Jasinski, W. Swider, J. Washburn et Z. Liliental-Weber, « Crystal structure of $κ$ -In₂Se₃ », Applied Physics Letters, vol. 81, n^o 23,‎ décembre 2002, article n^o 4356 (DOI 10.1063/1.1526925, Bibcode 2002ApPhL..81.4356J, lire en ligne)
(en) K. J. Chang, S. M. Lahn et J. Y. Chang, « Growth of single-phase In₂Se₃ by using metal organic chemical vapor deposition with dual-source precursors », Applied Physics Letters, vol. 89, n^o 18,‎ octobre 2006, article n^o 182118 (DOI 10.1063/1.2382742, Bibcode 2006ApPhL..89r2118C, lire en ligne)

nih.gov

ncbi.nlm.nih.gov

(en) Himani Arora, Younghun Jung, Tommaso Venanzi, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, René Hübner, Harald Schneider, Manfred Helm, James C. Hone et Artur Erbe, « Effective Hexagonal Boron Nitride Passivation of Few-Layered InSe and GaSe to Enhance Their Electronic and Optical Properties », ACS Applied Materials & Interfaces, vol. 11, n^o 46,‎ 25 octobre 2019, p. 43480-43487 (PMID 31651146, DOI 10.1021/acsami.9b13442, S2CID 204884014, lire en ligne)

qmul.ac.uk

chem.qmul.ac.uk

Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.

scitation.org

aip.scitation.org

(en) J. Jasinski, W. Swider, J. Washburn et Z. Liliental-Weber, « Crystal structure of $κ$ -In₂Se₃ », Applied Physics Letters, vol. 81, n^o 23,‎ décembre 2002, article n^o 4356 (DOI 10.1063/1.1526925, Bibcode 2002ApPhL..81.4356J, lire en ligne)
(en) K. J. Chang, S. M. Lahn et J. Y. Chang, « Growth of single-phase In₂Se₃ by using metal organic chemical vapor deposition with dual-source precursors », Applied Physics Letters, vol. 89, n^o 18,‎ octobre 2006, article n^o 182118 (DOI 10.1063/1.2382742, Bibcode 2006ApPhL..89r2118C, lire en ligne)

semanticscholar.org

api.semanticscholar.org

(en) Himani Arora, Younghun Jung, Tommaso Venanzi, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, René Hübner, Harald Schneider, Manfred Helm, James C. Hone et Artur Erbe, « Effective Hexagonal Boron Nitride Passivation of Few-Layered InSe and GaSe to Enhance Their Electronic and Optical Properties », ACS Applied Materials & Interfaces, vol. 11, n^o 46,‎ 25 octobre 2019, p. 43480-43487 (PMID 31651146, DOI 10.1021/acsami.9b13442, S2CID 204884014, lire en ligne)

wiley.com

onlinelibrary.wiley.com

(en) Himani Arora et Artur Erbe, « Recent progress in contact, mobility, and encapsulation engineering of InSe and GaSe », InfoMat, vol. 3, n^o 6,‎ juin 2021, p. 662-693 (DOI 10.1002/inf2.12160, lire en ligne)