Ֆլեշ հիշողություն (Armenian Wikipedia)

«8-Bit AVR Microcontroller ATmega32A Datasheet Complete» (PDF). 2016 թ․ փետրվարի 19. էջ 18. Արխիվացված է օրիգինալից (PDF) 2016 թ․ ապրիլի 9-ին. Վերցված է 2016 թ․ մայիսի 29-ին. «Reliability Qualification results show that the projected data retention failure rate is much less than 1 PPM over 20 years at 85 °C or 100 years at 25 °C»

bitwarsoft.com

«What is Flash Memory». Bitwarsoft.com. 2020 թ․ հուլիսի 22.

books.google.com

Micheloni, Rino; Marelli, Alessia; Eshghi, Kam (2012), Inside Solid State Drives (SSDs), Bibcode:2013issd.book.....M, ISBN 9789400751460, Արխիվացված օրիգինալից 2017 թ․ փետրվարի 9-ին
Micheloni, Rino; Crippa, Luca (2010), Inside NAND Flash Memories, ISBN 9789048194315, Արխիվացված օրիգինալից 2017 թ․ փետրվարի 9-ին In particular, pp 515-536: K. Takeuchi. "Low power 3D-integrated SSD"
Mozel, Tracey (2009), CMOSET Fall 2009 Circuits and Memories Track Presentation Slides, ISBN 9781927500217, Արխիվացված օրիգինալից 2017 թ․ փետրվարի 9-ին
Clive Maxfield. "Bebop to the Boolean Boogie: An Unconventional Guide to Electronics". p. 232.
Cappelletti, Paulo; Golla, Carla; Olivo, Piero; Zanoni, Enrico (2013). Flash Memories. Springer Science & Business Media. էջ 32. ISBN 9781461550150.
«Not Flashing Quite As Fast». Electronic Business. Cahners Publishing Company. 26 (7–13): 504. 2000. «Unit shipments increased 64% in 1999 from the prior year, and are forecast to increase 44% to 1.8 billion units in 2000.»
Coughlin, Thomas M. (2017). Digital Storage in Consumer Electronics: The Essential Guide. Springer. էջ 217. ISBN 9783319699073.

bunniestudios.com

«On Hacking MicroSD Cards « bunnie's blog».

businesswire.com

«Winbond Top Serial Flash Memory Supplier Worldwide, Ships 1.7 Billion Units in 2012, Ramps 58nm Production». Business Wire. Winbond. 2013 թ․ ապրիլի 10. Վերցված է 2019 թ․ հոկտեմբերի 16-ին.

cern.ch

indico.cern.ch

Sze, Simon Min. «EVOLUTION OF NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY: From Invention to Nanocrystal Memory» (PDF). CERN. National Yang Ming Chiao Tung University. էջ 41. Վերցված է 2019 թ․ հոկտեմբերի 22-ին.

cmu.edu

users.ece.cmu.edu

«Data Retention in MLC NAND Flash Memory: Characterization, Optimization, and Recovery» (PDF). 2015 թ․ հունվարի 27. էջ 10. Արխիվացված (PDF) օրիգինալից 2016 թ․ հոկտեմբերի 7-ին. Վերցված է 2016 թ․ ապրիլի 27-ին.

computer.org

Yasufuku, Tadashi; Ishida, Koichi; Miyamoto, Shinji; Nakai, Hiroto; Takamiya, Makoto; Sakurai, Takayasu; Takeuchi, Ken (2009), Proceedings of the 14th ACM/IEEE international symposium on Low power electronics and design - ISLPED '09, էջեր 87–92, doi:10.1145/1594233.1594253, ISBN 9781605586847, S2CID 6055676, Արխիվացված օրիգինալից 2016 թ․ մարտի 5-ին (abstract).

computerhistory.org

«1960 - Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated». The Silicon Engine. Computer History Museum.
«1971: Reusable semiconductor ROM introduced». Computer History Museum. Վերցված է 2019 թ․ հունիսի 19-ին.

convertunits.com

«Computer data storage unit conversion - non-SI quantity». Արխիվացված օրիգինալից 2015 թ․ մայիսի 8-ին. Վերցված է 2015 թ․ մայիսի 20-ին.

custompcreview.com

«Samsung Launches Monster 4TB 850 EVO SSD Priced at $1,499 | Custom PC Review». Custom PC Review. 2016 թ․ հուլիսի 13. Արխիվացված օրիգինալից 2016 թ․ հոկտեմբերի 9-ին. Վերցված է 2016 թ․ հոկտեմբերի 8-ին.
«Samsung Unveils 32TB SSD Leveraging 4th Gen 64-Layer 3D V-NAND | Custom PC Review». Custom PC Review. 2016 թ․ օգոստոսի 11. Արխիվացված օրիգինալից 2016 թ․ հոկտեմբերի 9-ին. Վերցված է 2016 թ․ հոկտեմբերի 8-ին.

cypress.com

investors.cypress.com

«2011 Annual Report». Cypress Semiconductor. 2012. Արխիվացված է օրիգինալից 2019 թ․ հոկտեմբերի 16-ին. Վերցված է 2019 թ․ հոկտեմբերի 16-ին.

dailycircuitry.com

«Flash vs DRAM follow-up: chip stacking». The Daily Circuit. 2012 թ․ ապրիլի 22. Արխիվացված է օրիգինալից 2012 թ․ նոյեմբերի 24-ին. Վերցված է 2012 թ․ ապրիլի 22-ին.

dailytech.com

«DailyTech - Samsung Confirms 32nm Flash Problems, Working on New SSD Controller». dailytech.com. Արխիվացված է օրիգինալից 2016 թ․ մարտի 4-ին. Վերցված է 2009 թ․ հոկտեմբերի 3-ին.

datasheetcatalog.com

«DD28F032SA Datasheet». Intel. Վերցված է 2019 թ․ հունիսի 27-ին.

doi.org

Kim, Chulbum; Cho, Ji-Ho; Jeong, Woopyo; Park, Il-han; Park, Hyun-Wook; Kim, Doo-Hyun; Kang, Daewoon; Lee, Sunghoon; Lee, Ji-Sang; Kim, Wontae; Park, Jiyoon; Ahn, Yang-lo; Lee, Jiyoung; Lee, Jong-Hoon; Kim, Seungbum; Yoon, Hyun-Jun; Yu, Jaedoeg; Choi, Nayoung; Kwon, Yelim; Kim, Nahyun; Jang, Hwajun; Park, Jonghoon; Song, Seunghwan; Park, Yongha; Bang, Jinbae; Hong, Sangki; Jeong, Byunghoon; Kim, Hyun-Jin; Lee, Chunan; և այլք: (2017). «11.4 a 512Gb 3b/Cell 64-stacked WL 3D V-NAND flash memory». 2017 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC). էջեր 202–203. doi:10.1109/ISSCC.2017.7870331. ISBN 978-1-5090-3758-2. S2CID 206998691.
Masuoka, F.; Asano, M.; Iwahashi, H.; Komuro, T.; Tanaka, S. (1984 թ․ դեկտեմբեր). «A new flash E2PROM cell using triple polysilicon technology». 1984 International Electron Devices Meeting: 464–467. doi:10.1109/IEDM.1984.190752. S2CID 25967023.
Masuoka, F.; Momodomi, M.; Iwata, Y.; Shirota, R. (1987). «New ultra high density EPROM and flash EEPROM with NAND structure cell». Electron Devices Meeting, 1987 International. IEDM 1987. IEEE. doi:10.1109/IEDM.1987.191485.
James, Dick (2014). «3D ICs in the real world». 25th Annual SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference (ASMC 2014): 113–119. doi:10.1109/ASMC.2014.6846988. ISBN 978-1-4799-3944-2. S2CID 42565898.
Yasufuku, Tadashi; Ishida, Koichi; Miyamoto, Shinji; Nakai, Hiroto; Takamiya, Makoto; Sakurai, Takayasu; Takeuchi, Ken (2009), Proceedings of the 14th ACM/IEEE international symposium on Low power electronics and design - ISLPED '09, էջեր 87–92, doi:10.1145/1594233.1594253, ISBN 9781605586847, S2CID 6055676, Արխիվացված օրիգինալից 2016 թ․ մարտի 5-ին (abstract).
Kim, Jesung; Kim, John Min; Noh, Sam H.; Min, Sang Lyul; Cho, Yookun (2002 թ․ մայիս). «A Space-Efficient Flash Translation Layer for CompactFlash Systems». Proceedings of the IEEE. Vol. 48, no. 2. էջեր 366–375. doi:10.1109/TCE.2002.1010143.

dramexchange.com

«【Market View】Major events in the 2008 DRAM industry; End application demand remains weak, 2009 NAND Flash demand bit growth being revised down to 81%». DRAMeXchange. 2008 թ․ դեկտեմբերի 30. Վերցված է 2019 թ․ հոկտեմբերի 16-ին.

economist.com

«Not just a flash in the pan». The Economist. 2006 թ․ մարտի 11. Վերցված է 2019 թ․ սեպտեմբերի 10-ին.

eetimes.com

Zitlaw, Cliff. «The Future of NOR Flash Memory». Memory Designline. UBM Media. Վերցված է 2011 թ․ մայիսի 3-ին.
Clarke, Peter. «Samsung Confirms 24 Layers in 3D NAND». EETimes.
McGrath, Dylan (2019 թ․ փետրվարի 20). «Toshiba Claims Highest-Capacity NAND». EE Times. Վերցված է 2019 թ․ հունիսի 23-ին.

electronicproducts.com

www2.electronicproducts.com

Tal, Arie (2002 թ․ փետրվար). «NAND vs. NOR flash technology: The designer should weigh the options when using flash memory». Արխիվացված է օրիգինալից 2010 թ․ հուլիսի 28-ին. Վերցված է 2010 թ․ հուլիսի 31-ին.

electronics-notes.com

«Flash Memory Reliability, Life & Wear » Electronics Notes».

electronicsweekly.com

Manners, David (2019 թ․ հունվարի 30). «Samsung makes 1TB flash eUFS module». Electronics Weekly. Վերցված է 2019 թ․ հունիսի 23-ին.

elitepcbuilding.com

Lyth0s (2011 թ․ մարտի 17). «SSD vs. HDD». elitepcbuilding.com. Արխիվացված է օրիգինալից 2011 թ․ օգոստոսի 20-ին. Վերցված է 2011 թ․ հուլիսի 11-ին.{{cite web}}: CS1 սպաս․ թվային անուններ: authors list (link)

elnec.com

«Samsung ECC algorithm» (PDF). Samsung. 2008 թ․ հունիս. Արխիվացված (PDF) օրիգինալից 2008 թ․ հոկտեմբերի 12-ին. Վերցված է 2008 թ․ օգոստոսի 15-ին.

engadget.com

«Toshiba announces new "3D" NAND flash technology». Engadget. 2007 թ․ հունիսի 12. Վերցված է 2019 թ․ հուլիսի 10-ին.
«Toshiba's flash chips could boost SSD capacity by 500 percent». Engadget. 2018 թ․ հուլիսի 20. Վերցված է 2019 թ․ հունիսի 23-ին.

eweek.com

«NAND Flash Memory: 25 Years of Invention, Development - Data Storage - News & Reviews - eWeek.com». eweek.com. Արխիվացված է օրիգինալից 2017 թ․ ապրիլի 28-ին. Վերցված է 2022 թ․ մայիսի 19-ին.
«1987: Toshiba Launches NAND Flash». eWeek. 2012 թ․ ապրիլի 11. Վերցված է 2019 թ․ հունիսի 20-ին.

flashstorage.com

«A Flash Storage Technical and Economic Primer». FlashStorage.com. 2015 թ․ մարտի 30. Արխիվացված օրիգինալից 2015 թ․ հուլիսի 20-ին.

forbes.com

Fulford, Adel (2002 թ․ հունիսի 24). «Unsung hero». Forbes. Արխիվացված օրիգինալից 2008 թ․ մարտի 3-ին. Վերցված է 2008 թ․ մարտի 18-ին.
Handy, Jim (2014 թ․ մայիսի 26). «How Many Transistors Have Ever Shipped?». Forbes. Վերցված է 2019 թ․ հոկտեմբերի 21-ին.

gizmag.com

«Samsung moves into mass production of 3D flash memory». Gizmag.com. 2013 թ․ օգոստոսի 27. Արխիվացված օրիգինալից 2013 թ․ օգոստոսի 27-ին. Վերցված է 2013 թ․ օգոստոսի 27-ին.
Borghino, Dario (2015 թ․ մարտի 31). «3D flash technology moves forward with 10 TB SSDs and the first 48-layer memory cells». Gizmag. Արխիվացված օրիգինալից 2015 թ․ մայիսի 18-ին. Վերցված է 2015 թ․ մարտի 31-ին.

harvard.edu

adsabs.harvard.edu

Yasufuku, Tadashi; Ishida, Koichi; Miyamoto, Shinji; Nakai, Hiroto; Takamiya, Makoto; Sakurai, Takayasu; Takeuchi, Ken (2009), Proceedings of the 14th ACM/IEEE international symposium on Low power electronics and design - ISLPED '09, էջեր 87–92, doi:10.1145/1594233.1594253, ISBN 9781605586847, S2CID 6055676, Արխիվացված օրիգինալից 2016 թ․ մարտի 5-ին (abstract).

ui.adsabs.harvard.edu

Micheloni, Rino; Marelli, Alessia; Eshghi, Kam (2012), Inside Solid State Drives (SSDs), Bibcode:2013issd.book.....M, ISBN 9789400751460, Արխիվացված օրիգինալից 2017 թ․ փետրվարի 9-ին

hexus.net

m.hexus.net

«Samsung enables 1TB eUFS 2.1 smartphones - Storage - News - HEXUS.net». m.hexus.net.

howstuffworks.com

computer.howstuffworks.com

«How ROM Works». HowStuffWorks. 2000 թ․ օգոստոսի 29. Վերցված է 2019 թ․ սեպտեմբերի 10-ին.

hyperstone.com

https://www.hyperstone.com/en/Solid-State-bit-density-and-the-Flash-Memory-Controller-1235,12728.html, Solid State bit density, and the Flash Memory Controller, Retrieved 29. May 2018
https://www.hyperstone.com/en/NAND-Flash-controllers-The-key-to-endurance-and-reliability-1256,12728.html NAND Flash Controllers - The key to endurance and reliability, Retrieved 7. June 2018

ieee.org

ieeexplore.ieee.org

Hatanaka, T. and Takeuchi, K. "4-times faster rising VPASS (10V), 15% lower power VPGM (20V), wide output voltage range voltage generator system for 4-times faster 3D-integrated solid-state drives". 2011.
Takeuchi, K., "Low power 3D-integrated Solid-State Drive (SSD) with adaptive voltage generator". 2010.
Ishida, K. et al., "1.8 V Low-Transient-Energy Adaptive Program-Voltage Generator Based on Boost Converter for 3D-Integrated NAND Flash SSD". 2011.

intel.com

download.intel.com

«A chronological list of Intel products. The products are sorted by date» (PDF). Intel museum. Intel Corporation. 2005 թ․ հուլիս. Արխիվացված է օրիգինալից (PDF) 2007 թ․ օգոստոսի 9-ին. Վերցված է 2007 թ․ հուլիսի 31-ին.

jedec.org

«JEDEC SSD Specifications Explained» (PDF). p. 27.

kitguru.net

Shilov, Anton (2015 թ․ հոկտեմբերի 1). «Samsung: NAND flash industry will triple output to 253EB by 2020». KitGuru. Վերցված է 2019 թ․ հոկտեմբերի 16-ին.

koreatimes.co.kr

«Samsung to unveil new mass-storage memory cards». The Korea Times. 2012 թ․ օգոստոսի 29. Վերցված է 2019 թ․ հոկտեմբերի 16-ին.
«Hynix Surprises NAND Chip Industry». The Korea Times. 2007 թ․ սեպտեմբերի 5. Վերցված է 2019 թ․ հուլիսի 8-ին.

linkedin.com

«Toshiba's Cost Model for 3D NAND». www.linkedin.com.
Calculating the Maximum Density and Equivalent 2D Design Rule of 3D NAND Flash https://www.linkedin.com/pulse/calculating-maximum-density-equivalent-2d-design-rule-frederick-chen https://semiwiki.com/lithography/296121-calculating-the-maximum-density-and-equivalent-2d-design-rule-of-3d-nand-flash/

maltiel-consulting.com

«Memory». STOL (Semiconductor Technology Online). Արխիվացված է օրիգինալից 2023 թ․ նոյեմբերի 2-ին. Վերցված է 2019 թ․ հունիսի 25-ին.

microchip.com

ww1.microchip.com

"AVR105: Power Efficient High Endurance Parameter Storage in Flash Memory". p. 3

micron.com

https://www.micron.com/-/media/client/global/documents/products/technical-note/dram-modules/tn_04_42.pdf?rev=e5a1537ce3214de5b695f17c340fd023 Արխիվացված 2022-07-26 Wayback Machine Կաղապար:Bare URL PDF

investors.micron.com

«Micron Collaborates with Sun Microsystems to Extend Lifespan of Flash-Based Storage, Achieves One Million Write Cycles» (Press release). Micron Technology, Inc. 2008 թ․ դեկտեմբերի 17. Արխիվացված օրիգինալից 2016 թ․ մարտի 4-ին.

download.micron.com

TN-29-07: Small-Block vs. Large-Block NAND flash Devices Արխիվացված 8 Հունիս 2013 Wayback Machine Explains 512+16 and 2048+64-byte blocks

microsoft.com

«Dell, Intel And Microsoft Join Forces To Increase Adoption of NAND-Based Flash Memory in PC Platforms». REDMOND, Wash: Microsoft. 2007 թ․ մայիսի 30. Արխիվացված օրիգինալից 2014 թ․ օգոստոսի 12-ին. Վերցված է 2014 թ․ օգոստոսի 12-ին.

mt-system.ru

«Samsung e·MMC Product family» (PDF). Samsung Electronics. 2011 թ․ դեկտեմբեր. Արխիվացված է օրիգինալից (PDF) 2019 թ․ նոյեմբերի 8-ին. Վերցված է 2019 թ․ հուլիսի 15-ին.

mysqlperformanceblog.com

Vadim Tkachenko (2012 թ․ սեպտեմբերի 12). «Intel SSD 910 vs HDD RAID in tpcc-mysql benchmark». MySQL Performance Blog.

nasa.gov

trs-new.jpl.nasa.gov

A. H. Johnston, "Space Radiation Effects in Advanced Flash Memories" Արխիվացված 4 Մարտ 2016 Wayback Machine. NASA Electronic Parts and Packaging Program (NEPP). 2001. "... internal transistors used for the charge pump and erase/write control have much thicker oxides because of the requirement for high voltage. This causes flash devices to be considerably more sensitive to total dose damage compared to other ULSI technologies. It also implies that write and erase functions will be the first parameters to fail from total dose. ... Flash memories will work at much higher radiation levels in the read mode. ... The charge pumps that are required to generate the high voltage for erasing and writing are usually the most sensitive circuit functions, usually failing below 10 krad(SI)."

nbnews.info

«Sony Vaio UX UMPC – now with 32 GB Flash memory | NBnews.info. Laptop and notebook news, reviews, test, specs, price | Каталог ноутбуков, ультрабуков и планшетов, новости, обзоры». Արխիվացված է օրիգինալից 2022 թ․ հունիսի 28-ին. Վերցված է 2022 թ․ մայիսի 19-ին.

nec.co.jp

«NEC: News Release 97/10/28-01». www.nec.co.jp.

ni.com

«Understanding Life Expectancy of Flash Storage». www.ni.com (անգլերեն). 2020 թ․ հուլիսի 23. Վերցված է 2020 թ․ դեկտեմբերի 19-ին.

nikkei.com

asia.nikkei.com

«Flash memory prices rebound as makers introduce larger-capacity chips». Nikkei Asian Review. Nikkei, Inc. 2016 թ․ հուլիսի 21. Վերցված է 2019 թ․ հոկտեմբերի 16-ին.

nxp.com

AN10860 LPC313x NAND flash data and bad block management Արխիվացված 3 Մարտ 2016 Wayback Machine Explains 4096+128-byte blocks.

onfi.org

«Open NAND Flash Interface Specification» (PDF). Open NAND Flash Interface. 2006 թ․ դեկտեմբերի 28. Արխիվացված է օրիգինալից (PDF) 2011 թ․ հուլիսի 27-ին. Վերցված է 2010 թ․ հուլիսի 31-ին.
A list of ONFi members is available at «Membership - ONFi». Արխիվացված օրիգինալից 2009 թ․ օգոստոսի 29-ին. Վերցված է 2009 թ․ սեպտեմբերի 21-ին.

pcworld.com

https://www.pcworld.com/article/225370/look_out_for_the_256gb_thumb_drive_and_the_128gb_tablet.html(չաշխատող հղում); «Kingston outs the first 256GB flash drive». Արխիվացված օրիգինալից 2017 թ․ հուլիսի 8-ին. Վերցված է 2017 թ․ օգոստոսի 28-ին. 20 July 2009, Kingston DataTraveler 300 is 256 GB.

pdsw.org

Master, Neal; Andrews, Mathew; Hick, Jason; Canon, Shane; Wright, Nicholas (2010). «Performance analysis of commodity and enterprise class flash devices» (PDF). IEEE Petascale Data Storage Workshop. Արխիվացված (PDF) օրիգինալից 2016 թ․ մայիսի 6-ին.

perma-archives.org

«NAND Flash Memory: 25 Years of Invention, Development - Data Storage - News & Reviews - eWeek.com». eweek.com. Արխիվացված է օրիգինալից 2017 թ․ ապրիլի 28-ին. Վերցված է 2022 թ․ մայիսի 19-ին.

phys.org

«Taiwan engineers defeat limits of flash memory». phys.org. Արխիվացված օրիգինալից 2016 թ․ փետրվարի 9-ին.

princeton.edu

«Floating Gate MOS Memory». www.princeton.edu.

psocdeveloper.com

Basinger, Matt (2007 թ․ հունվարի 18), PSoC Designer Device Selection Guide (PDF), AN2209, Արխիվացված է օրիգինալից (PDF) 2009 թ․ հոկտեմբերի 31-ին, Վերցված է 2022 թ․ մայիսի 19-ին, «The PSoC ... utilizes a unique Flash process: SONOS» {{citation}}: More than one of |archivedate= and |archive-date= specified (օգնություն); More than one of |archiveurl= and |archive-url= specified (օգնություն)

renesas.com

documentation.renesas.com

«H8S/2357 Group, H8S/2357F-ZTATTM, H8S/2398F-ZTATTM Hardware Manual, Section 19.6.1» (PDF). Renesas. 2004 թ․ հոկտեմբեր. Վերցված է 2012 թ․ հունվարի 23-ին. «The flash memory can be reprogrammed up to 100 times.»(չաշխատող հղում)

researchgate.net

James, Dick (2014). «3D ICs in the real world». 25th Annual SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference (ASMC 2014): 113–119. doi:10.1109/ASMC.2014.6846988. ISBN 978-1-4799-3944-2. S2CID 42565898.
Tadashi Yasufuku et al., "Inductor and TSV Design of 20-V Boost Converter for Low Power 3D Solid State Drive with NAND Flash Memories" Արխիվացված 4 Փետրվար 2016 Wayback Machine. 2010.

samsung.com

«Samsung Introduces World's First 3D V-NAND Based SSD for Enterprise Applications | Samsung | Samsung Semiconductor Global Website». Samsung.com.
«Samsung V-NAND technology» (PDF). Samsung Electronics. 2014 թ․ սեպտեմբեր. Արխիվացված է օրիգինալից (PDF) 2016 թ․ մարտի 27-ին. Վերցված է 2016 թ․ մարտի 27-ին.
«Samsung 32GB USB 3.0 Flash Drive FIT MUF-32BB/AM». Արխիվացված օրիգինալից 2016 թ․ փետրվարի 3-ին. Վերցված է 2016 թ․ փետրվարի 3-ին.
«Samsung Electronics Launches the World's First PCs with NAND Flash-based Solid State Disk». Press Release. Samsung. 2006 թ․ մայիսի 24. Արխիվացված օրիգինալից 2008 թ․ դեկտեմբերի 20-ին. Վերցված է 2008 թ․ նոյեմբերի 30-ին.
«History». Samsung Electronics. Samsung. Վերցված է 2019 թ․ հունիսի 19-ին.
«Our Proud Heritage from 2000 to 2009». Samsung Semiconductor. Samsung. Վերցված է 2019 թ․ հունիսի 25-ին.

news.samsung.com

«Samsung Electronics Starts Mass Production of Industry First 3-bit 3D V-NAND Flash Memory». news.samsung.com.
«Samsung Breaks Terabyte Threshold for Smartphone Storage with Industry's First 1TB Embedded Universal Flash Storage». Samsung. 2019 թ․ հունվարի 30. Վերցված է 2019 թ․ հուլիսի 13-ին.

sandisk.com

«SanDisk Extreme PRO SDHC/SDXC UHS-I Memory Card». Արխիվացված օրիգինալից 2016 թ․ հունվարի 27-ին. Վերցված է 2016 թ․ փետրվարի 3-ին.
«SanDisk Media Center». sandisk.com. Արխիվացված օրիգինալից 2008 թ․ դեկտեմբերի 19-ին.
«SanDisk Media Center». sandisk.com. Արխիվացված օրիգինալից 2008 թ․ դեկտեմբերի 19-ին.

seekingalpha.com

Tidwell, William (2016 թ․ օգոստոսի 30). «Data 9, Storage 1 - NAND Production Falls Behind in the Age of Hyperscale». Seeking Alpha. Վերցված է 2019 թ․ հոկտեմբերի 17-ին.

semanticscholar.org

api.semanticscholar.org

Kim, Chulbum; Cho, Ji-Ho; Jeong, Woopyo; Park, Il-han; Park, Hyun-Wook; Kim, Doo-Hyun; Kang, Daewoon; Lee, Sunghoon; Lee, Ji-Sang; Kim, Wontae; Park, Jiyoon; Ahn, Yang-lo; Lee, Jiyoung; Lee, Jong-Hoon; Kim, Seungbum; Yoon, Hyun-Jun; Yu, Jaedoeg; Choi, Nayoung; Kwon, Yelim; Kim, Nahyun; Jang, Hwajun; Park, Jonghoon; Song, Seunghwan; Park, Yongha; Bang, Jinbae; Hong, Sangki; Jeong, Byunghoon; Kim, Hyun-Jin; Lee, Chunan; և այլք: (2017). «11.4 a 512Gb 3b/Cell 64-stacked WL 3D V-NAND flash memory». 2017 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC). էջեր 202–203. doi:10.1109/ISSCC.2017.7870331. ISBN 978-1-5090-3758-2. S2CID 206998691.
Masuoka, F.; Asano, M.; Iwahashi, H.; Komuro, T.; Tanaka, S. (1984 թ․ դեկտեմբեր). «A new flash E2PROM cell using triple polysilicon technology». 1984 International Electron Devices Meeting: 464–467. doi:10.1109/IEDM.1984.190752. S2CID 25967023.
James, Dick (2014). «3D ICs in the real world». 25th Annual SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference (ASMC 2014): 113–119. doi:10.1109/ASMC.2014.6846988. ISBN 978-1-4799-3944-2. S2CID 42565898.
Yasufuku, Tadashi; Ishida, Koichi; Miyamoto, Shinji; Nakai, Hiroto; Takamiya, Makoto; Sakurai, Takayasu; Takeuchi, Ken (2009), Proceedings of the 14th ACM/IEEE international symposium on Low power electronics and design - ISLPED '09, էջեր 87–92, doi:10.1145/1594233.1594253, ISBN 9781605586847, S2CID 6055676, Արխիվացված օրիգինալից 2016 թ․ մարտի 5-ին (abstract).

semiwiki.com

Calculating the Maximum Density and Equivalent 2D Design Rule of 3D NAND Flash https://www.linkedin.com/pulse/calculating-maximum-density-equivalent-2d-design-rule-frederick-chen https://semiwiki.com/lithography/296121-calculating-the-maximum-density-and-equivalent-2d-design-rule-of-3d-nand-flash/

si.edu

smithsonianchips.si.edu

«The Flash Memory Market» (PDF). Integrated Circuit Engineering Corporation. Smithsonian Institution. 1997. էջ 4. Վերցված է 2019 թ․ հոկտեմբերի 16-ին.
«Japanese Company Profiles» (PDF). Smithsonian Institution. 1996. Վերցված է 2019 թ․ հունիսի 27-ին.
«WORLDWIDE IC MANUFACTURERS» (PDF). Smithsonian Institution. 1997. Վերցված է 2019 թ․ հուլիսի 10-ին.

skhynix.com

«History: 2010s». SK Hynix. Արխիվացված է օրիգինալից 2021 թ․ մայիսի 17-ին. Վերցված է 2019 թ․ հուլիսի 8-ին.

slashgear.com

«SanDisk ships world's first memory cards with 64 gigabit X4 NAND flash». SlashGear. 2009 թ․ հոկտեմբերի 13. Վերցված է 2019 թ․ հունիսի 20-ին.

slideshare.net

Matsunobu, Yoshinori. "SSD Deployment Strategies for MySQL." Արխիվացված 3 Մարտ 2016 Wayback Machine Sun Microsystems, 15 April 2010.

snia.org

Jonathan Thatcher, Fusion-io; Tom Coughlin, Coughlin Associates; Jim Handy, Objective-Analysis; Neal Ekker, Texas Memory Systems (2009 թ․ ապրիլ). «NAND Flash Solid State Storage for the Enterprise, An In-depth Look at Reliability» (PDF). Solid State Storage Initiative (SSSI) of the Storage Network Industry Association (SNIA). Արխիվացված (PDF) օրիգինալից 2011 թ․ հոկտեմբերի 14-ին. Վերցված է 2011 թ․ դեկտեմբերի 6-ին. {{cite journal}}: Cite journal requires |journal= (օգնություն)CS1 սպաս․ բազմաթիվ անուններ: authors list (link)
Thatcher, Jonathan (2009 թ․ օգոստոսի 18). «NAND Flash Solid State Storage Performance and Capability – an In-depth Look» (PDF). SNIA. Արխիվացված (PDF) օրիգինալից 2012 թ․ սեպտեմբերի 7-ին. Վերցված է 2012 թ․ օգոստոսի 28-ին.

softpedia.com

news.softpedia.com

«Samsung's SSD Notebook». Արխիվացված է օրիգինալից 2018 թ․ հոկտեմբերի 15-ին. Վերցված է 2022 թ․ մայիսի 19-ին.

sony.jp

«文庫本サイズのVAIO「type U」フラッシュメモリー搭載モデル発売». Sony.jp (ճապոներեն).

spansion.com

«AMD DL160 and DL320 Series Flash: New Densities, New Features» (PDF). AMD. 2003 թ․ հուլիս. Արխիվացված (PDF) օրիգինալից 2015 թ․ սեպտեմբերի 24-ին. Վերցված է 2014 թ․ նոյեմբերի 13-ին. «The devices offer single-power-supply operation (2.7 V to 3.6 V), sector architecture, Embedded Algorithms, high performance, and a 1,000,000 program/erase cycle endurance guarantee.»
Richard Blish. "Dose Minimization During X-ray Inspection of Surface-Mounted Flash ICs" Արխիվացված 20 Փետրվար 2016 Wayback Machine. p. 1.
Richard Blish. "Impact of X-Ray Inspection on Spansion Flash Memory" Արխիվացված 4 Մարտ 2016 Wayback Machine
Spansion. "What Types of ECC Should Be Used on Flash Memory?" Արխիվացված 4 Մարտ 2016 Wayback Machine. 2011.

springer.com

link.springer.com

Micheloni, Rino; Crippa, Luca (2010), Inside NAND Flash Memories, ISBN 9789048194315, Արխիվացված օրիգինալից 2017 թ․ փետրվարի 9-ին In particular, pp 515-536: K. Takeuchi. "Low power 3D-integrated SSD"

storagesearch.com

«Flash Solid State Disks – Inferior Technology or Closet Superstar?». STORAGEsearch. Արխիվացված օրիգինալից 2008 թ․ դեկտեմբերի 24-ին. Վերցված է 2008 թ․ նոյեմբերի 30-ին.

techcrunch.com

https://www.pcworld.com/article/225370/look_out_for_the_256gb_thumb_drive_and_the_128gb_tablet.html(չաշխատող հղում); «Kingston outs the first 256GB flash drive». Արխիվացված օրիգինալից 2017 թ․ հուլիսի 8-ին. Վերցված է 2017 թ․ օգոստոսի 28-ին. 20 July 2009, Kingston DataTraveler 300 is 256 GB.

techinsights.com

«Technology Roadmap for NAND Flash Memory». techinsights. 2013 թ․ ապրիլ. Արխիվացված է օրիգինալից 2015 թ․ հունվարի 9-ին. Վերցված է 2015 թ․ հունվարի 9-ին.
«Technology Roadmap for NAND Flash Memory». techinsights. 2014 թ․ ապրիլ. Արխիվացված է օրիգինալից 2015 թ․ հունվարի 9-ին. Վերցված է 2015 թ․ հունվարի 9-ին.
«NAND Flash Memory Roadmap» (PDF). TechInsights. 2016 թ․ հունիս. Արխիվացված է օրիգինալից (PDF) 2018 թ․ հունիսի 25-ին. Վերցված է 2018 թ․ հունիսի 25-ին.

techpowerup.com

«Toshiba Develops World's First 4-bit Per Cell QLC NAND Flash Memory». TechPowerUp. 2017 թ․ հունիսի 28. Վերցված է 2019 թ․ հունիսի 20-ին.

techspot.com

«Samsung said to be developing industry's first 160-layer NAND flash memory chip». TechSpot.

techtarget.com

whatis.techtarget.com

«What is serial presence detect (SPD)? - Definition from WhatIs.com». WhatIs.com.

tgc.com

«DSstar: TOSHIBA ANNOUNCES 0.13 MICRON 1GB MONOLITHIC NAND». Tgc.com. 2002 թ․ ապրիլի 23. Արխիվացված է օրիգինալից 2012 թ․ դեկտեմբերի 27-ին. Վերցված է 2013 թ․ օգոստոսի 27-ին.

tgdaily.com

Gruener, Wolfgang (2006 թ․ սեպտեմբերի 11). «Samsung announces 40 nm Flash, predicts 20 nm devices». TG Daily. Արխիվացված է օրիգինալից 2008 թ․ մարտի 23-ին. Վերցված է 2008 թ․ նոյեմբերի 30-ին.

theregister.co.uk

«Flash memory made immortal by fiery heat». theregister.co.uk. Արխիվացված օրիգինալից 2017 թ․ սեպտեմբերի 13-ին.

tomshardware.co.uk

«Samsung Mass Producing 128Gb 3-bit MLC NAND Flash». Tom's Hardware. 2013 թ․ ապրիլի 11. Արխիվացված է օրիգինալից 2019 թ․ հունիսի 21-ին. Վերցված է 2019 թ․ հունիսի 21-ին.

tomshardware.com

Douglas Perry (2012) Princeton: Replacing RAM with Flash Can Save Massive Power.

toshiba.co.jp

«Toshiba : News Release (31 Aug, 2010): Toshiba launches 24nm process NAND flash memory». Toshiba.co.jp.
«Toshiba to Introduce Flash Memory Cards». Toshiba. 1995 թ․ մարտի 2. Վերցված է 2019 թ․ հունիսի 20-ին.
«TOSHIBA AND SANDISK INTRODUCE A ONE GIGABIT NAND FLASH MEMORY CHIP, DOUBLING CAPACITY OF FUTURE FLASH PRODUCTS». Toshiba. 2001 թ․ նոյեմբերի 12. Վերցված է 2019 թ․ հունիսի 20-ին.
«Toshiba Launches the Largest Density Embedded NAND Flash Memory Devices». Toshiba. 2008 թ․ օգոստոսի 7. Վերցված է 2019 թ․ հունիսի 21-ին.
«Toshiba Makes Major Advances in NAND Flash Memory with 3-bit-per-cell 32nm generation and with 4-bit-per-cell 43nm technology». Toshiba. 2009 թ․ փետրվարի 11. Վերցված է 2019 թ․ հունիսի 21-ին.
«Toshiba Launches Industry's Largest Embedded NAND Flash Memory Modules». Toshiba. 2010 թ․ հունիսի 17. Վերցված է 2019 թ․ հունիսի 21-ին.

toshiba.com

«Toshiba Introduces Double Data Rate Toggle Mode NAND in MLC And SLC Configurations». toshiba.com. Արխիվացված օրիգինալից 2015 թ․ դեկտեմբերի 25-ին.
«TOSHIBA ANNOUNCES 0.13 MICRON 1Gb MONOLITHIC NAND FEATURING LARGE BLOCK SIZE FOR IMPROVED WRITE/ERASE SPEED PERFORMANCE». Toshiba. 2002 թ․ սեպտեմբերի 9. Արխիվացված է օրիգինալից 2006 թ․ մարտի 11-ին. Վերցված է 2006 թ․ մարտի 11-ին.
«TOSHIBA ANNOUNCES 1 GIGABYTE COMPACTFLASH™CARD». Toshiba. 2002 թ․ սեպտեմբերի 9. Արխիվացված է օրիգինալից 2006 թ․ մարտի 11-ին. Վերցված է 2006 թ․ մարտի 11-ին.
«TOSHIBA COMMERCIALIZES INDUSTRY'S HIGHEST CAPACITY EMBEDDED NAND FLASH MEMORY FOR MOBILE CONSUMER PRODUCTS». Toshiba. 2007 թ․ ապրիլի 17. Արխիվացված է օրիգինալից 2010 թ․ նոյեմբերի 23-ին. Վերցված է 2010 թ․ նոյեմբերի 23-ին.

flash25.toshiba.com

«Toshiba: Inventor of Flash Memory». Toshiba. Արխիվացված է օրիգինալից 2019 թ․ հունիսի 20-ին. Վերցված է 2019 թ․ հունիսի 20-ին.

tuwien.ac.at

iue.tuwien.ac.at

«2.1.1 Flash Memory». www.iue.tuwien.ac.at.

web.archive.org

«A Flash Storage Technical and Economic Primer». FlashStorage.com. 2015 թ․ մարտի 30. Արխիվացված օրիգինալից 2015 թ․ հուլիսի 20-ին.
https://www.micron.com/-/media/client/global/documents/products/technical-note/dram-modules/tn_04_42.pdf?rev=e5a1537ce3214de5b695f17c340fd023 Արխիվացված 2022-07-26 Wayback Machine Կաղապար:Bare URL PDF
Fulford, Adel (2002 թ․ հունիսի 24). «Unsung hero». Forbes. Արխիվացված օրիգինալից 2008 թ․ մարտի 3-ին. Վերցված է 2008 թ․ մարտի 18-ին.
«Toshiba: Inventor of Flash Memory». Toshiba. Արխիվացված է օրիգինալից 2019 թ․ հունիսի 20-ին. Վերցված է 2019 թ․ հունիսի 20-ին.
Tal, Arie (2002 թ․ փետրվար). «NAND vs. NOR flash technology: The designer should weigh the options when using flash memory». Արխիվացված է օրիգինալից 2010 թ․ հուլիսի 28-ին. Վերցված է 2010 թ․ հուլիսի 31-ին.
«AMD DL160 and DL320 Series Flash: New Densities, New Features» (PDF). AMD. 2003 թ․ հուլիս. Արխիվացված (PDF) օրիգինալից 2015 թ․ սեպտեմբերի 24-ին. Վերցված է 2014 թ․ նոյեմբերի 13-ին. «The devices offer single-power-supply operation (2.7 V to 3.6 V), sector architecture, Embedded Algorithms, high performance, and a 1,000,000 program/erase cycle endurance guarantee.»
Basinger, Matt (2007 թ․ հունվարի 18), PSoC Designer Device Selection Guide (PDF), AN2209, Արխիվացված է օրիգինալից (PDF) 2009 թ․ հոկտեմբերի 31-ին, Վերցված է 2022 թ․ մայիսի 19-ին, «The PSoC ... utilizes a unique Flash process: SONOS» {{citation}}: More than one of |archivedate= and |archive-date= specified (օգնություն); More than one of |archiveurl= and |archive-url= specified (օգնություն)
Yasufuku, Tadashi; Ishida, Koichi; Miyamoto, Shinji; Nakai, Hiroto; Takamiya, Makoto; Sakurai, Takayasu; Takeuchi, Ken (2009), Proceedings of the 14th ACM/IEEE international symposium on Low power electronics and design - ISLPED '09, էջեր 87–92, doi:10.1145/1594233.1594253, ISBN 9781605586847, S2CID 6055676, Արխիվացված օրիգինալից 2016 թ․ մարտի 5-ին (abstract).
Micheloni, Rino; Marelli, Alessia; Eshghi, Kam (2012), Inside Solid State Drives (SSDs), Bibcode:2013issd.book.....M, ISBN 9789400751460, Արխիվացված օրիգինալից 2017 թ․ փետրվարի 9-ին
Micheloni, Rino; Crippa, Luca (2010), Inside NAND Flash Memories, ISBN 9789048194315, Արխիվացված օրիգինալից 2017 թ․ փետրվարի 9-ին In particular, pp 515-536: K. Takeuchi. "Low power 3D-integrated SSD"
Mozel, Tracey (2009), CMOSET Fall 2009 Circuits and Memories Track Presentation Slides, ISBN 9781927500217, Արխիվացված օրիգինալից 2017 թ․ փետրվարի 9-ին
Tadashi Yasufuku et al., "Inductor and TSV Design of 20-V Boost Converter for Low Power 3D Solid State Drive with NAND Flash Memories" Արխիվացված 4 Փետրվար 2016 Wayback Machine. 2010.
A. H. Johnston, "Space Radiation Effects in Advanced Flash Memories" Արխիվացված 4 Մարտ 2016 Wayback Machine. NASA Electronic Parts and Packaging Program (NEPP). 2001. "... internal transistors used for the charge pump and erase/write control have much thicker oxides because of the requirement for high voltage. This causes flash devices to be considerably more sensitive to total dose damage compared to other ULSI technologies. It also implies that write and erase functions will be the first parameters to fail from total dose. ... Flash memories will work at much higher radiation levels in the read mode. ... The charge pumps that are required to generate the high voltage for erasing and writing are usually the most sensitive circuit functions, usually failing below 10 krad(SI)."
«Samsung moves into mass production of 3D flash memory». Gizmag.com. 2013 թ․ օգոստոսի 27. Արխիվացված օրիգինալից 2013 թ․ օգոստոսի 27-ին. Վերցված է 2013 թ․ օգոստոսի 27-ին.
«Samsung V-NAND technology» (PDF). Samsung Electronics. 2014 թ․ սեպտեմբեր. Արխիվացված է օրիգինալից (PDF) 2016 թ․ մարտի 27-ին. Վերցված է 2016 թ․ մարտի 27-ին.
Jonathan Thatcher, Fusion-io; Tom Coughlin, Coughlin Associates; Jim Handy, Objective-Analysis; Neal Ekker, Texas Memory Systems (2009 թ․ ապրիլ). «NAND Flash Solid State Storage for the Enterprise, An In-depth Look at Reliability» (PDF). Solid State Storage Initiative (SSSI) of the Storage Network Industry Association (SNIA). Արխիվացված (PDF) օրիգինալից 2011 թ․ հոկտեմբերի 14-ին. Վերցված է 2011 թ․ դեկտեմբերի 6-ին. {{cite journal}}: Cite journal requires |journal= (օգնություն)CS1 սպաս․ բազմաթիվ անուններ: authors list (link)
«Micron Collaborates with Sun Microsystems to Extend Lifespan of Flash-Based Storage, Achieves One Million Write Cycles» (Press release). Micron Technology, Inc. 2008 թ․ դեկտեմբերի 17. Արխիվացված օրիգինալից 2016 թ․ մարտի 4-ին.
«Taiwan engineers defeat limits of flash memory». phys.org. Արխիվացված օրիգինալից 2016 թ․ փետրվարի 9-ին.
«Flash memory made immortal by fiery heat». theregister.co.uk. Արխիվացված օրիգինալից 2017 թ․ սեպտեմբերի 13-ին.
«Flash memory breakthrough could lead to even more reliable data storage». news.yahoo.com. Արխիվացված է օրիգինալից 2012 թ․ դեկտեմբերի 21-ին.
Richard Blish. "Dose Minimization During X-ray Inspection of Surface-Mounted Flash ICs" Արխիվացված 20 Փետրվար 2016 Wayback Machine. p. 1.
Richard Blish. "Impact of X-Ray Inspection on Spansion Flash Memory" Արխիվացված 4 Մարտ 2016 Wayback Machine
«SanDisk Extreme PRO SDHC/SDXC UHS-I Memory Card». Արխիվացված օրիգինալից 2016 թ․ հունվարի 27-ին. Վերցված է 2016 թ․ փետրվարի 3-ին.
«Samsung 32GB USB 3.0 Flash Drive FIT MUF-32BB/AM». Արխիվացված օրիգինալից 2016 թ․ փետրվարի 3-ին. Վերցված է 2016 թ․ փետրվարի 3-ին.
Spansion. "What Types of ECC Should Be Used on Flash Memory?" Արխիվացված 4 Մարտ 2016 Wayback Machine. 2011.
«DSstar: TOSHIBA ANNOUNCES 0.13 MICRON 1GB MONOLITHIC NAND». Tgc.com. 2002 թ․ ապրիլի 23. Արխիվացված է օրիգինալից 2012 թ․ դեկտեմբերի 27-ին. Վերցված է 2013 թ․ օգոստոսի 27-ին.
TN-29-07: Small-Block vs. Large-Block NAND flash Devices Արխիվացված 8 Հունիս 2013 Wayback Machine Explains 512+16 and 2048+64-byte blocks
AN10860 LPC313x NAND flash data and bad block management Արխիվացված 3 Մարտ 2016 Wayback Machine Explains 4096+128-byte blocks.
Thatcher, Jonathan (2009 թ․ օգոստոսի 18). «NAND Flash Solid State Storage Performance and Capability – an In-depth Look» (PDF). SNIA. Արխիվացված (PDF) օրիգինալից 2012 թ․ սեպտեմբերի 7-ին. Վերցված է 2012 թ․ օգոստոսի 28-ին.
«Samsung ECC algorithm» (PDF). Samsung. 2008 թ․ հունիս. Արխիվացված (PDF) օրիգինալից 2008 թ․ հոկտեմբերի 12-ին. Վերցված է 2008 թ․ օգոստոսի 15-ին.
«Open NAND Flash Interface Specification» (PDF). Open NAND Flash Interface. 2006 թ․ դեկտեմբերի 28. Արխիվացված է օրիգինալից (PDF) 2011 թ․ հուլիսի 27-ին. Վերցված է 2010 թ․ հուլիսի 31-ին.
A list of ONFi members is available at «Membership - ONFi». Արխիվացված օրիգինալից 2009 թ․ օգոստոսի 29-ին. Վերցված է 2009 թ․ սեպտեմբերի 21-ին.
«Toshiba Introduces Double Data Rate Toggle Mode NAND in MLC And SLC Configurations». toshiba.com. Արխիվացված օրիգինալից 2015 թ․ դեկտեմբերի 25-ին.
«Dell, Intel And Microsoft Join Forces To Increase Adoption of NAND-Based Flash Memory in PC Platforms». REDMOND, Wash: Microsoft. 2007 թ․ մայիսի 30. Արխիվացված օրիգինալից 2014 թ․ օգոստոսի 12-ին. Վերցված է 2014 թ․ օգոստոսի 12-ին.
«Flash vs DRAM follow-up: chip stacking». The Daily Circuit. 2012 թ․ ապրիլի 22. Արխիվացված է օրիգինալից 2012 թ․ նոյեմբերի 24-ին. Վերցված է 2012 թ․ ապրիլի 22-ին.
«Computer data storage unit conversion - non-SI quantity». Արխիվացված օրիգինալից 2015 թ․ մայիսի 8-ին. Վերցված է 2015 թ․ մայիսի 20-ին.
Shilov, Anton (2005 թ․ սեպտեմբերի 12). «Samsung Unveils 2GB Flash Memory Chip». X-bit labs. Արխիվացված է օրիգինալից 2008 թ․ դեկտեմբերի 24-ին. Վերցված է 2008 թ․ նոյեմբերի 30-ին.
Gruener, Wolfgang (2006 թ․ սեպտեմբերի 11). «Samsung announces 40 nm Flash, predicts 20 nm devices». TG Daily. Արխիվացված է օրիգինալից 2008 թ․ մարտի 23-ին. Վերցված է 2008 թ․ նոյեմբերի 30-ին.
«SanDisk Media Center». sandisk.com. Արխիվացված օրիգինալից 2008 թ․ դեկտեմբերի 19-ին.
«SanDisk Media Center». sandisk.com. Արխիվացված օրիգինալից 2008 թ․ դեկտեմբերի 19-ին.
https://www.pcworld.com/article/225370/look_out_for_the_256gb_thumb_drive_and_the_128gb_tablet.html(չաշխատող հղում); «Kingston outs the first 256GB flash drive». Արխիվացված օրիգինալից 2017 թ․ հուլիսի 8-ին. Վերցված է 2017 թ․ օգոստոսի 28-ին. 20 July 2009, Kingston DataTraveler 300 is 256 GB.
Borghino, Dario (2015 թ․ մարտի 31). «3D flash technology moves forward with 10 TB SSDs and the first 48-layer memory cells». Gizmag. Արխիվացված օրիգինալից 2015 թ․ մայիսի 18-ին. Վերցված է 2015 թ․ մարտի 31-ին.
«Samsung Launches Monster 4TB 850 EVO SSD Priced at $1,499 | Custom PC Review». Custom PC Review. 2016 թ․ հուլիսի 13. Արխիվացված օրիգինալից 2016 թ․ հոկտեմբերի 9-ին. Վերցված է 2016 թ․ հոկտեմբերի 8-ին.
«Samsung Unveils 32TB SSD Leveraging 4th Gen 64-Layer 3D V-NAND | Custom PC Review». Custom PC Review. 2016 թ․ օգոստոսի 11. Արխիվացված օրիգինալից 2016 թ․ հոկտեմբերի 9-ին. Վերցված է 2016 թ․ հոկտեմբերի 8-ին.
Master, Neal; Andrews, Mathew; Hick, Jason; Canon, Shane; Wright, Nicholas (2010). «Performance analysis of commodity and enterprise class flash devices» (PDF). IEEE Petascale Data Storage Workshop. Արխիվացված (PDF) օրիգինալից 2016 թ․ մայիսի 6-ին.
«DailyTech - Samsung Confirms 32nm Flash Problems, Working on New SSD Controller». dailytech.com. Արխիվացված է օրիգինալից 2016 թ․ մարտի 4-ին. Վերցված է 2009 թ․ հոկտեմբերի 3-ին.
Lyth0s (2011 թ․ մարտի 17). «SSD vs. HDD». elitepcbuilding.com. Արխիվացված է օրիգինալից 2011 թ․ օգոստոսի 20-ին. Վերցված է 2011 թ․ հուլիսի 11-ին.{{cite web}}: CS1 սպաս․ թվային անուններ: authors list (link)
«Flash Solid State Disks – Inferior Technology or Closet Superstar?». STORAGEsearch. Արխիվացված օրիգինալից 2008 թ․ դեկտեմբերի 24-ին. Վերցված է 2008 թ․ նոյեմբերի 30-ին.
Matsunobu, Yoshinori. "SSD Deployment Strategies for MySQL." Արխիվացված 3 Մարտ 2016 Wayback Machine Sun Microsystems, 15 April 2010.
«Samsung Electronics Launches the World's First PCs with NAND Flash-based Solid State Disk». Press Release. Samsung. 2006 թ․ մայիսի 24. Արխիվացված օրիգինալից 2008 թ․ դեկտեմբերի 20-ին. Վերցված է 2008 թ․ նոյեմբերի 30-ին.
«Samsung's SSD Notebook». Արխիվացված է օրիգինալից 2018 թ․ հոկտեմբերի 15-ին. Վերցված է 2022 թ․ մայիսի 19-ին.
«Sony Vaio UX UMPC – now with 32 GB Flash memory | NBnews.info. Laptop and notebook news, reviews, test, specs, price | Каталог ноутбуков, ультрабуков и планшетов, новости, обзоры». Արխիվացված է օրիգինալից 2022 թ․ հունիսի 28-ին. Վերցված է 2022 թ․ մայիսի 19-ին.
«8-Bit AVR Microcontroller ATmega32A Datasheet Complete» (PDF). 2016 թ․ փետրվարի 19. էջ 18. Արխիվացված է օրիգինալից (PDF) 2016 թ․ ապրիլի 9-ին. Վերցված է 2016 թ․ մայիսի 29-ին. «Reliability Qualification results show that the projected data retention failure rate is much less than 1 PPM over 20 years at 85 °C or 100 years at 25 °C»
«Data Retention in MLC NAND Flash Memory: Characterization, Optimization, and Recovery» (PDF). 2015 թ․ հունվարի 27. էջ 10. Արխիվացված (PDF) օրիգինալից 2016 թ․ հոկտեմբերի 7-ին. Վերցված է 2016 թ․ ապրիլի 27-ին.
«2011 Annual Report». Cypress Semiconductor. 2012. Արխիվացված է օրիգինալից 2019 թ․ հոկտեմբերի 16-ին. Վերցված է 2019 թ․ հոկտեմբերի 16-ին.
«Technology Roadmap for NAND Flash Memory». techinsights. 2013 թ․ ապրիլ. Արխիվացված է օրիգինալից 2015 թ․ հունվարի 9-ին. Վերցված է 2015 թ․ հունվարի 9-ին.
«Technology Roadmap for NAND Flash Memory». techinsights. 2014 թ․ ապրիլ. Արխիվացված է օրիգինալից 2015 թ․ հունվարի 9-ին. Վերցված է 2015 թ․ հունվարի 9-ին.
«NAND Flash Memory Roadmap» (PDF). TechInsights. 2016 թ․ հունիս. Արխիվացված է օրիգինալից (PDF) 2018 թ․ հունիսի 25-ին. Վերցված է 2018 թ․ հունիսի 25-ին.
«Samsung Mass Producing 128Gb 3-bit MLC NAND Flash». Tom's Hardware. 2013 թ․ ապրիլի 11. Արխիվացված է օրիգինալից 2019 թ․ հունիսի 21-ին. Վերցված է 2019 թ․ հունիսի 21-ին.
«Memory». STOL (Semiconductor Technology Online). Արխիվացված է օրիգինալից 2023 թ․ նոյեմբերի 2-ին. Վերցված է 2019 թ․ հունիսի 25-ին.
«A chronological list of Intel products. The products are sorted by date» (PDF). Intel museum. Intel Corporation. 2005 թ․ հուլիս. Արխիվացված է օրիգինալից (PDF) 2007 թ․ օգոստոսի 9-ին. Վերցված է 2007 թ․ հուլիսի 31-ին.
«TOSHIBA ANNOUNCES 0.13 MICRON 1Gb MONOLITHIC NAND FEATURING LARGE BLOCK SIZE FOR IMPROVED WRITE/ERASE SPEED PERFORMANCE». Toshiba. 2002 թ․ սեպտեմբերի 9. Արխիվացված է օրիգինալից 2006 թ․ մարտի 11-ին. Վերցված է 2006 թ․ մարտի 11-ին.
«TOSHIBA ANNOUNCES 1 GIGABYTE COMPACTFLASH™CARD». Toshiba. 2002 թ․ սեպտեմբերի 9. Արխիվացված է օրիգինալից 2006 թ․ մարտի 11-ին. Վերցված է 2006 թ․ մարտի 11-ին.
«TOSHIBA COMMERCIALIZES INDUSTRY'S HIGHEST CAPACITY EMBEDDED NAND FLASH MEMORY FOR MOBILE CONSUMER PRODUCTS». Toshiba. 2007 թ․ ապրիլի 17. Արխիվացված է օրիգինալից 2010 թ․ նոյեմբերի 23-ին. Վերցված է 2010 թ․ նոյեմբերի 23-ին.
«History: 2010s». SK Hynix. Արխիվացված է օրիգինալից 2021 թ․ մայիսի 17-ին. Վերցված է 2019 թ․ հուլիսի 8-ին.
«Samsung e·MMC Product family» (PDF). Samsung Electronics. 2011 թ․ դեկտեմբեր. Արխիվացված է օրիգինալից (PDF) 2019 թ․ նոյեմբերի 8-ին. Վերցված է 2019 թ․ հուլիսի 15-ին.

xbitlabs.com

Shilov, Anton (2005 թ․ սեպտեմբերի 12). «Samsung Unveils 2GB Flash Memory Chip». X-bit labs. Արխիվացված է օրիգինալից 2008 թ․ դեկտեմբերի 24-ին. Վերցված է 2008 թ․ նոյեմբերի 30-ին.

yahoo.com

news.yahoo.com

«Flash memory breakthrough could lead to even more reliable data storage». news.yahoo.com. Արխիվացված է օրիգինալից 2012 թ․ դեկտեմբերի 21-ին.

zdnet.com

Mu-Hyun, Cho. «Samsung produces 1TB eUFS memory for smartphones». ZDNet.