TO-3 (Italian Wikipedia)

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TO-66, Central Semiconductor (EN) TO-66, Central Semiconductor (PDF), su centralsemi.com, Central Semiconductor Corp., 17 luglio 2008, 2. URL consultato il 5 agosto 2009.

TO sta per Transistor Outline. Vedi: JEDEC Publication No. 95, Index by device type, pag. 2. (EN) JEDEC Publication No. 95, Index by device type (PDF), su jedec.org, JEDEC, giugno 2008, 6. URL consultato il 4 agosto 2006.
TO sta per Transistor Outline. Vedi: JEDEC Publication No. 95, Index by device type, pag. 2. (EN) JEDEC Publication No. 95, Index by device type (PDF), su jedec.org, JEDEC, giugno 2008, 6. URL consultato il 4 agosto 2006.
Il nome ufficiale indicato dallo standard JEDEC sarebbe TO-204-AA. Questo nome compare infatti nella letteratura tecnica accanto a TO-3.
Vedi ad esempio JEDEC Publication No. 95, Index by device type, pag. 2 (EN) JEDEC Publication No. 95, Index by device type (PDF), su jedec.org, JEDEC, giugno 2008, 6. URL consultato il 4 agosto 2006.
JEDEC Publication No. 95, Transistor outlines, pag. 1. (EN) JEDEC Publication No. 95 Transistor outlines (PDF), su jedec.org, JEDEC, giugno 2008, 3. URL consultato il 4 settembre 2009.
In inglese diamond base. Non ci si riferisce al diamante ma alla figura geometrica del rombo: la base ha infatti forma romboidale.
Vedi JEDEC Publication No. 95, Index by device type, pag. 2 (EN) JEDEC Publication No. 95, Index by device type (PDF), su jedec.org, JEDEC, giugno 2008, 6. URL consultato il 4 agosto 2006.
TO-66, JEDEC (EN) TO-66, JEDEC (PDF), su jedec.org, JEDEC, 1. URL consultato il 5 agosto 2009.

In inglese metal can, letteralmente barattolo metallico. Sia il TO-3 che altri contenitori con una parte metallica cilindrica sono chiamati metal can package.
Vedi ad esempio nel riferimento: LM340/LM78XX Series, National Semiconductor, pag. 13, dove compaiono sia il TO-3 che il package TO-39 ed entrambi sono chiamati Metal Can Package. (EN) LM340/LM78XX Series, National Semiconductor (PDF), su web.mit.edu, National Semiconductor, novembre 2002, 17. URL consultato il 4 agosto 2009.
LM340/LM78XX Series, National Semiconductor, pag. 13. (EN) LM340/LM78XX Series, National Semiconductor (PDF), su web.mit.edu, National Semiconductor, novembre 2002, 17. URL consultato il 4 agosto 2009.

Esempio di componente con potenza dissipabile massima di 300 W (Total Power Dissipation @ T_C = 25 °C): MJ11028 datasheet, pag. 1 (EN) MJ11028 datasheet (PDF), su onsemi.com, On Semiconductor, settembre 2008, 4. URL consultato il 4 agosto 2009.

Ad esempio lo stesso circuito integrato LM317 montato oltre che nel TO-3 anche nei contenitori TO-220 e D2PAK presenta una resistenza termica simile. Vedi la voce Thermal resistance junction-case nel datasheet: LM317, pag. 4 (EN) LM317 (PDF), su st.com, ST, febbraio 2008, 25. URL consultato il 5 agosto 2009.
Con la potenza dichiarata di 300 W nelle condizioni indicate sono prodotti dispositivi anche in TO-220 e D2PAK. Vedi Mosfet STB80PF55, pag. 3 (EN) Mosfet STB80PF55 (PDF), su st.com, ST, settembre 2006, 13. URL consultato il 5 agosto 2009.

Metal Can Packages, pag. 3. (EN) Metal Can Packages (PDF), su ronja.twibright.com, National Semiconductor, agosto 1999, 19. URL consultato il 4 agosto 2009.
Vedi Metal Can Packages, pagg. 4-6 (EN) Metal Can Packages (PDF), su ronja.twibright.com, National Semiconductor, agosto 1999, 19. URL consultato il 4 agosto 2009.