ReRAM (Portuguese Wikipedia)
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doi.org
dx.doi.org
- Hong, XiaoLiang; Loy, Desmond JiaJun; Dananjaya, Putu Andhita; Tan, Funan; Ng, CheeMang; Lew, WenSiang (junho de 2018). «Oxide-based RRAM materials for neuromorphic computing». Journal of Materials Science (em inglês) (12): 8720–8746. ISSN 0022-2461. doi:10.1007/s10853-018-2134-6. Consultado em 1 de dezembro de 2021
- Zahoor, Furqan; Azni Zulkifli, Tun Zainal; Khanday, Farooq Ahmad (22 de abril de 2020). «Resistive Random Access Memory (RRAM): an Overview of Materials, Switching Mechanism, Performance, Multilevel Cell (mlc) Storage, Modeling, and Applications». Nanoscale Research Letters (1). 90 páginas. ISSN 1556-276X. PMC 7176808
. PMID 32323059. doi:10.1186/s11671-020-03299-9. Consultado em 24 de novembro de 2021
doi.org
- Zahoor, Furqan; Azni Zulkifli, Tun Zainal; Khanday, Farooq Ahmad (22 de abril de 2020). «Resistive Random Access Memory (RRAM): an Overview of Materials, Switching Mechanism, Performance, Multilevel Cell (mlc) Storage, Modeling, and Applications». Nanoscale Research Letters (1). 90 páginas. ISSN 1556-276X. PMC 7176808. PMID 32323059. doi:10.1186/s11671-020-03299-9. Consultado em 24 de novembro de 2021
hp.com
- «HP Collaborates with Hynix to Bring the Memristor to Market in Next-generation Memory». HP (em inglês). Consultado em 10 de dezembro de 2022 [ligação inativa]
memristor.org
- «What are memristors?». Memristor (em inglês). 2 de maio de 2008. Consultado em 10 de dezembro de 2022
nih.gov
ncbi.nlm.nih.gov
- Zahoor, Furqan; Azni Zulkifli, Tun Zainal; Khanday, Farooq Ahmad (22 de abril de 2020). «Resistive Random Access Memory (RRAM): an Overview of Materials, Switching Mechanism, Performance, Multilevel Cell (mlc) Storage, Modeling, and Applications». Nanoscale Research Letters (1). 90 páginas. ISSN 1556-276X. PMC 7176808. PMID 32323059. doi:10.1186/s11671-020-03299-9. Consultado em 24 de novembro de 2021
springer.com
link.springer.com
- Hong, XiaoLiang; Loy, Desmond JiaJun; Dananjaya, Putu Andhita; Tan, Funan; Ng, CheeMang; Lew, WenSiang (junho de 2018). «Oxide-based RRAM materials for neuromorphic computing». Journal of Materials Science (em inglês) (12): 8720–8746. ISSN 0022-2461. doi:10.1007/s10853-018-2134-6. Consultado em 1 de dezembro de 2021
worldcat.org
- Hong, XiaoLiang; Loy, Desmond JiaJun; Dananjaya, Putu Andhita; Tan, Funan; Ng, CheeMang; Lew, WenSiang (junho de 2018). «Oxide-based RRAM materials for neuromorphic computing». Journal of Materials Science (em inglês) (12): 8720–8746. ISSN 0022-2461. doi:10.1007/s10853-018-2134-6. Consultado em 1 de dezembro de 2021
- Zahoor, Furqan; Azni Zulkifli, Tun Zainal; Khanday, Farooq Ahmad (22 de abril de 2020). «Resistive Random Access Memory (RRAM): an Overview of Materials, Switching Mechanism, Performance, Multilevel Cell (mlc) Storage, Modeling, and Applications». Nanoscale Research Letters (1). 90 páginas. ISSN 1556-276X. PMC 7176808. PMID 32323059. doi:10.1186/s11671-020-03299-9. Consultado em 24 de novembro de 2021