5 nm (Russian Wikipedia)

Sebastian Anthony. IBM unveils world’s first 5nm chip (англ.). Ars Technica (5 июня 2017). Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 5 июня 2017 года.

doi.org (Global: 2^nd place; Russian: 3^rd place)

dx.doi.org

B. Doris, Meikei Ieong, T. Kanarsky, Ying Zhang, R.A. Roy. Extreme scaling with ultra-thin Si channel MOSFETs // Digest. International Electron Devices Meeting,. — 2002-12. — С. 267–270. — doi:10.1109/IEDM.2002.1175829. Архивировано 15 ноября 2022 года.
H. Wakabayashi, S. Yamagami, N. Ikezawa, A. Ogura, M. Narihiro. Sub-10-nm planar-bulk-CMOS devices using lateral junction control // IEEE International Electron Devices Meeting 2003. — 2003-12. — С. 20.7.1–20.7.3. — doi:10.1109/IEDM.2003.1269446. Архивировано 22 ноября 2022 года.
Jaehwan Kim, Jin Kim, Byungchul Shin, Sangah Lee, Jae-Hyun Kang. Process related yield risk mitigation with in-design pattern replacement for system ICs manufactured at advanced technology nodes // Design-Process-Technology Co-optimization for Manufacturability XIV. — SPIE, 2020-03-23. — Т. 11328. — С. 116–123. — doi:10.1117/12.2551970.
J.C. Liu, S. Mukhopadhyay, Amit Kundu, S.H. Chen, H.C. Wang. A Reliability Enhanced 5nm CMOS Technology Featuring 5th Generation FinFET with Fully-Developed EUV and High Mobility Channel for Mobile SoC and High Performance Computing Application // 2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). — 2020-12. — С. 9.2.1–9.2.4. — doi:10.1109/IEDM13553.2020.9372009. Архивировано 16 ноября 2022 года.

extremetech.com (Global: 4,667^th place; Russian: 3,507^th place)

TSMC Plots an Aggressive Course for 3nm Lithography and Beyond - ExtremeTech . www.extremetech.com. Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 22 сентября 2020 года.

hpcwire.com (Global: low place; Russian: low place)

Marvell and TSMC Collaborate to Deliver Data Infrastructure Portfolio on 5nm Technology (англ.). HPCwire. Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 15 сентября 2020 года.

ibm.com (Global: 1,131^st place; Russian: 1,354^th place)

5 nanometer transistors inching their way into chips (англ.). THINK Blog (5 июня 2017). Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 9 июня 2021 года.

ieee.org (Global: 652^nd place; Russian: 857^th place)

ieeexplore.ieee.org

B. Doris, Meikei Ieong, T. Kanarsky, Ying Zhang, R.A. Roy. Extreme scaling with ultra-thin Si channel MOSFETs // Digest. International Electron Devices Meeting,. — 2002-12. — С. 267–270. — doi:10.1109/IEDM.2002.1175829. Архивировано 15 ноября 2022 года.
H. Wakabayashi, S. Yamagami, N. Ikezawa, A. Ogura, M. Narihiro. Sub-10-nm planar-bulk-CMOS devices using lateral junction control // IEEE International Electron Devices Meeting 2003. — 2003-12. — С. 20.7.1–20.7.3. — doi:10.1109/IEDM.2003.1269446. Архивировано 22 ноября 2022 года.
J.C. Liu, S. Mukhopadhyay, Amit Kundu, S.H. Chen, H.C. Wang. A Reliability Enhanced 5nm CMOS Technology Featuring 5th Generation FinFET with Fully-Developed EUV and High Mobility Channel for Mobile SoC and High Performance Computing Application // 2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). — 2020-12. — С. 9.2.1–9.2.4. — doi:10.1109/IEDM13553.2020.9372009. Архивировано 16 ноября 2022 года.

spectrum.ieee.org

A Better Way to Measure Progress in Semiconductors (англ.). IEEE Spectrum (21 июля 2020). Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 7 декабря 2022 года.

linkedin.com (Global: 895^th place; Russian: 3,101^st place)

Application-Specific Lithography: 5nm Node Gate Patterning (англ.). LinkedIn. Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 6 сентября 2022 года.

notebookcheck.net (Global: low place; Russian: low place)

Bogdan Solca. TSMC already sampling Apple's 5 nm A14 Bionic SoCs for 2020 iPhones (англ.). Notebookcheck. Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 12 января 2020 года.

nvidia.com (Global: 2,503^rd place; Russian: 1,716^th place)

nvidianews.nvidia.com

NVIDIA Delivers Quantum Leap in Performance, Introduces New Era of Neural Rendering With GeForce RTX 40 Series (англ.). NVIDIA Newsroom. Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 15 марта 2023 года.

pcgamesn.com (Global: 1,748^th place; Russian: 1,408^th place)

TSMC’s 7nm, 5nm, and 3nm “are just numbers… it doesn’t matter what the number is” (англ.). PCGamesN. Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 17 июня 2020 года.

pcmag.com (Global: 1,060^th place; Russian: 1,344^th place)

uk.pcmag.com

Matthew Humphries. IBM Figures Out How to Make 5nm Chips (англ.). PCMag UK (5 июня 2017). Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 15 ноября 2022 года.

semianalysis.com (Global: low place; Russian: low place)

Apple’s A14 Packs 134 Million Transistors/mm², but Falls Short of TSMC’s Density Claims (англ.). SemiAnalysis.com (12 декабря 2020). Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано из оригинала 12 декабря 2020 года.

semiengineering.com (Global: low place; Russian: low place)

Mark LaPedus. 5nm Fab Challenges (англ.). Semiconductor Engineering (21 января 2016). Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 15 ноября 2022 года.

semiwiki.com (Global: low place; Russian: low place)

Scotten Jones. IMEC and Cadence Disclose 5nm Test Chip (англ.). Semiwiki. Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 15 ноября 2022 года.
Tom Dillinger. Samsung Foundry Update 2019 (англ.). Semiwiki. Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 29 мая 2022 года.

spiedigitallibrary.org (Global: low place; Russian: low place)

Jaehwan Kim, Jin Kim, Byungchul Shin, Sangah Lee, Jae-Hyun Kang. Process related yield risk mitigation with in-design pattern replacement for system ICs manufactured at advanced technology nodes // Design-Process-Technology Co-optimization for Manufacturability XIV. — SPIE, 2020-03-23. — Т. 11328. — С. 116–123. — doi:10.1117/12.2551970.

thefreelibrary.com (Global: 518^th place; Russian: 1,537^th place)

NEC test-produces world's smallest transistor. - Free Online Library . www.thefreelibrary.com. Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 15 ноября 2022 года.

theinquirer.net (Global: low place; Russian: 4,874^th place)

Ibm claims world's smallest silicon transistor . Philippine Daily Inquirer (31 мая 2011). Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано из оригинала 31 мая 2011 года.

tsmc.com (Global: low place; Russian: low place)

pr.tsmc.com

TSMC Expands Advanced Technology Leadership with N4P Process (англ.). TSMC (26 октября 2021). Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 25 сентября 2022 года.
TSMC Introduces N4X Process (англ.). TSMC (16 декабря 2021). Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 25 сентября 2022 года.

tsmc.com

The Future is Now (англ.). TSMC (16 декабря 2021). Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 7 мая 2022 года.

web.archive.org (Global: 1^st place; Russian: 1^st place)

Dr Ian Cutress. ‘Better Yield on 5nm than 7nm’: TSMC Update on Defect Rates for N5 (англ.). AnandTech. Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 30 августа 2020 года.
Marvell and TSMC Collaborate to Deliver Data Infrastructure Portfolio on 5nm Technology (англ.). HPCwire. Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 15 сентября 2020 года.
IRDS™ 2021: More Moore - IEEE IRDS™ . web.archive.org (7 августа 2022). Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 7 августа 2022 года.
TSMC’s 7nm, 5nm, and 3nm “are just numbers… it doesn’t matter what the number is” (англ.). PCGamesN. Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 17 июня 2020 года.
A Better Way to Measure Progress in Semiconductors (англ.). IEEE Spectrum (21 июля 2020). Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 7 декабря 2022 года.
Ibm claims world's smallest silicon transistor . Philippine Daily Inquirer (31 мая 2011). Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано из оригинала 31 мая 2011 года.
B. Doris, Meikei Ieong, T. Kanarsky, Ying Zhang, R.A. Roy. Extreme scaling with ultra-thin Si channel MOSFETs // Digest. International Electron Devices Meeting,. — 2002-12. — С. 267–270. — doi:10.1109/IEDM.2002.1175829. Архивировано 15 ноября 2022 года.
NEC test-produces world's smallest transistor. - Free Online Library . www.thefreelibrary.com. Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 15 ноября 2022 года.
H. Wakabayashi, S. Yamagami, N. Ikezawa, A. Ogura, M. Narihiro. Sub-10-nm planar-bulk-CMOS devices using lateral junction control // IEEE International Electron Devices Meeting 2003. — 2003-12. — С. 20.7.1–20.7.3. — doi:10.1109/IEDM.2003.1269446. Архивировано 22 ноября 2022 года.
Scotten Jones. IMEC and Cadence Disclose 5nm Test Chip (англ.). Semiwiki. Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 15 ноября 2022 года.
The Roadmap to 5nm: “Convergence of Many Solutions Needed” (англ.). SEMI.org (26 ноября 2015). Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 26 ноября 2015 года.
Mark LaPedus. 5nm Fab Challenges (англ.). Semiconductor Engineering (21 января 2016). Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 15 ноября 2022 года.
Sebastian Anthony. IBM unveils world’s first 5nm chip (англ.). Ars Technica (5 июня 2017). Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 5 июня 2017 года.
5 nanometer transistors inching their way into chips (англ.). THINK Blog (5 июня 2017). Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 9 июня 2021 года.
Matthew Humphries. IBM Figures Out How to Make 5nm Chips (англ.). PCMag UK (5 июня 2017). Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 15 ноября 2022 года.
Anton Shilov. Samsung Completes Development of 5nm EUV Process Technology . AnandTech. Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 20 апреля 2019 года.
Bogdan Solca. TSMC already sampling Apple's 5 nm A14 Bionic SoCs for 2020 iPhones (англ.). Notebookcheck. Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 12 января 2020 года.
Dr Ian Cutress. Early TSMC 5nm Test Chip Yields 80%, HVM Coming in H1 2020 (англ.). AnandTech. Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 25 мая 2020 года.
TSMC Plots an Aggressive Course for 3nm Lithography and Beyond - ExtremeTech . www.extremetech.com. Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 22 сентября 2020 года.
Apple’s A14 Packs 134 Million Transistors/mm², but Falls Short of TSMC’s Density Claims (англ.). SemiAnalysis.com (12 декабря 2020). Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано из оригинала 12 декабря 2020 года.
TSMC Expands Advanced Technology Leadership with N4P Process (англ.). TSMC (26 октября 2021). Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 25 сентября 2022 года.
David Schor. TSMC Extends Its 5nm Family With A New Enhanced-Performance N4P Node (англ.). WikiChip Fuse (26 октября 2021). Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 29 мая 2022 года.
TSMC Introduces N4X Process (англ.). TSMC (16 декабря 2021). Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 25 сентября 2022 года.
The Future is Now (англ.). TSMC (16 декабря 2021). Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 7 мая 2022 года.
TSMC Unveils N4X Node: Extreme High-Performance at High Voltages (англ.). AnandTech. Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 16 ноября 2022 года.
Ryan Smith. Intel 4 Process Node In Detail: 2x Density Scaling, 20% Improved Performance (англ.). AnandTech. Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 13 июня 2022 года.
International Roadmap for Devices and Systems 2017 Edition (англ.). IEEE IRDS (25 октября 2018). Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 25 октября 2018 года.
Can TSMC Maintain Their Process Technology Lead (англ.). SemiWiki (13 мая 2022). Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 13 мая 2022 года.
Tom Dillinger. Samsung Foundry Update 2019 (англ.). Semiwiki. Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 29 мая 2022 года.
5 nm lithography process - WikiChip (англ.). en.wikichip.org. Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 6 ноября 2020 года.
David Schor. Samsung 3nm GAAFET Enters Risk Production; Discusses Next-Gen Improvements (англ.). WikiChip Fuse (5 июля 2022). Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 12 декабря 2022 года.
Dr Ian Cutress. Intel's Process Roadmap to 2025: with 4nm, 3nm, 20A and 18A?! AnandTech. Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 3 ноября 2021 года.
NVIDIA Delivers Quantum Leap in Performance, Introduces New Era of Neural Rendering With GeForce RTX 40 Series (англ.). NVIDIA Newsroom. Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 15 марта 2023 года.
SkyJuice. The TRUTH of TSMC 5nm (англ.). Angstronomics.com. Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 8 декабря 2022 года.
David Schor. N3E Replaces N3; Comes In Many Flavors (англ.). WikiChip Fuse (4 сентября 2022). Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 10 сентября 2022 года.
Application-Specific Lithography: 5nm Node Gate Patterning (англ.). LinkedIn. Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 6 сентября 2022 года.
J.C. Liu, S. Mukhopadhyay, Amit Kundu, S.H. Chen, H.C. Wang. A Reliability Enhanced 5nm CMOS Technology Featuring 5th Generation FinFET with Fully-Developed EUV and High Mobility Channel for Mobile SoC and High Performance Computing Application // 2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). — 2020-12. — С. 9.2.1–9.2.4. — doi:10.1109/IEDM13553.2020.9372009. Архивировано 16 ноября 2022 года.

wikichip.org (Global: low place; Russian: low place)

fuse.wikichip.org

David Schor. TSMC Extends Its 5nm Family With A New Enhanced-Performance N4P Node (англ.). WikiChip Fuse (26 октября 2021). Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 29 мая 2022 года.
David Schor. Samsung 5 nm and 4 nm Update (англ.). WikiChip Fuse (19 октября 2019). Дата обращения: 16 ноября 2022.
David Schor. Samsung 3nm GAAFET Enters Risk Production; Discusses Next-Gen Improvements (англ.). WikiChip Fuse (5 июля 2022). Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 12 декабря 2022 года.
David Schor. N3E Replaces N3; Comes In Many Flavors (англ.). WikiChip Fuse (4 сентября 2022). Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 10 сентября 2022 года.

en.wikichip.org

5 nm lithography process - WikiChip (англ.). en.wikichip.org. Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 6 ноября 2020 года.

5 nm (Russian Wikipedia)

anandtech.com (Global: 1,383rd place; Russian: 1,528th place)

angstronomics.com (Global: low place; Russian: low place)

arstechnica.com (Global: 388th place; Russian: 538th place)

doi.org (Global: 2nd place; Russian: 3rd place)

dx.doi.org

extremetech.com (Global: 4,667th place; Russian: 3,507th place)

hpcwire.com (Global: low place; Russian: low place)

ibm.com (Global: 1,131st place; Russian: 1,354th place)

ieee.org (Global: 652nd place; Russian: 857th place)

ieeexplore.ieee.org

spectrum.ieee.org

linkedin.com (Global: 895th place; Russian: 3,101st place)

notebookcheck.net (Global: low place; Russian: low place)

nvidia.com (Global: 2,503rd place; Russian: 1,716th place)

nvidianews.nvidia.com

pcgamesn.com (Global: 1,748th place; Russian: 1,408th place)

pcmag.com (Global: 1,060th place; Russian: 1,344th place)

uk.pcmag.com

semianalysis.com (Global: low place; Russian: low place)

semiengineering.com (Global: low place; Russian: low place)

semiwiki.com (Global: low place; Russian: low place)

spiedigitallibrary.org (Global: low place; Russian: low place)

thefreelibrary.com (Global: 518th place; Russian: 1,537th place)

theinquirer.net (Global: low place; Russian: 4,874th place)

tsmc.com (Global: low place; Russian: low place)

pr.tsmc.com

tsmc.com

web.archive.org (Global: 1st place; Russian: 1st place)

wikichip.org (Global: low place; Russian: low place)

fuse.wikichip.org

en.wikichip.org

anandtech.com (Global: 1,383^rd place; Russian: 1,528^th place)

arstechnica.com (Global: 388^th place; Russian: 538^th place)

doi.org (Global: 2^nd place; Russian: 3^rd place)

extremetech.com (Global: 4,667^th place; Russian: 3,507^th place)

ibm.com (Global: 1,131^st place; Russian: 1,354^th place)

ieee.org (Global: 652^nd place; Russian: 857^th place)

linkedin.com (Global: 895^th place; Russian: 3,101^st place)

nvidia.com (Global: 2,503^rd place; Russian: 1,716^th place)

pcgamesn.com (Global: 1,748^th place; Russian: 1,408^th place)

pcmag.com (Global: 1,060^th place; Russian: 1,344^th place)

thefreelibrary.com (Global: 518^th place; Russian: 1,537^th place)

theinquirer.net (Global: low place; Russian: 4,874^th place)

web.archive.org (Global: 1^st place; Russian: 1^st place)