5 nm (Russian Wikipedia)

Analysis of information sources in references of the Wikipedia article "5 nm" in Russian language version.

refsWebsite

Global rank Russian rank

37web.archive.org

1^st place

6anandtech.com

1,383^rd place

1,528^th place

5wikichip.org

low place

4doi.org

2^nd place

3^rd place

4ieee.org

652^nd place

857^th place

3tsmc.com

low place

2semiwiki.com

low place

1hpcwire.com

low place

1pcgamesn.com

1,748^th place

1,408^th place

1theinquirer.net

low place

4,874^th place

1thefreelibrary.com

518^th place

1,537^th place

1semiengineering.com

low place

1arstechnica.com

388^th place

538^th place

1ibm.com

1,131^st place

1,354^th place

1pcmag.com

1,060^th place

1,344^th place

1spiedigitallibrary.org

low place

1notebookcheck.net

low place

1extremetech.com

4,667^th place

3,507^th place

1semianalysis.com

low place

1nvidia.com

2,503^rd place

1,716^th place

1angstronomics.com

low place

1linkedin.com

895^th place

3,101^st place

anandtech.com

Dr Ian Cutress. ‘Better Yield on 5nm than 7nm’: TSMC Update on Defect Rates for N5 (англ.). AnandTech. Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 30 августа 2020 года.
Anton Shilov. Samsung Completes Development of 5nm EUV Process Technology (неопр.). AnandTech. Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 20 апреля 2019 года.
Dr Ian Cutress. Early TSMC 5nm Test Chip Yields 80%, HVM Coming in H1 2020 (англ.). AnandTech. Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 25 мая 2020 года.
TSMC Unveils N4X Node: Extreme High-Performance at High Voltages (англ.). AnandTech. Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 16 ноября 2022 года.
Ryan Smith. Intel 4 Process Node In Detail: 2x Density Scaling, 20% Improved Performance (англ.). AnandTech. Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 13 июня 2022 года.
Dr Ian Cutress. Intel's Process Roadmap to 2025: with 4nm, 3nm, 20A and 18A?! (неопр.) AnandTech. Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 3 ноября 2021 года.

angstronomics.com

SkyJuice. The TRUTH of TSMC 5nm (англ.). Angstronomics.com. Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 8 декабря 2022 года.

arstechnica.com

Sebastian Anthony. IBM unveils world’s first 5nm chip (англ.). Ars Technica (5 июня 2017). Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 5 июня 2017 года.

doi.org

dx.doi.org

B. Doris, Meikei Ieong, T. Kanarsky, Ying Zhang, R.A. Roy. Extreme scaling with ultra-thin Si channel MOSFETs // Digest. International Electron Devices Meeting,. — 2002-12. — С. 267–270. — doi:10.1109/IEDM.2002.1175829. Архивировано 15 ноября 2022 года.
H. Wakabayashi, S. Yamagami, N. Ikezawa, A. Ogura, M. Narihiro. Sub-10-nm planar-bulk-CMOS devices using lateral junction control // IEEE International Electron Devices Meeting 2003. — 2003-12. — С. 20.7.1–20.7.3. — doi:10.1109/IEDM.2003.1269446. Архивировано 22 ноября 2022 года.
Jaehwan Kim, Jin Kim, Byungchul Shin, Sangah Lee, Jae-Hyun Kang. Process related yield risk mitigation with in-design pattern replacement for system ICs manufactured at advanced technology nodes // Design-Process-Technology Co-optimization for Manufacturability XIV. — SPIE, 2020-03-23. — Т. 11328. — С. 116–123. — doi:10.1117/12.2551970.
J.C. Liu, S. Mukhopadhyay, Amit Kundu, S.H. Chen, H.C. Wang. A Reliability Enhanced 5nm CMOS Technology Featuring 5th Generation FinFET with Fully-Developed EUV and High Mobility Channel for Mobile SoC and High Performance Computing Application // 2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). — 2020-12. — С. 9.2.1–9.2.4. — doi:10.1109/IEDM13553.2020.9372009. Архивировано 16 ноября 2022 года.

extremetech.com

TSMC Plots an Aggressive Course for 3nm Lithography and Beyond - ExtremeTech (неопр.). www.extremetech.com. Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 22 сентября 2020 года.

hpcwire.com

Marvell and TSMC Collaborate to Deliver Data Infrastructure Portfolio on 5nm Technology (англ.). HPCwire. Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 15 сентября 2020 года.

ibm.com

5 nanometer transistors inching their way into chips (англ.). THINK Blog (5 июня 2017). Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 9 июня 2021 года.

ieee.org

ieeexplore.ieee.org

B. Doris, Meikei Ieong, T. Kanarsky, Ying Zhang, R.A. Roy. Extreme scaling with ultra-thin Si channel MOSFETs // Digest. International Electron Devices Meeting,. — 2002-12. — С. 267–270. — doi:10.1109/IEDM.2002.1175829. Архивировано 15 ноября 2022 года.
H. Wakabayashi, S. Yamagami, N. Ikezawa, A. Ogura, M. Narihiro. Sub-10-nm planar-bulk-CMOS devices using lateral junction control // IEEE International Electron Devices Meeting 2003. — 2003-12. — С. 20.7.1–20.7.3. — doi:10.1109/IEDM.2003.1269446. Архивировано 22 ноября 2022 года.
J.C. Liu, S. Mukhopadhyay, Amit Kundu, S.H. Chen, H.C. Wang. A Reliability Enhanced 5nm CMOS Technology Featuring 5th Generation FinFET with Fully-Developed EUV and High Mobility Channel for Mobile SoC and High Performance Computing Application // 2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). — 2020-12. — С. 9.2.1–9.2.4. — doi:10.1109/IEDM13553.2020.9372009. Архивировано 16 ноября 2022 года.

spectrum.ieee.org

A Better Way to Measure Progress in Semiconductors (англ.). IEEE Spectrum (21 июля 2020). Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 7 декабря 2022 года.

linkedin.com

Application-Specific Lithography: 5nm Node Gate Patterning (англ.). LinkedIn. Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 6 сентября 2022 года.

notebookcheck.net

Bogdan Solca. TSMC already sampling Apple's 5 nm A14 Bionic SoCs for 2020 iPhones (англ.). Notebookcheck. Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 12 января 2020 года.

nvidia.com

nvidianews.nvidia.com

NVIDIA Delivers Quantum Leap in Performance, Introduces New Era of Neural Rendering With GeForce RTX 40 Series (англ.). NVIDIA Newsroom. Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 15 марта 2023 года.

pcgamesn.com

TSMC’s 7nm, 5nm, and 3nm “are just numbers… it doesn’t matter what the number is” (англ.). PCGamesN. Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 17 июня 2020 года.

pcmag.com

uk.pcmag.com

Matthew Humphries. IBM Figures Out How to Make 5nm Chips (англ.). PCMag UK (5 июня 2017). Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 15 ноября 2022 года.

semianalysis.com

Apple’s A14 Packs 134 Million Transistors/mm², but Falls Short of TSMC’s Density Claims (англ.). SemiAnalysis.com (12 декабря 2020). Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано из оригинала 12 декабря 2020 года.

semiengineering.com

Mark LaPedus. 5nm Fab Challenges (англ.). Semiconductor Engineering (21 января 2016). Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 15 ноября 2022 года.

semiwiki.com

Scotten Jones. IMEC and Cadence Disclose 5nm Test Chip (англ.). Semiwiki. Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 15 ноября 2022 года.
Tom Dillinger. Samsung Foundry Update 2019 (англ.). Semiwiki. Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 29 мая 2022 года.

spiedigitallibrary.org

Jaehwan Kim, Jin Kim, Byungchul Shin, Sangah Lee, Jae-Hyun Kang. Process related yield risk mitigation with in-design pattern replacement for system ICs manufactured at advanced technology nodes // Design-Process-Technology Co-optimization for Manufacturability XIV. — SPIE, 2020-03-23. — Т. 11328. — С. 116–123. — doi:10.1117/12.2551970.

thefreelibrary.com

NEC test-produces world's smallest transistor. - Free Online Library (неопр.). www.thefreelibrary.com. Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 15 ноября 2022 года.

theinquirer.net

Ibm claims world's smallest silicon transistor (неопр.). Philippine Daily Inquirer (31 мая 2011). Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано из оригинала 31 мая 2011 года.

tsmc.com

pr.tsmc.com

TSMC Expands Advanced Technology Leadership with N4P Process (англ.). TSMC (26 октября 2021). Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 25 сентября 2022 года.
TSMC Introduces N4X Process (англ.). TSMC (16 декабря 2021). Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 25 сентября 2022 года.

tsmc.com

The Future is Now (англ.). TSMC (16 декабря 2021). Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 7 мая 2022 года.

web.archive.org

Dr Ian Cutress. ‘Better Yield on 5nm than 7nm’: TSMC Update on Defect Rates for N5 (англ.). AnandTech. Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 30 августа 2020 года.
Marvell and TSMC Collaborate to Deliver Data Infrastructure Portfolio on 5nm Technology (англ.). HPCwire. Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 15 сентября 2020 года.
IRDS™ 2021: More Moore - IEEE IRDS™ (неопр.). web.archive.org (7 августа 2022). Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 7 августа 2022 года.
TSMC’s 7nm, 5nm, and 3nm “are just numbers… it doesn’t matter what the number is” (англ.). PCGamesN. Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 17 июня 2020 года.
A Better Way to Measure Progress in Semiconductors (англ.). IEEE Spectrum (21 июля 2020). Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 7 декабря 2022 года.
Ibm claims world's smallest silicon transistor (неопр.). Philippine Daily Inquirer (31 мая 2011). Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано из оригинала 31 мая 2011 года.
B. Doris, Meikei Ieong, T. Kanarsky, Ying Zhang, R.A. Roy. Extreme scaling with ultra-thin Si channel MOSFETs // Digest. International Electron Devices Meeting,. — 2002-12. — С. 267–270. — doi:10.1109/IEDM.2002.1175829. Архивировано 15 ноября 2022 года.
NEC test-produces world's smallest transistor. - Free Online Library (неопр.). www.thefreelibrary.com. Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 15 ноября 2022 года.
H. Wakabayashi, S. Yamagami, N. Ikezawa, A. Ogura, M. Narihiro. Sub-10-nm planar-bulk-CMOS devices using lateral junction control // IEEE International Electron Devices Meeting 2003. — 2003-12. — С. 20.7.1–20.7.3. — doi:10.1109/IEDM.2003.1269446. Архивировано 22 ноября 2022 года.
Scotten Jones. IMEC and Cadence Disclose 5nm Test Chip (англ.). Semiwiki. Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 15 ноября 2022 года.
The Roadmap to 5nm: “Convergence of Many Solutions Needed” (англ.). SEMI.org (26 ноября 2015). Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 26 ноября 2015 года.
Mark LaPedus. 5nm Fab Challenges (англ.). Semiconductor Engineering (21 января 2016). Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 15 ноября 2022 года.
Sebastian Anthony. IBM unveils world’s first 5nm chip (англ.). Ars Technica (5 июня 2017). Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 5 июня 2017 года.
5 nanometer transistors inching their way into chips (англ.). THINK Blog (5 июня 2017). Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 9 июня 2021 года.
Matthew Humphries. IBM Figures Out How to Make 5nm Chips (англ.). PCMag UK (5 июня 2017). Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 15 ноября 2022 года.
Anton Shilov. Samsung Completes Development of 5nm EUV Process Technology (неопр.). AnandTech. Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 20 апреля 2019 года.
Bogdan Solca. TSMC already sampling Apple's 5 nm A14 Bionic SoCs for 2020 iPhones (англ.). Notebookcheck. Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 12 января 2020 года.
Dr Ian Cutress. Early TSMC 5nm Test Chip Yields 80%, HVM Coming in H1 2020 (англ.). AnandTech. Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 25 мая 2020 года.
TSMC Plots an Aggressive Course for 3nm Lithography and Beyond - ExtremeTech (неопр.). www.extremetech.com. Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано 22 сентября 2020 года.
Apple’s A14 Packs 134 Million Transistors/mm², but Falls Short of TSMC’s Density Claims (англ.). SemiAnalysis.com (12 декабря 2020). Дата обращения: 15 ноября 2022. Архивировано из оригинала 12 декабря 2020 года.
TSMC Expands Advanced Technology Leadership with N4P Process (англ.). TSMC (26 октября 2021). Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 25 сентября 2022 года.
David Schor. TSMC Extends Its 5nm Family With A New Enhanced-Performance N4P Node (англ.). WikiChip Fuse (26 октября 2021). Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 29 мая 2022 года.
TSMC Introduces N4X Process (англ.). TSMC (16 декабря 2021). Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 25 сентября 2022 года.
The Future is Now (англ.). TSMC (16 декабря 2021). Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 7 мая 2022 года.
TSMC Unveils N4X Node: Extreme High-Performance at High Voltages (англ.). AnandTech. Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 16 ноября 2022 года.
Ryan Smith. Intel 4 Process Node In Detail: 2x Density Scaling, 20% Improved Performance (англ.). AnandTech. Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 13 июня 2022 года.
International Roadmap for Devices and Systems 2017 Edition (англ.). IEEE IRDS (25 октября 2018). Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 25 октября 2018 года.
Can TSMC Maintain Their Process Technology Lead (англ.). SemiWiki (13 мая 2022). Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 13 мая 2022 года.
Tom Dillinger. Samsung Foundry Update 2019 (англ.). Semiwiki. Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 29 мая 2022 года.
5 nm lithography process - WikiChip (англ.). en.wikichip.org. Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 6 ноября 2020 года.
David Schor. Samsung 3nm GAAFET Enters Risk Production; Discusses Next-Gen Improvements (англ.). WikiChip Fuse (5 июля 2022). Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 12 декабря 2022 года.
Dr Ian Cutress. Intel's Process Roadmap to 2025: with 4nm, 3nm, 20A and 18A?! (неопр.) AnandTech. Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 3 ноября 2021 года.
NVIDIA Delivers Quantum Leap in Performance, Introduces New Era of Neural Rendering With GeForce RTX 40 Series (англ.). NVIDIA Newsroom. Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 15 марта 2023 года.
SkyJuice. The TRUTH of TSMC 5nm (англ.). Angstronomics.com. Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 8 декабря 2022 года.
David Schor. N3E Replaces N3; Comes In Many Flavors (англ.). WikiChip Fuse (4 сентября 2022). Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 10 сентября 2022 года.
Application-Specific Lithography: 5nm Node Gate Patterning (англ.). LinkedIn. Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 6 сентября 2022 года.
J.C. Liu, S. Mukhopadhyay, Amit Kundu, S.H. Chen, H.C. Wang. A Reliability Enhanced 5nm CMOS Technology Featuring 5th Generation FinFET with Fully-Developed EUV and High Mobility Channel for Mobile SoC and High Performance Computing Application // 2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). — 2020-12. — С. 9.2.1–9.2.4. — doi:10.1109/IEDM13553.2020.9372009. Архивировано 16 ноября 2022 года.

wikichip.org

fuse.wikichip.org

David Schor. TSMC Extends Its 5nm Family With A New Enhanced-Performance N4P Node (англ.). WikiChip Fuse (26 октября 2021). Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 29 мая 2022 года.
David Schor. Samsung 5 nm and 4 nm Update (англ.). WikiChip Fuse (19 октября 2019). Дата обращения: 16 ноября 2022.
David Schor. Samsung 3nm GAAFET Enters Risk Production; Discusses Next-Gen Improvements (англ.). WikiChip Fuse (5 июля 2022). Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 12 декабря 2022 года.
David Schor. N3E Replaces N3; Comes In Many Flavors (англ.). WikiChip Fuse (4 сентября 2022). Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 10 сентября 2022 года.

en.wikichip.org

5 nm lithography process - WikiChip (англ.). en.wikichip.org. Дата обращения: 16 ноября 2022. Архивировано 6 ноября 2020 года.