FRAM (Russian Wikipedia)

Analysis of information sources in references of the Wikipedia article "FRAM" in Russian language version.

Last modified: 05:29:00, 16 April 2026 (UTC)

Ref.Un. Ref.Website

Global rank Russian rank

1110web.archive.org

1^st place

22doi.org

2^nd place

5^th place

22ieee.org

912^th place

1,301^st place

22ixbt.com

5,699^th place

401^st place

21drexel.edu

low place

21physorg.com

8,229^th place

7,902^nd place

11patents.su

low place

8,661^st place

11155la3.ru

low place

11nasa.gov

12^th place

82^nd place

11micron.com

low place

11ti.com

6,779^th place

low place

113dnews.ru

3,209^th place

184^th place

155la3.ru (Global: low place; Russian: low place)

307РВ1 . Дата обращения: 16 апреля 2016. Архивировано 27 апреля 2016 года.

3dnews.ru (Global: 3,209^th place; Russian: 184^th place)

Fujitsu выпустила FRAM-память с диапазоном рабочих напряжений от 2,7 до 5,5 В Архивная копия от 29 октября 2012 на Wayback Machine, чип выполнен в 8-контактном корпусе SOP, имеет два последовательных и один параллельный интерфейсы.

doi.org (Global: 2^nd place; Russian: 5^th place)

dx.doi.org

Junquera and Ghosez, Nature, 2003, DOI 10.1038/nature01501
Stefan Mueller, Ekaterina Yurchuk, Stefan Slesazeck, Thomas Mikolajick, Johannes Müller. Performance investigation and optimization of Si:HfO2 FeFETs on a 28 nm bulk technology // 2013 Joint IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectric and Workshop on Piezoresponse Force Microscopy (ISAF/PFM). — 2013-07. — С. 248–251. — doi:10.1109/ISAF.2013.6748709. Архивировано 29 апреля 2022 года.

drexel.edu (Global: low place; Russian: low place)

materials.drexel.edu

Ferroelectric Phase Transition in Individual Single-Crystalline BaTiO3 Nanowires Архивировано 15 июня 2010 года.. См. также по этому поводу пресс-релиз Архивная копия от 6 июня 2011 на Wayback Machine.

ieee.org (Global: 912^th place; Russian: 1,301^st place)

ieeexplore.ieee.org

A 35 ns 64 Mb DRAM using on-chip boosted power supply . Дата обращения: 8 мая 2022. Архивировано 29 апреля 2022 года.
Stefan Mueller, Ekaterina Yurchuk, Stefan Slesazeck, Thomas Mikolajick, Johannes Müller. Performance investigation and optimization of Si:HfO2 FeFETs on a 28 nm bulk technology // 2013 Joint IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectric and Workshop on Piezoresponse Force Microscopy (ISAF/PFM). — 2013-07. — С. 248–251. — doi:10.1109/ISAF.2013.6748709. Архивировано 29 апреля 2022 года.

ixbt.com (Global: 5,699^th place; Russian: 401^st place)

micron.com (Global: low place; Russian: low place)

download.micron.com

TN-47-16: Designing for High-Density DDR2 Memory Архивировано 20 сентября 2006 года.

nasa.gov (Global: 12^th place; Russian: 82^nd place)

trs-new.jpl.nasa.gov

Optically Addressed Ferroelectric Memory with Non-Destructive Read-Out Архивировано 14 апреля 2009 года.

patents.su (Global: low place; Russian: 8,661^st place)

АС СССР 690564 . Дата обращения: 16 апреля 2016. Архивировано 25 апреля 2016 года.

physorg.com (Global: 8,229^th place; Russian: 7,902^nd place)

Ferroelectric Phase Transition in Individual Single-Crystalline BaTiO3 Nanowires Архивировано 15 июня 2010 года.. См. также по этому поводу пресс-релиз Архивная копия от 6 июня 2011 на Wayback Machine.

ti.com (Global: 6,779^th place; Russian: low place)

Выпущен микроконтроллер TI MSP430 с FRAM-памятью.

web.archive.org (Global: 1^st place; Russian: 1^st place)

АС СССР 690564 . Дата обращения: 16 апреля 2016. Архивировано 25 апреля 2016 года.
307РВ1 . Дата обращения: 16 апреля 2016. Архивировано 27 апреля 2016 года.
Optically Addressed Ferroelectric Memory with Non-Destructive Read-Out Архивировано 14 апреля 2009 года.
Ferroelectric Phase Transition in Individual Single-Crystalline BaTiO3 Nanowires Архивировано 15 июня 2010 года.. См. также по этому поводу пресс-релиз Архивная копия от 6 июня 2011 на Wayback Machine.
TN-47-16: Designing for High-Density DDR2 Memory Архивировано 20 сентября 2006 года.
A 35 ns 64 Mb DRAM using on-chip boosted power supply . Дата обращения: 8 мая 2022. Архивировано 29 апреля 2022 года.
Вышла вторая микросхема F-RAM семейства V-Family с параллельным интерфейсом Архивировано 2 апреля 2015 года.
Новые микросхемы Ramtron F-RAM работают в более широком диапазоне напряжений питания и потребляют меньший ток Архивировано 2 апреля 2015 года.
Fujitsu выпустила FRAM-память с диапазоном рабочих напряжений от 2,7 до 5,5 В Архивная копия от 29 октября 2012 на Wayback Machine, чип выполнен в 8-контактном корпусе SOP, имеет два последовательных и один параллельный интерфейсы.
Stefan Mueller, Ekaterina Yurchuk, Stefan Slesazeck, Thomas Mikolajick, Johannes Müller. Performance investigation and optimization of Si:HfO2 FeFETs on a 28 nm bulk technology // 2013 Joint IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectric and Workshop on Piezoresponse Force Microscopy (ISAF/PFM). — 2013-07. — С. 248–251. — doi:10.1109/ISAF.2013.6748709. Архивировано 29 апреля 2022 года.

FRAM (Russian Wikipedia)

155la3.ru (Global: low place; Russian: low place)

3dnews.ru (Global: 3,209th place; Russian: 184th place)

doi.org (Global: 2nd place; Russian: 5th place)

dx.doi.org

drexel.edu (Global: low place; Russian: low place)

materials.drexel.edu

ieee.org (Global: 912th place; Russian: 1,301st place)

ieeexplore.ieee.org

ixbt.com (Global: 5,699th place; Russian: 401st place)

micron.com (Global: low place; Russian: low place)

download.micron.com

nasa.gov (Global: 12th place; Russian: 82nd place)

trs-new.jpl.nasa.gov

patents.su (Global: low place; Russian: 8,661st place)

physorg.com (Global: 8,229th place; Russian: 7,902nd place)

ti.com (Global: 6,779th place; Russian: low place)

web.archive.org (Global: 1st place; Russian: 1st place)

3dnews.ru (Global: 3,209^th place; Russian: 184^th place)

doi.org (Global: 2^nd place; Russian: 5^th place)

ieee.org (Global: 912^th place; Russian: 1,301^st place)

ixbt.com (Global: 5,699^th place; Russian: 401^st place)

nasa.gov (Global: 12^th place; Russian: 82^nd place)

patents.su (Global: low place; Russian: 8,661^st place)

physorg.com (Global: 8,229^th place; Russian: 7,902^nd place)

ti.com (Global: 6,779^th place; Russian: low place)

web.archive.org (Global: 1^st place; Russian: 1^st place)