FinFET (Russian Wikipedia)

Analysis of information sources in references of the Wikipedia article "FinFET" in Russian language version.

Last modified: 10:19:00, 24 February 2026 (UTC)

Ref.Un. Ref.Website

Global rank Russian rank

1918doi.org

2^nd place

5^th place

76web.archive.org

1^st place

55adsabs.harvard.edu

14^th place

54^th place

33semanticscholar.org

15^th place

156^th place

33worldcat.org

4^th place

3^rd place

32berkeley.edu

621^st place

1,100^th place

21books.google.com

3^rd place

12^th place

22ieee.org

912^th place

1,301^st place

22intel.com

1,727^th place

1,125^th place

11jestr.org

low place

113dnews.ru

3,209^th place

184^th place

11tadviser.com

low place

11fastturnchip.com

low place

11archive.org

6^th place

11psu.edu

299^th place

1,074^th place

11highbeam.com

515^th place

909^th place

11rice.edu

3,744^th place

4,973^rd place

11hdl.handle.net

66^th place

1,016^th place

11techradar.com

1,513^th place

1,523^rd place

11skhynix.com

low place

11tsmc.com

low place

11tomshardware.co.uk

low place

3dnews.ru (Global: 3,209^th place; Russian: 184^th place)

Максим Белоус. От плавников к кольцам и далее к КМОП: перипетии транзисторной эволюции (рус.). 3D News (30 декабря 2023). Дата обращения: 11 сентября 2025.

adsabs.harvard.edu (Global: 14^th place; Russian: 54^th place)

ui.adsabs.harvard.edu

Farrah, H. R.; Steinberg, R. F. (Февраль 1967). Analysis of double-gate thin-film transistor. IEEE Transactions on Electron Devices (англ.). 14 (2): 69—74. Bibcode:1967ITED...14...69F. doi:10.1109/T-ED.1967.15901.
Sekigawa, Toshihiro; Hayashi, Yutaka (Август 1984). Calculated threshold-voltage characteristics of an XMOS transistor having an additional bottom gate. Solid-State Electronics (англ.). 27 (8): 827—828. Bibcode:1984SSEle..27..827S. doi:10.1016/0038-1101(84)90036-4. ISSN 0038-1101.
Leobandung, Effendi; Gu, Jian; Guo, Lingjie; Chou, Stephen Y. (1 ноября 1997). Wire-channel and wrap-around-gate metal–oxide–semiconductor field-effect transistors with a significant reduction of short channel effects. Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena (англ.). 15 (6): 2791—2794. Bibcode:1997JVSTB..15.2791L. doi:10.1116/1.589729. ISSN 1071-1023.
Hisamoto, Digh; Hu, Chenming; Bokor, J.; King, Tsu-Jae; Anderson, E.; et al. (Декабрь 2000). FinFET—a self-aligned double-gate MOSFET scalable to 20 nm. IEEE Transactions on Electron Devices. 47 (12): 2320—2325. Bibcode:2000ITED...47.2320H. CiteSeerX 10.1.1.211.204. doi:10.1109/16.887014.
Hisamoto, Digh; Hu, Chenming; Huang, Xuejue; Lee, Wen-Chin; Kuo, Charles; et al. (Май 2001). Sub-50 nm P-channel FinFET (PDF). IEEE Transactions on Electron Devices. 48 (5): 880—886. Bibcode:2001ITED...48..880H. doi:10.1109/16.918235.

archive.org (Global: 6^th place; Russian: 6^th place)

Hisamoto, Digh; Hu, Chenming; Bokor, J.; King, Tsu-Jae; Anderson, E.; et al. (Декабрь 2000). FinFET—a self-aligned double-gate MOSFET scalable to 20 nm. IEEE Transactions on Electron Devices. 47 (12): 2320—2325. Bibcode:2000ITED...47.2320H. CiteSeerX 10.1.1.211.204. doi:10.1109/16.887014.

berkeley.edu (Global: 621^st place; Russian: 1,100^th place)

people.eecs.berkeley.edu

Tsu-Jae King, Liu. FinFET: History, Fundamentals and Future (англ.). University of California, Berkeley. Symposium on VLSI Technology Short Course (11 июня 2012). Дата обращения: 9 июля 2019. Архивировано 28 мая 2016 года.
Hisamoto, Digh; Hu, Chenming; Huang, Xuejue; Lee, Wen-Chin; Kuo, Charles; et al. (Май 2001). Sub-50 nm P-channel FinFET (PDF). IEEE Transactions on Electron Devices. 48 (5): 880—886. Bibcode:2001ITED...48..880H. doi:10.1109/16.918235.

books.google.com (Global: 3^rd place; Russian: 12^th place)

Colinge, J. P. FinFETs and Other Multi-Gate Transistors : [англ.]. — Springer Science & Business Media, 2008. — P. 11 & 39. — ISBN 9780387717517.

doi.org (Global: 2^nd place; Russian: 5^th place)

dx.doi.org

Kamal Y. The Silicon Age: Trends in Semiconductor Devices Industry (англ.) // Journal of Engineering Science and Technology Review. — 2022. — Vol. 15. — P. 113–114. — ISSN 1791-2377. — doi:10.25103/jestr.151.14.
Mukesh S, Zhang J. A Review of the Gate-All-Around Nanosheet FET Process Opportunities (англ.) // Electronics. — 2002. — No. 11 (21): 3589. — doi:10.3390/electronics11213589.
Hisamoto, Digh. A fully depleted lean-channel transistor (DELTA)-a novel vertical ultra thin SOI MOSFET // International Technical Digest on Electron Devices Meeting : [англ.] / Digh Hisamoto, Toru Kaga, Yoshifumi Kawamoto … [et al.]. — December 1989. — P. 833–836. — doi:10.1109/IEDM.1989.74182.
Leobandung, Effendi. Reduction of short channel effects in SOI MOSFETs with 35 nm channel width and 70 nm channel length // 1996 54th Annual Device Research Conference Digest : [англ.] / Effendi Leobandung, Stephen Y. Chou. — 1996. — P. 110–111. — ISBN 0-7803-3358-6. — doi:10.1109/DRC.1996.546334.
Leobandung, Effendi; Gu, Jian; Guo, Lingjie; Chou, Stephen Y. (1 ноября 1997). Wire-channel and wrap-around-gate metal–oxide–semiconductor field-effect transistors with a significant reduction of short channel effects. Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena (англ.). 15 (6): 2791—2794. Bibcode:1997JVSTB..15.2791L. doi:10.1116/1.589729. ISSN 1071-1023.
Hisamoto, Digh. A folded-channel MOSFET for deep-sub-tenth micron era // International Electron Devices Meeting 1998. Technical Digest (Cat. No.98CH36217) / Digh Hisamoto, Chenming Hu, Tsu-Jae King Liu … [и др.]. — December 1998. — P. 1032–1034. — ISBN 0-7803-4774-9. — doi:10.1109/IEDM.1998.746531.
Hisamoto, Digh. Sub 50-nm FinFET: PMOS // International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318) / Digh Hisamoto, Jakub Kedzierski, Erik Anderson … [и др.]. — December 1999. — P. 67–70. — ISBN 0-7803-5410-9. — doi:10.1109/IEDM.1999.823848.
Hu, Chenming. Sub-20 nm CMOS FinFET technologies // International Electron Devices Meeting. Technical Digest (Cat. No.01CH37224) / Chenming Hu, Yang-Kyu Choi, N. Lindert … [и др.]. — December 2001. — P. 19.1.1–19.1.4. — ISBN 0-7803-7050-3. — doi:10.1109/IEDM.2001.979526.
Ahmed, Shibly. FinFET scaling to 10 nm gate length // Digest. International Electron Devices Meeting / Shibly Ahmed, Scott Bell, Cyrus Tabery … [и др.]. — December 2002. — P. 251–254. — ISBN 0-7803-7462-2. — doi:10.1109/IEDM.2002.1175825.
Lee, Hyunjin. Sub-5nm All-Around Gate FinFET for Ultimate Scaling // 2006 Symposium on VLSI Technology, 2006. Digest of Technical Papers : [англ.]. — 2006. — P. 58–59. — ISBN 978-1-4244-0005-8. — doi:10.1109/VLSIT.2006.1705215.
Fu-Liang Yang et al. 25 nm CMOS Omega FETs (англ.) // Digest. International Electron Devices Meeting. — San Francisco, 2002. — P. 255-258. — doi:10.1109/IEDM.2002.1175826.

doi.org

Farrah, H. R.; Steinberg, R. F. (Февраль 1967). Analysis of double-gate thin-film transistor. IEEE Transactions on Electron Devices (англ.). 14 (2): 69—74. Bibcode:1967ITED...14...69F. doi:10.1109/T-ED.1967.15901.
Sekigawa, Toshihiro; Hayashi, Yutaka (Август 1984). Calculated threshold-voltage characteristics of an XMOS transistor having an additional bottom gate. Solid-State Electronics (англ.). 27 (8): 827—828. Bibcode:1984SSEle..27..827S. doi:10.1016/0038-1101(84)90036-4. ISSN 0038-1101.
Leobandung, Effendi; Gu, Jian; Guo, Lingjie; Chou, Stephen Y. (1 ноября 1997). Wire-channel and wrap-around-gate metal–oxide–semiconductor field-effect transistors with a significant reduction of short channel effects. Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena (англ.). 15 (6): 2791—2794. Bibcode:1997JVSTB..15.2791L. doi:10.1116/1.589729. ISSN 1071-1023.
Hisamoto, Digh; Hu, Chenming; Bokor, J.; King, Tsu-Jae; Anderson, E.; et al. (Декабрь 2000). FinFET—a self-aligned double-gate MOSFET scalable to 20 nm. IEEE Transactions on Electron Devices. 47 (12): 2320—2325. Bibcode:2000ITED...47.2320H. CiteSeerX 10.1.1.211.204. doi:10.1109/16.887014.
Hisamoto, Digh; Hu, Chenming; Huang, Xuejue; Lee, Wen-Chin; Kuo, Charles; et al. (Май 2001). Sub-50 nm P-channel FinFET (PDF). IEEE Transactions on Electron Devices. 48 (5): 880—886. Bibcode:2001ITED...48..880H. doi:10.1109/16.918235.
Rostami, M.; Mohanram, K. (2011). Dual-V_th Independent-Gate FinFETs for Low Power Logic Circuits (PDF). IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems (англ.). 30 (3): 337—349. doi:10.1109/TCAD.2010.2097310. hdl:1911/72088. S2CID 2225579.
Bohr, Mark T.; Young, Ian A. (2017). CMOS Scaling Trends and Beyond. IEEE Micro (англ.). 37 (6): 20—29. doi:10.1109/MM.2017.4241347. S2CID 6700881. The next major transistor innovation was the introduction of FinFET (tri-gate) transistors on Intel's 22-nm technology in 2011..

fastturnchip.com (Global: low place; Russian: low place)

Транзисторы достигают критической точки на уровне 3 нм . FAST TURN CHIP. Дата обращения: 11 сентября 2025.

hdl.handle.net (Global: 66^th place; Russian: 1,016^th place)

Rostami, M.; Mohanram, K. (2011). Dual-V_th Independent-Gate FinFETs for Low Power Logic Circuits (PDF). IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems (англ.). 30 (3): 337—349. doi:10.1109/TCAD.2010.2097310. hdl:1911/72088. S2CID 2225579.

highbeam.com (Global: 515^th place; Russian: 909^th place)

Still Room at the Bottom.(nanometer transistor developed by Yang-kyu Choi from the Korea Advanced Institute of Science and Technology ), Nanoparticle News (англ.), 1 апреля 2006, Архивировано из оригинала 6 ноября 2012, Дата обращения: 6 июля 2019

ieee.org (Global: 912^th place; Russian: 1,301^st place)

ieee.org

IEEE Andrew S. Grove Award Recipients (англ.). IEEE Andrew S. Grove Award. Institute of Electrical and Electronics Engineers. Дата обращения: 4 июля 2019. Архивировано из оригинала 9 сентября 2018 года.

spectrum.ieee.org

How the Father of FinFETs Helped Save Moore's Law: Chenming Hu, the 2020 IEEE Medal of Honor recipient, took transistors into the third dimension. IEEE Spectrum (англ.). 21 апреля 2020. Дата обращения: 27 декабря 2021.

intel.com (Global: 1,727^th place; Russian: 1,125^th place)

intel.com

The Breakthrough Advantage for FPGAs with Tri-Gate Technology (англ.). Intel (2014). Дата обращения: 4 июля 2019.

download.intel.com

Bohr, Mark; Mistry, Kaizad. Intel's Revolutionary 22 nm Transistor Technology (англ.). intel.com (май 2011). Дата обращения: 18 апреля 2018.

jestr.org (Global: low place; Russian: low place)

Kamal Y. The Silicon Age: Trends in Semiconductor Devices Industry (англ.) // Journal of Engineering Science and Technology Review. — 2022. — Vol. 15. — P. 113–114. — ISSN 1791-2377. — doi:10.25103/jestr.151.14.

psu.edu (Global: 299^th place; Russian: 1,074^th place)

citeseerx.ist.psu.edu

Hisamoto, Digh; Hu, Chenming; Bokor, J.; King, Tsu-Jae; Anderson, E.; et al. (Декабрь 2000). FinFET—a self-aligned double-gate MOSFET scalable to 20 nm. IEEE Transactions on Electron Devices. 47 (12): 2320—2325. Bibcode:2000ITED...47.2320H. CiteSeerX 10.1.1.211.204. doi:10.1109/16.887014.

rice.edu (Global: 3,744^th place; Russian: 4,973^rd place)

scholarship.rice.edu

Rostami, M.; Mohanram, K. (2011). Dual-V_th Independent-Gate FinFETs for Low Power Logic Circuits (PDF). IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems (англ.). 30 (3): 337—349. doi:10.1109/TCAD.2010.2097310. hdl:1911/72088. S2CID 2225579.

semanticscholar.org (Global: 15^th place; Russian: 156^th place)

api.semanticscholar.org

Koike, Hanpei; Nakagawa, Tadashi; Sekigawa, Toshiro; Suzuki, E.; Tsutsumi, Toshiyuki (23 февраля 2003). Primary Consideration on Compact Modeling of DG MOSFETs with Four-terminal Operation Mode. TechConnect Briefs (англ.). 2 (2003): 330—333. S2CID 189033174.
Rostami, M.; Mohanram, K. (2011). Dual-V_th Independent-Gate FinFETs for Low Power Logic Circuits (PDF). IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems (англ.). 30 (3): 337—349. doi:10.1109/TCAD.2010.2097310. hdl:1911/72088. S2CID 2225579.
Bohr, Mark T.; Young, Ian A. (2017). CMOS Scaling Trends and Beyond. IEEE Micro (англ.). 37 (6): 20—29. doi:10.1109/MM.2017.4241347. S2CID 6700881. The next major transistor innovation was the introduction of FinFET (tri-gate) transistors on Intel's 22-nm technology in 2011..

skhynix.com (Global: low place; Russian: low place)

History: 2010s (англ.). SK Hynix. Дата обращения: 8 июля 2019. Архивировано из оригинала 17 мая 2021 года.

tadviser.com (Global: low place; Russian: low place)

2022: Samsung begins shipping world's first 3nm chips . TADVISER. Дата обращения: 11 сентября 2025.

techradar.com (Global: 1,513^th place; Russian: 1,523^rd place)

Grabham, Dan (May 6, 2011-05-6). Intel's Tri-Gate transistors: everything you need to know. TechRadar (англ.). Дата обращения: 2018-04-19. {{cite news}}: Проверьте значение даты: |date= (справка)

tomshardware.co.uk (Global: low place; Russian: low place)

Samsung Mass Producing 128Gb 3-bit MLC NAND Flash. Tom's Hardware (англ.). 11 апреля 2013. Архивировано из оригинала 21 июня 2019. Дата обращения: 21 июня 2019.

tsmc.com (Global: low place; Russian: low place)

16/12nm Technology (англ.). TSMC. Дата обращения: 30 июня 2019.

web.archive.org (Global: 1^st place; Russian: 1^st place)

IEEE Andrew S. Grove Award Recipients (англ.). IEEE Andrew S. Grove Award. Institute of Electrical and Electronics Engineers. Дата обращения: 4 июля 2019. Архивировано из оригинала 9 сентября 2018 года.
Tsu-Jae King, Liu. FinFET: History, Fundamentals and Future (англ.). University of California, Berkeley. Symposium on VLSI Technology Short Course (11 июня 2012). Дата обращения: 9 июля 2019. Архивировано 28 мая 2016 года.
Still Room at the Bottom.(nanometer transistor developed by Yang-kyu Choi from the Korea Advanced Institute of Science and Technology ), Nanoparticle News (англ.), 1 апреля 2006, Архивировано из оригинала 6 ноября 2012, Дата обращения: 6 июля 2019
Intel 22nm 3-D Tri-Gate Transistor Technology (англ.). Intel Newsroom (2 мая 2011). Дата обращения: 6 мая 2018. Архивировано 6 мая 2018 года.
History: 2010s (англ.). SK Hynix. Дата обращения: 8 июля 2019. Архивировано из оригинала 17 мая 2021 года.
Samsung Mass Producing 128Gb 3-bit MLC NAND Flash. Tom's Hardware (англ.). 11 апреля 2013. Архивировано из оригинала 21 июня 2019. Дата обращения: 21 июня 2019.

worldcat.org (Global: 4^th place; Russian: 3^rd place)

search.worldcat.org

Sekigawa, Toshihiro; Hayashi, Yutaka (Август 1984). Calculated threshold-voltage characteristics of an XMOS transistor having an additional bottom gate. Solid-State Electronics (англ.). 27 (8): 827—828. Bibcode:1984SSEle..27..827S. doi:10.1016/0038-1101(84)90036-4. ISSN 0038-1101.
Leobandung, Effendi; Gu, Jian; Guo, Lingjie; Chou, Stephen Y. (1 ноября 1997). Wire-channel and wrap-around-gate metal–oxide–semiconductor field-effect transistors with a significant reduction of short channel effects. Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena (англ.). 15 (6): 2791—2794. Bibcode:1997JVSTB..15.2791L. doi:10.1116/1.589729. ISSN 1071-1023.

worldcat.org

Kamal Y. The Silicon Age: Trends in Semiconductor Devices Industry (англ.) // Journal of Engineering Science and Technology Review. — 2022. — Vol. 15. — P. 113–114. — ISSN 1791-2377. — doi:10.25103/jestr.151.14.

FinFET (Russian Wikipedia)

3dnews.ru (Global: 3,209th place; Russian: 184th place)

adsabs.harvard.edu (Global: 14th place; Russian: 54th place)

ui.adsabs.harvard.edu

archive.org (Global: 6th place; Russian: 6th place)

berkeley.edu (Global: 621st place; Russian: 1,100th place)

people.eecs.berkeley.edu

books.google.com (Global: 3rd place; Russian: 12th place)

doi.org (Global: 2nd place; Russian: 5th place)

dx.doi.org

doi.org

fastturnchip.com (Global: low place; Russian: low place)

hdl.handle.net (Global: 66th place; Russian: 1,016th place)

highbeam.com (Global: 515th place; Russian: 909th place)

ieee.org (Global: 912th place; Russian: 1,301st place)

ieee.org

spectrum.ieee.org

intel.com (Global: 1,727th place; Russian: 1,125th place)

intel.com

download.intel.com

jestr.org (Global: low place; Russian: low place)

psu.edu (Global: 299th place; Russian: 1,074th place)

citeseerx.ist.psu.edu

rice.edu (Global: 3,744th place; Russian: 4,973rd place)

scholarship.rice.edu

semanticscholar.org (Global: 15th place; Russian: 156th place)

api.semanticscholar.org

skhynix.com (Global: low place; Russian: low place)

tadviser.com (Global: low place; Russian: low place)

techradar.com (Global: 1,513th place; Russian: 1,523rd place)

tomshardware.co.uk (Global: low place; Russian: low place)

tsmc.com (Global: low place; Russian: low place)

web.archive.org (Global: 1st place; Russian: 1st place)

worldcat.org (Global: 4th place; Russian: 3rd place)

search.worldcat.org

worldcat.org

3dnews.ru (Global: 3,209^th place; Russian: 184^th place)

adsabs.harvard.edu (Global: 14^th place; Russian: 54^th place)

archive.org (Global: 6^th place; Russian: 6^th place)

berkeley.edu (Global: 621^st place; Russian: 1,100^th place)

books.google.com (Global: 3^rd place; Russian: 12^th place)

doi.org (Global: 2^nd place; Russian: 5^th place)

hdl.handle.net (Global: 66^th place; Russian: 1,016^th place)

highbeam.com (Global: 515^th place; Russian: 909^th place)

ieee.org (Global: 912^th place; Russian: 1,301^st place)

intel.com (Global: 1,727^th place; Russian: 1,125^th place)

psu.edu (Global: 299^th place; Russian: 1,074^th place)

rice.edu (Global: 3,744^th place; Russian: 4,973^rd place)

semanticscholar.org (Global: 15^th place; Russian: 156^th place)

techradar.com (Global: 1,513^th place; Russian: 1,523^rd place)

web.archive.org (Global: 1^st place; Russian: 1^st place)

worldcat.org (Global: 4^th place; Russian: 3^rd place)