Карбид кремния (Russian Wikipedia)

Analysis of information sources in references of the Wikipedia article "Карбид кремния" in Russian language version.

refsWebsite

Global rank Russian rank

16doi.org

2^nd place

3^rd place

15web.archive.org

1^st place

12books.google.com

3^rd place

10^th place

6webcitation.org

24^th place

2^nd place

3google.com

163^rd place

248^th place

2ioffe.ru

low place

5,740^th place

2wikipedia.org

low place

2iop.org

1,725^th place

840^th place

2ieee.org

652^nd place

857^th place

2charlesandcolvard.com

low place

2gatech.edu

4,448^th place

low place

1cdc.gov

218^th place

209^th place

1scientificamericanpast.com

low place

1indiana.edu

2,113^th place

2,088^th place

1bnf.fr

124^th place

284^th place

1geoscienceworld.org

3,158^th place

3,913^th place

1ucl.ac.uk

1,306^th place

2,131^st place

1nsc.co.jp

low place

1distant.ru

low place

1unipass.com

low place

1futurefirepower.com

low place

1topmost10.com

low place

1mrs.org

low place

1misty.com

low place

1esa.int

1,482^nd place

1,334^th place

1harvard.edu

18^th place

63^rd place

1nasa.gov

75^th place

123^rd place

1nih.gov

4^th place

6^th place

1millerandco.com

low place

1ufn.ru

8,543^rd place

742^nd place

bnf.fr

gallica.bnf.fr

Moissan, Henri. Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon Diablo (фр.) // Comptes rendus^[англ.] : magazine. — 1904. — Vol. 139. — P. 773—786. Архивировано 2 декабря 2019 года.

books.google.com

Weimer, A. W. Carbide, nitride, and boride materials synthesis and processing (англ.). — Springer, 1997. — P. 115. — ISBN 0412540606.
Harris, Gary Lynn. Properties of silicon carbide (англ.). — United Kingdom: IEE, 1995. — 282 с. — P. 19; 170—180. — ISBN 0852968701.
Byrappa, K.; Ohachi, T. Crystal growth technology (англ.). — Springer, 2003. — P. 180—200. — ISBN 3540003673.
Park, Yoon-Soo. SiC materials and devices (англ.). — Academic Press, 1998. — P. 20—60. — ISBN 0127521607.
Cheung, Rebecca. Silicon carbide microelectromechanical systems for harsh environments (англ.). — Imperial College Press, 2006. — P. 3. — ISBN 1860946240.
Yoon-Soo Park, Willardson, Eicke R. Weber. SiC materials and devices (англ.). — Academic Press, 1998. — P. 1—18. — ISBN 0127521607.
Bansal, Narottam P. Handbook of ceramic composites (англ.). — Springer, 2005. — P. 312. — ISBN 1402081332.
Whitaker, Jerry C. The electronics handbook (англ.). — CRC Press, 2005. — P. 1108. — ISBN 0849318890.
Stringfellow, Gerald B. High brightness light emitting diodes (англ.). — Academic Press, 1997. — P. 48, 57, 425. — ISBN 0127521569.
Yeshvant V. Deshmukh. Industrial heating: principles, techniques, materials, applications, and design. — CRC Press, 2005. — С. 383—393. — ISBN 0849334055.
O'Donoghue, M. Gems (англ.). — Elsevier. — 2006. — P. 89. — ISBN 0-75-065856-8.
Rase, Howard F. Handbook of commercial catalysts : heterogeneous catalysts : [англ.]. — CRC Press, 2000. — P. 258. — ISBN 0849394171.

cdc.gov

http://www.cdc.gov/niosh/npg/npgd0555.html

charlesandcolvard.com

Moissanite vs. Diamond: What’s the Difference? (англ.)
What is moissanite? (англ.)

distant.ru

onx.distant.ru

Важнейшие соединения кремния (рус.). Дата обращения: 24 мая 2010. Архивировано 13 октября 2007 года.

doi.org

dx.doi.org

Alexander C. M. O'D. In situ measurement of interstellar silicon carbide in two CM chondrite meteorites (англ.) // Nature : journal. — 1990. — Vol. 348. — P. 715—717. — doi:10.1038/348715a0.
Pitcher, M. W.; Joray, S. J.; Bianconi, P. A. Smooth Continuous Films of Stoichiometric Silicon Carbide from Poly(methylsilyne) (англ.) // журнал Advanced Materials. — 2004. — P. 706. — doi:10.1002/adma.200306467.
Bunsell, A. R.; Piant, A. A review of the development of three generations of small diameter silicon carbide fibres (англ.) // Journal of Materials Science. — 2006. — P. 823. — doi:10.1007/s10853-006-6566-z.
Laine, Richard M. Preceramic polymer routes to silicon carbide (англ.). — Babonneau, Florence: Chemistry of Materials, 1993. — P. 260. — doi:10.1021/cm00027a007.
Morkoç, H.; Strite, S.; Gao, G. B.; Lin, M. E.; Sverdlov, B.; Burns, M. Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies (англ.). — Journal of Applied Physics, 1994. — P. 1363. — doi:10.1063/1.358463.
Muranaka, T. Superconductivity in carrier-doped silicon carbide (англ.). — Sci. Technol. Adv. Mater., 2008. — doi:10.1088/1468-6996/9/4/044204.
Bhatnagar, M.; Baliga, B. J. Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for power devices (англ.). — IEEE Transactions on Electron Devices, 1993. — Iss. 3. — P. 645—655. — doi:10.1109/16.199372. Архивировано 1 сентября 2010 года.
Kriener, M. Superconductivity in heavily boron-doped silicon carbide (англ.) // Sci. Technol. Adv. Mater. : журнал. — 2008. — Iss. 9. — P. 044205. — doi:10.1088/1468-6996/9/4/044205.
O'Sullivan, D.; Pomeroy, M. J.; Hampshire, S.; Murtagh, M. J. Degradation resistance of silicon carbide diesel particulate filters to diesel fuel ash deposits (англ.) // MRS proceedings. — 2004. — Iss. 19. — P. 2913—2921. — doi:10.1557/JMR.2004.0373.
Bhatnagar, M.; Baliga, B. J. Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for power devices (англ.) // IEEE Transactions on Electron Devices. — 1993. — Iss. 3. — P. 645—655. — doi:10.1109/16.199372. Архивировано 1 сентября 2010 года.
Madar, Roland. Materials science: Silicon carbide in contention (англ.) // Nature : Журнал. — 2004-08-26. — Iss. 430. — P. 974—975. — doi:10.1038/430974a.
Maun, Jignesh D.; Sunderland, P. B.; Urban, D. L. Thin-filament pyrometry with a digital still camera (англ.) // Applied Optics. — 2007. — Iss. 4. — P. 483. — doi:10.1364/AO.46.000483. — PMID 17230239.
López-Honorato, E. TRISO coated fuel particles with enhanced SiC properties (англ.) // Journal of Nuclear Materials : журнал. — 2009. — P. 219. — doi:10.1016/j.jnucmat.2009.03.013.
Singh, S. K. High surface area silicon carbide from rice husk : A support material for catalysts : [англ.] / S. K. Singh, K. M. Parida, B. C. Mohanty … [et al.] // Reaction Kinetics and Catalysis Letters. — 1995. — Vol. 54. — P. 29–34. — doi:10.1007/BF02071177.
de Heer, Walt A. Epitaxial graphene (англ.) // Solid State Communications. — 2007. — P. 92. — doi:10.1016/j.ssc.2007.04.023. Архивировано 9 декабря 2008 года.
Елецкий А. В., Искандарова И. М., Книжник А. А., Красиков Д. Н. Графен: методы получения и теплофизические свойства (рус.) // Успехи физических наук. — Российская академия наук, 2011. — Т. 181. — С. 227—258. — doi:10.3367/UFNr.0181.201103a.0233. Архивировано 14 декабря 2012 года.

esa.int

"The largest telescope mirror ever put into space" (англ.). European Space Agency. Архивировано 19 октября 2012. Дата обращения: 3 мая 2010.

futurefirepower.com

Dragon Skin – Most Protective Body Armor – Lightweight (англ.). Future Firepower. Архивировано 24 апреля 2012 года.

gatech.edu

physics.gatech.edu

de Heer, Walt A. Handbook of Nanophysics (англ.). — Epitaxial graphene: Taylor and Francis, 2010. — ISBN 1420075381. (недоступная ссылка)
de Heer, Walt A. Epitaxial graphene (англ.) // Solid State Communications. — 2007. — P. 92. — doi:10.1016/j.ssc.2007.04.023. Архивировано 9 декабря 2008 года.

geoscienceworld.org

Di Pierro S. et al. Rock-forming moissanite (natural α-silicon carbide) (итал.) // American Mineralogist^[англ.] : diario. — 2003. — V. 88. — P. 1817—1821. Архивировано 24 сентября 2015 года.

google.com

Acheson, G. (1893) U.S. Patent 492 767 «Production of artificial crystalline carbonaceous material» (англ.).
Dunwoody, Henry H. C. (1906) U.S. Patent 837 616 «Wireless telegraph system» (silicon carbide detector) (англ.).
Fuster, Marco A. (1997) «Skateboard grip tape», U.S. Patent 5 622 759 (англ.).

harvard.edu

adsabs.harvard.edu

Petrovsky, G. T. 2.7-meter-diameter silicon carbide primary mirror for the SOFIA telescope (англ.) // Journal Proc. SPIE. — P. 263. Архивировано 1 октября 2017 года.

ieee.org

ieeexplore.ieee.org

Bhatnagar, M.; Baliga, B. J. Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for power devices (англ.). — IEEE Transactions on Electron Devices, 1993. — Iss. 3. — P. 645—655. — doi:10.1109/16.199372. Архивировано 1 сентября 2010 года.
Bhatnagar, M.; Baliga, B. J. Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for power devices (англ.) // IEEE Transactions on Electron Devices. — 1993. — Iss. 3. — P. 645—655. — doi:10.1109/16.199372. Архивировано 1 сентября 2010 года.

indiana.edu

Hart, Jeffrey A.; Stefanie Ann Lenway, Thomas Murtha.: A History of Electroluminescent Displays (англ.). Архивировано 24 апреля 2012 года.

ioffe.ru

Properties of Silicon Carbide (SiC) (англ.). Ioffe Institute. Архивировано 24 апреля 2012 года.
Properties of Silicon Carbide (SiC) (англ.). Ioffe Institute. Дата обращения: 6 июня 2009. Архивировано 24 апреля 2012 года.

iop.org

Muranaka, T. Superconductivity in carrier-doped silicon carbide (англ.). — Sci. Technol. Adv. Mater., 2008. — doi:10.1088/1468-6996/9/4/044204.
Kriener, M. Superconductivity in heavily boron-doped silicon carbide (англ.) // Sci. Technol. Adv. Mater. : журнал. — 2008. — Iss. 9. — P. 044205. — doi:10.1088/1468-6996/9/4/044205.

millerandco.com

Silicon carbide (steel industry) (англ.). Архивировано 24 апреля 2012 года.

misty.com

members.misty.com

Yellow SiC LED (англ.). Архивировано 24 апреля 2012 года.

mrs.org

O'Sullivan, D.; Pomeroy, M. J.; Hampshire, S.; Murtagh, M. J. Degradation resistance of silicon carbide diesel particulate filters to diesel fuel ash deposits (англ.) // MRS proceedings. — 2004. — Iss. 19. — P. 2913—2921. — doi:10.1557/JMR.2004.0373.

nasa.gov

grc.nasa.gov

"Thin-Filament Pyrometry Developed for Measuring Temperatures in Flames" (англ.). NASA. Архивировано 15 марта 2012. Дата обращения: 3 мая 2010.

nih.gov

ncbi.nlm.nih.gov

Maun, Jignesh D.; Sunderland, P. B.; Urban, D. L. Thin-filament pyrometry with a digital still camera (англ.) // Applied Optics. — 2007. — Iss. 4. — P. 483. — doi:10.1364/AO.46.000483. — PMID 17230239.

nsc.co.jp

N. Ohtani, T. Fujimoto, T. Aigo, M. Katsuno, H. Tsuge, H. Yashiro. Large high-quality silicon carbide substrates (англ.) // Nippon Steel Technical Report. — 2001. — No. 84. Архивировано 4 марта 2012 года.

scientificamericanpast.com

"The Manufacture of Carborundum — a New Industry" (англ.). 1894-07-04. Архивировано из оригинала 23 января 2009.

topmost10.com

Top 10 Fast Cars (англ.). Архивировано из оригинала 26 августа 2009 года.

ucl.ac.uk

img.chem.ucl.ac.uk

Jim Kelly. The Astrophysical Nature of Silicon Carbide (неопр.). Архивировано 4 мая 2017 года.

ufn.ru

Елецкий А. В., Искандарова И. М., Книжник А. А., Красиков Д. Н. Графен: методы получения и теплофизические свойства (рус.) // Успехи физических наук. — Российская академия наук, 2011. — Т. 181. — С. 227—258. — doi:10.3367/UFNr.0181.201103a.0233. Архивировано 14 декабря 2012 года.

unipass.com

"Ceramics for turbine engines" (англ.). Архивировано 6 апреля 2009.

web.archive.org

"The Manufacture of Carborundum — a New Industry" (англ.). 1894-07-04. Архивировано из оригинала 23 января 2009.
Moissan, Henri. Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon Diablo (фр.) // Comptes rendus^[англ.] : magazine. — 1904. — Vol. 139. — P. 773—786. Архивировано 2 декабря 2019 года.
Di Pierro S. et al. Rock-forming moissanite (natural α-silicon carbide) (итал.) // American Mineralogist^[англ.] : diario. — 2003. — V. 88. — P. 1817—1821. Архивировано 24 сентября 2015 года.
Jim Kelly. The Astrophysical Nature of Silicon Carbide (неопр.). Архивировано 4 мая 2017 года.
N. Ohtani, T. Fujimoto, T. Aigo, M. Katsuno, H. Tsuge, H. Yashiro. Large high-quality silicon carbide substrates (англ.) // Nippon Steel Technical Report. — 2001. — No. 84. Архивировано 4 марта 2012 года.
Bhatnagar, M.; Baliga, B. J. Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for power devices (англ.). — IEEE Transactions on Electron Devices, 1993. — Iss. 3. — P. 645—655. — doi:10.1109/16.199372. Архивировано 1 сентября 2010 года.
Важнейшие соединения кремния (рус.). Дата обращения: 24 мая 2010. Архивировано 13 октября 2007 года.
"Ceramics for turbine engines" (англ.). Архивировано 6 апреля 2009.
Top 10 Fast Cars (англ.). Архивировано из оригинала 26 августа 2009 года.
Bhatnagar, M.; Baliga, B. J. Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for power devices (англ.) // IEEE Transactions on Electron Devices. — 1993. — Iss. 3. — P. 645—655. — doi:10.1109/16.199372. Архивировано 1 сентября 2010 года.
"The largest telescope mirror ever put into space" (англ.). European Space Agency. Архивировано 19 октября 2012. Дата обращения: 3 мая 2010.
Petrovsky, G. T. 2.7-meter-diameter silicon carbide primary mirror for the SOFIA telescope (англ.) // Journal Proc. SPIE. — P. 263. Архивировано 1 октября 2017 года.
"Thin-Filament Pyrometry Developed for Measuring Temperatures in Flames" (англ.). NASA. Архивировано 15 марта 2012. Дата обращения: 3 мая 2010.
de Heer, Walt A. Epitaxial graphene (англ.) // Solid State Communications. — 2007. — P. 92. — doi:10.1016/j.ssc.2007.04.023. Архивировано 9 декабря 2008 года.
Елецкий А. В., Искандарова И. М., Книжник А. А., Красиков Д. Н. Графен: методы получения и теплофизические свойства (рус.) // Успехи физических наук. — Российская академия наук, 2011. — Т. 181. — С. 227—258. — doi:10.3367/UFNr.0181.201103a.0233. Архивировано 14 декабря 2012 года.

webcitation.org

Properties of Silicon Carbide (SiC) (англ.). Ioffe Institute. Архивировано 24 апреля 2012 года.
Hart, Jeffrey A.; Stefanie Ann Lenway, Thomas Murtha.: A History of Electroluminescent Displays (англ.). Архивировано 24 апреля 2012 года.
Properties of Silicon Carbide (SiC) (англ.). Ioffe Institute. Дата обращения: 6 июня 2009. Архивировано 24 апреля 2012 года.
Dragon Skin – Most Protective Body Armor – Lightweight (англ.). Future Firepower. Архивировано 24 апреля 2012 года.
Yellow SiC LED (англ.). Архивировано 24 апреля 2012 года.
Silicon carbide (steel industry) (англ.). Архивировано 24 апреля 2012 года.

wikipedia.org

en.wikipedia.org

Moissan, Henri. Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon Diablo (фр.) // Comptes rendus^[англ.] : magazine. — 1904. — Vol. 139. — P. 773—786. Архивировано 2 декабря 2019 года.
Di Pierro S. et al. Rock-forming moissanite (natural α-silicon carbide) (итал.) // American Mineralogist^[англ.] : diario. — 2003. — V. 88. — P. 1817—1821. Архивировано 24 сентября 2015 года.