Магниторезистивная оперативная память (Russian Wikipedia)

Analysis of information sources in references of the Wikipedia article "Магниторезистивная оперативная память" in Russian language version.

refsWebsite

Global rank Russian rank

22web.archive.org

1^st place

43dnews.ru

2,135^th place

146^th place

1anandtech.com

1,383^rd place

1,528^th place

1taipeitimes.com

1,398^th place

2,850^th place

1electronicsweekly.com

low place

6,905^th place

1electronics.ru

low place

1,692^nd place

1eejournal.com

low place

1rbc.ru

357^th place

32^nd place

1zelenograd.ru

low place

7,430^th place

1ibm.com

1,131^st place

1,354^th place

1cnews.ru

2,702^nd place

193^rd place

1crocusnano.com

low place

1smartm.com

low place

1chrdk.ru

low place

7,797^th place

1tohoku.ac.jp

9,956^th place

low place

1eetimes.com

3,722^nd place

3,808^th place

1mram-info.com

low place

1spintronics-info.com

low place

1storagenewsletter.com

low place

1ferra.ru

8,272^nd place

661^st place

3dnews.ru

Кое-что новенькое: память SOT-MRAM можно выпускать в промышленных масштабах // 3DNews / Архивная копия от 16 апреля 2019 на Wayback Machine
Intel и Samsung хорошо продвинулись в разработке встраиваемой MRAM (неопр.). Дата обращения: 5 апреля 2019. Архивировано 22 апреля 2019 года.
Intel заявила о готовности к производству встроенной памяти MRAM Архивная копия от 22 июня 2019 на Wayback Machine // 3DNews
Samsung начала выпуск чипов со встроенной памятью eMRAM (неопр.). Дата обращения: 22 июня 2019. Архивировано 22 июня 2019 года.

anandtech.com

Samsung Ships First Commercial Embedded MRAM (eMRAM) Product // anandtech.com / Архивная копия от 4 июня 2019 на Wayback Machine

chrdk.ru

Японцы подняли ёмкость MRAM-чипа до 128 Мбит (неопр.). Дата обращения: 29 декабря 2018. Архивировано 29 декабря 2018 года.

cnews.ru

МФТИ разрабатывает флэш-память «с переносом спинового момента» Архивная копия от 9 апреля 2019 на Wayback Machine // CNews

crocusnano.com

Компания Крокус Наноэлектроника опубликовала данные о разработке технологии энергонезависимой магниторезистивной памяти STT MRAM Архивная копия от 18 мая 2019 на Wayback Machine // Крокус Наноэлектроника

eejournal.com

A More Reliable MRAM Mechanism – EEJournal (неопр.). Дата обращения: 5 апреля 2019. Архивировано 8 июля 2019 года.

eetimes.com

Intel Says FinFET-Based Embedded MRAM is Production-Ready Архивная копия от 22 июня 2019 на Wayback Machine // EE Times

electronics.ru

Архивированная копия (неопр.). Дата обращения: 5 апреля 2019. Архивировано 30 апреля 2019 года.

electronicsweekly.com

IEF2013: Crocus MRAM to start mass-production this year // electronicsweekly.com / Архивная копия от 1 апреля 2019 на Wayback Machine

ferra.ru

TSMC разработала «революционный» чип со значительно сниженным энергопотреблением Архивная копия от 21 января 2024 на Wayback Machine // Тайваньский научно-исследовательский институт промышленных технологий, 21 января 2024

ibm.com

Appearing today in IEEE Magnetic Letters, Worledge and his IBM colleagues and partners at Samsung have published a paper demonstrating switching MRAM cells for devices with diameters ranging from 50 down to 11 nanometers in only 10 nanoseconds, using only 7.5 microamperes — a significant achievement. (англ.). IBM Blog Research (7 июля 2016). Дата обращения: 21 июля 2016. Архивировано 14 июля 2016 года.

mram-info.com

Hprobe teams up with IMEC to develop SOT-MRAM testing tools | MRAM-Info (неопр.). Дата обращения: 22 июня 2019. Архивировано 22 июня 2019 года.

rbc.ru

Вспомнить все: "Дочка" "Роснано" первой в мире начала выпуск новой памяти Архивная копия от 1 апреля 2019 на Wayback Machine :: РБК, 31 окт 2013

smartm.com

SMART Modular Shipping nvNITRO NVMe Accelerator Card Featuring MRAM Technology (неопр.). Дата обращения: 3 мая 2018. Архивировано 4 мая 2018 года.

spintronics-info.com

Optically-assisted MRAM could be a thousand time more efficient then current MRAM devices | Spintronics-Info (неопр.). Дата обращения: 22 июня 2019. Архивировано 22 июня 2019 года.

storagenewsletter.com

Everspin in Pilot Production Phase for 28nm 1GB STT-MRAM Component Архивная копия от 22 июня 2019 на Wayback Machine // StorageNewsletter

taipeitimes.com

NTHU team makes major MRAM discovery // Taipei Times / Архивная копия от 17 апреля 2019 на Wayback Machine

tohoku.ac.jp

Researchers develop 128Mb STT-MRAM with world's fastest write speed for embedded memory Архивная копия от 29 декабря 2018 на Wayback Machine, 2018-12-28

web.archive.org

Samsung Ships First Commercial Embedded MRAM (eMRAM) Product // anandtech.com / Архивная копия от 4 июня 2019 на Wayback Machine
Кое-что новенькое: память SOT-MRAM можно выпускать в промышленных масштабах // 3DNews / Архивная копия от 16 апреля 2019 на Wayback Machine
NTHU team makes major MRAM discovery // Taipei Times / Архивная копия от 17 апреля 2019 на Wayback Machine
IEF2013: Crocus MRAM to start mass-production this year // electronicsweekly.com / Архивная копия от 1 апреля 2019 на Wayback Machine
Intel и Samsung хорошо продвинулись в разработке встраиваемой MRAM (неопр.). Дата обращения: 5 апреля 2019. Архивировано 22 апреля 2019 года.
Архивированная копия (неопр.). Дата обращения: 5 апреля 2019. Архивировано 30 апреля 2019 года.
A More Reliable MRAM Mechanism – EEJournal (неопр.). Дата обращения: 5 апреля 2019. Архивировано 8 июля 2019 года.
Вспомнить все: "Дочка" "Роснано" первой в мире начала выпуск новой памяти Архивная копия от 1 апреля 2019 на Wayback Machine :: РБК, 31 окт 2013
Крокус Наноэлектроника: «В Зеленограде нам не хватило 8 мегаватт…» - Интервью Архивная копия от 1 апреля 2019 на Wayback Machine // Зеленоград.ру
Appearing today in IEEE Magnetic Letters, Worledge and his IBM colleagues and partners at Samsung have published a paper demonstrating switching MRAM cells for devices with diameters ranging from 50 down to 11 nanometers in only 10 nanoseconds, using only 7.5 microamperes — a significant achievement. (англ.). IBM Blog Research (7 июля 2016). Дата обращения: 21 июля 2016. Архивировано 14 июля 2016 года.
МФТИ разрабатывает флэш-память «с переносом спинового момента» Архивная копия от 9 апреля 2019 на Wayback Machine // CNews
Компания Крокус Наноэлектроника опубликовала данные о разработке технологии энергонезависимой магниторезистивной памяти STT MRAM Архивная копия от 18 мая 2019 на Wayback Machine // Крокус Наноэлектроника
SMART Modular Shipping nvNITRO NVMe Accelerator Card Featuring MRAM Technology (неопр.). Дата обращения: 3 мая 2018. Архивировано 4 мая 2018 года.
Японцы подняли ёмкость MRAM-чипа до 128 Мбит (неопр.). Дата обращения: 29 декабря 2018. Архивировано 29 декабря 2018 года.
Researchers develop 128Mb STT-MRAM with world's fastest write speed for embedded memory Архивная копия от 29 декабря 2018 на Wayback Machine, 2018-12-28
Intel Says FinFET-Based Embedded MRAM is Production-Ready Архивная копия от 22 июня 2019 на Wayback Machine // EE Times
Intel заявила о готовности к производству встроенной памяти MRAM Архивная копия от 22 июня 2019 на Wayback Machine // 3DNews
Samsung начала выпуск чипов со встроенной памятью eMRAM (неопр.). Дата обращения: 22 июня 2019. Архивировано 22 июня 2019 года.
Hprobe teams up with IMEC to develop SOT-MRAM testing tools | MRAM-Info (неопр.). Дата обращения: 22 июня 2019. Архивировано 22 июня 2019 года.
Optically-assisted MRAM could be a thousand time more efficient then current MRAM devices | Spintronics-Info (неопр.). Дата обращения: 22 июня 2019. Архивировано 22 июня 2019 года.
Everspin in Pilot Production Phase for 28nm 1GB STT-MRAM Component Архивная копия от 22 июня 2019 на Wayback Machine // StorageNewsletter
TSMC разработала «революционный» чип со значительно сниженным энергопотреблением Архивная копия от 21 января 2024 на Wayback Machine // Тайваньский научно-исследовательский институт промышленных технологий, 21 января 2024

zelenograd.ru

Крокус Наноэлектроника: «В Зеленограде нам не хватило 8 мегаватт…» - Интервью Архивная копия от 1 апреля 2019 на Wayback Machine // Зеленоград.ру