Оксид гафния(IV) (Russian Wikipedia)

Analysis of information sources in references of the Wikipedia article "Оксид гафния(IV)" in Russian language version.

refsWebsite

Global rank Russian rank

2^nd place

3^rd place

2web.archive.org

1^st place

1^st place

1,118^th place

540^th place

6,028^th place

466^th place

doi.org

Pan Kwi Park, Sang-Won Kang: Enhancement of dielectric constant in HfO₂ thin films by the addition of Al₂O₃. In: Applied Physics Letters. 89, 2006, S. 192905, doi:10.1063/1.2387126.
M. N. Jones, Y. W. Kwon, D. P. Norton: Dielectric constant and current transport for HfO2 thin films on ITO. In: Applied Physics A. 81, 2005, S. 285–288, doi:10.1007/s00339-005-3208-2.

intel.com

Intel. Intel's Fundamental Advance in Transistor Design Extends Moore's Law, Computing Performance (неопр.) (11 ноября 2007). Дата обращения: 23 сентября 2018. Архивировано 23 декабря 2018 года.

nplus1.ru

Александр Дубов. Наночастицы оксида гафния помогут обнаружить и удалить зубной налет (неопр.). nplus1.ru. Дата обращения: 21 августа 2018. Архивировано 21 августа 2018 года.

web.archive.org

Intel. Intel's Fundamental Advance in Transistor Design Extends Moore's Law, Computing Performance (неопр.) (11 ноября 2007). Дата обращения: 23 сентября 2018. Архивировано 23 декабря 2018 года.
Александр Дубов. Наночастицы оксида гафния помогут обнаружить и удалить зубной налет (неопр.). nplus1.ru. Дата обращения: 21 августа 2018. Архивировано 21 августа 2018 года.