Sign In

Login

Password

Forgot Password ? Sign Up

Транзистор с плавающим затвором (Russian Wikipedia)

Analysis of information sources in references of the Wikipedia article "Транзистор с плавающим затвором" in Russian language version.

refsWebsite
Global rank Russian rank
5web.archive.org
1st place
1st place
2eetimes.com
3,722nd place
3,808th place
1usenix.org
5,990th place
low place
1eetasia.com
low place
low place
1chipworks.com
low place
low place

chipworks.com

eetasia.com

eetimes.com

  • Jeongdong Choe (TechInsights) (2013-07-25). "Comparing Leading-Edge NAND Flash Memories" (англ.). EETimes. Архивировано 12 января 2015. Дата обращения: 11 января 2015. All the NAND manufacturers adopted an air-gap process to achieve high performance and reliability. Toshiba implemented an air-gap process on its 19nm NAND device, while Samsung adopted it on 21nm. IMFT has used a more mature air-gap process on both the wordline and bitline structure since its 25nm NAND technology.
  • Peter Clarke (2014-08-25). "NAND, DRAM 3D-Transition Roadmaps" (англ.). EETimes. Архивировано 12 января 2015. Дата обращения: 11 января 2015.

usenix.org

static.usenix.org

web.archive.org

  • Write Endurance in Flash Drives: Measurements and Analysis Архивная копия от 11 января 2015 на Wayback Machine // FAST’10 Proceedings of the 8th USENIX conference on File and storage technologies, 2010
  • Jeongdong Choe (TechInsights) (2013-07-25). "Comparing Leading-Edge NAND Flash Memories" (англ.). EETimes. Архивировано 12 января 2015. Дата обращения: 11 января 2015. All the NAND manufacturers adopted an air-gap process to achieve high performance and reliability. Toshiba implemented an air-gap process on its 19nm NAND device, while Samsung adopted it on 21nm. IMFT has used a more mature air-gap process on both the wordline and bitline structure since its 25nm NAND technology.
  • Nirmal Ramaswamy, Thomas Graettinger, (Micron) (2013-07-05). "NAND flash scaling: 20nm node and below. Here are some of the fundamental cell design issues considered and addressed to arrive at this planar cell technology" (PDF) (англ.). EE Times-Asia. Архивировано (PDF) 12 января 2015. Дата обращения: 11 января 2015. This had already become a problem at the 25nm node requiring the deployment of airgap between the cells to reduce interference{{cite news}}: Википедия:Обслуживание CS1 (множественные имена: authors list) (ссылка)
  • Peter Clarke (2014-08-25). "NAND, DRAM 3D-Transition Roadmaps" (англ.). EETimes. Архивировано 12 января 2015. Дата обращения: 11 января 2015.
  • Dick James (2014-08-05). "The Second Shoe Drops – Samsung V-NAND Flash" (англ.). ChipWorks. Архивировано 1 января 2015. Дата обращения: 11 января 2015.