Флеш-память (Russian Wikipedia)

http://www.altec-cs.com/downloads/altec_white_paper/WP_Avoiding_premature_failures_of_NAND_Flash_memory_for_duplex-printing_e10.pdf Архивная копия от 4 марта 2016 на Wayback Machine «Resulting from the continuous reduction of the structure size of the flash memory chips, 2-bit MLC and 3-bit MLC (TLC) NAND flash memory …sometimes only allows 1,000 P/E cycles (MLC) and/or only a few hundred P/E cycles (TLC) per flash memory cell before degradation»; «Table 1: Typical P/E cycles …»

anandtech.com

Kristian Vättö,Understanding TLC NAND Архивная копия от 25 июля 2013 на Wayback Machine // Anandtech, February 23, 2012
Anand, Lal Shimpi (2013-07-25). "Samsung SSD 840 EVO Review: 120GB, 250GB, 500GB, 750GB & 1TB Models Tested". AnandTech. Архивировано 9 января 2015. Дата обращения: 9 января 2015. «Samsung calls its latest NAND process 10nm-class or 1x-nm, which can refer to feature sizes anywhere from 10nm to 19nm but we’ve also heard it referred to as 19nm TLC.»
Lal Shimpi, Anand (2010-12-02). "Micron's ClearNAND: 25nm + ECC, Combats Increasing Error Rates". Anandtech. Архивировано 3 декабря 2010. Дата обращения: 2 декабря 2010.

archive.today

ELJonline:Flash Filesystems for Embedded Linux Systems — Linux For Devices Articles — Linux for Devices (неопр.). Дата обращения: 12 декабря 2007. Архивировано из оригинала 5 декабря 2012 года.
Introducing YAFFS, the first NAND-specific flash file system — News — Linux for Devices (неопр.). Дата обращения: 12 декабря 2007. Архивировано из оригинала 12 сентября 2012 года.

bbc.co.uk

news.bbc.co.uk

R.I.P. Floppy Disk Архивная копия от 16 февраля 2009 на Wayback Machine // BBC NEWS, UK, 1 april 2003

chinaflashmarket.com

en.chinaflashmarket.com

Exhibit 3: NAND Flash interface standards development of different manufactories (англ.). 2012 NAND Flash market annual report. Industry analysis report. ChinaFlashMarket.com (13 января 2013). Дата обращения: 9 января 2015. Архивировано 1 августа 2014 года.
NAND Flash related product application market (англ.). 2012 NAND Flash market annual report. Industry analysis report. ChinaFlashMarket.com (13 января 2013). Дата обращения: 9 января 2015. Архивировано 1 августа 2014 года.

chipworks.com

Dick James (2014-08-05). "The Second Shoe Drops – Samsung V-NAND Flash" (англ.). ChipWorks. Архивировано 1 января 2015. Дата обращения: 11 января 2015.

dailytechinfo.org

[1] Архивная копия от 3 августа 2022 на Wayback Machine Выпущена первая в мире 232-слойная NAND-память Архивная копия от 28 июля 2022 на Wayback Machine // 28.07.2022

dell.com

Solid State Drive (SSD) FAQ Архивная копия от 8 октября 2013 на Wayback Machine // Dell: «6. I have unplugged my SSD drive and put it into storage. How long can I expect the drive to retain my data without needing to plug the drive back in? … In MLC and SLC, this can be as low as 3 months and best case can be more than 10 years»

demartek.com

Dennis Martin. NAND Flash – Endurance (неопр.). Demartek, Storage Decisions Conference (12 июня 2013). — «MLC typical life 10,000 or fewer write cycles  MLC-2: 3,000 – 10,000 write cycles  MLC-3: 300 – 3,000 write cycles». Дата обращения: 9 января 2015. Архивировано 9 января 2015 года.

doi.org

Overview of emerging nonvolatile memory technologies Архивная копия от 16 мая 2022 на Wayback Machine // Nanoscale Res Lett. 2014; 9(1): 526. Sep 25, 2014. doi:10.1186/1556-276X-9-526

droider.ru

Как на microSD помещается 1 ТБ? - Разбор | Droider.ru (неопр.). Дата обращения: 7 сентября 2021. Архивировано 7 сентября 2021 года.

eetasia.com

Nirmal Ramaswamy, Thomas Graettinger, (Micron) (2013-07-05). "NAND flash scaling: 20nm node and below. Here are some of the fundamental cell design issues considered and addressed to arrive at this planar cell technology" (PDF) (англ.). EE Times-Asia. Архивировано (PDF) 12 января 2015. Дата обращения: 11 января 2015. This had already become a problem at the 25nm node requiring the deployment of airgap between the cells to reduce interference{{cite news}}: Википедия:Обслуживание CS1 (множественные имена: authors list) (ссылка)

eetimes.com

Clarke, Peter (20 November 2012). «Samsung takes NAND memory below 20-nm» Архивная копия от 28 ноября 2012 на Wayback Machine eetimes.com. Retrieved 21 December 2012.
Jeongdong Choe (TechInsights) (2013-07-25). "Comparing Leading-Edge NAND Flash Memories" (англ.). EETimes. Архивировано 12 января 2015. Дата обращения: 11 января 2015. All the NAND manufacturers adopted an air-gap process to achieve high performance and reliability. Toshiba implemented an air-gap process on its 19nm NAND device, while Samsung adopted it on 21nm. IMFT has used a more mature air-gap process on both the wordline and bitline structure since its 25nm NAND technology.
Peter Clarke (2014-08-25). "NAND, DRAM 3D-Transition Roadmaps" (англ.). EETimes. Архивировано 12 января 2015. Дата обращения: 11 января 2015.
Rick Merritt (2014-08-05). "Samsung Tips 3-Bit Vertical NAND. Korean giant starts smart storage initiative" (англ.). EETimes. Архивировано 13 января 2015. Дата обращения: 11 января 2015.

extremetech.com

Ed Oswald (2012-02-20). "Current solid-state drive technology is doomed, says Microsoft Research" (англ.). ExtremeTech. Архивировано 9 января 2015. Дата обращения: 9 января 2015.

fcenter.ru

Samsung начала массовое производство 136-слойной 3D NAND и 256-ГБ SSD на новой памяти Архивная копия от 4 августа 2020 на Wayback Machine // fcenter.ru

flashmemorysummit.com

Edward Grochowski, Robert E.Fontana, Future Technology Challenges For NAND Flash and HDD Products Архивная копия от 9 января 2015 на Wayback Machine // Flash Memory Summit, 2012 (англ.): slide 6 «Projected NAND Flash Memory Circuit Density Roadmap»

geek.com

[«Из восьми /кристаллов/ можно сформировать чип флеш-памяти на 128 Гб (Eight can be combined to produce … 128GB flash memory chip)» (англ.) (неопр.). Дата обращения: 12 июня 2012. Архивировано из оригинала 27 апреля 2012 года. «Из восьми /кристаллов/ можно сформировать чип флеш-памяти на 128 Гб (Eight can be combined to produce … 128GB flash memory chip)» (англ.)]

google.ru

books.google.ru

Hasso Plattner, Alexander. Zeier. In-Memory Data Management: Technology and Applications. — SpringerLink : Bücher. — Springer, 2012. — С. 45. — 267 с. — ISBN 3-642-29575-4. Архивировано 7 мая 2018 года.

ichip.ru

[1] Архивная копия от 3 августа 2022 на Wayback Machine Выпущена первая в мире 232-слойная NAND-память Архивная копия от 28 июля 2022 на Wayback Machine // 28.07.2022

ieee.org

spectrum.ieee.org

Flash Memory Survives 100 Million Cycles — IEEE Spectrum (неопр.). Дата обращения: 4 декабря 2012. Архивировано 4 декабря 2012 года.

ieeexplore.ieee.org

Kim, Kinam; Koh, Gwan-Hyeob. Future Memory Technology including Emerging New Memories (англ.). — Serbia and Montenegro: Proceedings of the 24th International Conference on Microelectronics, 2004. — P. 377—384.

itrs.net

Assessment of the Potential & Maturity of Selected Emerging Research Memory Technologies Архивная копия от 18 апреля 2012 на Wayback Machine // ITRS 2010
Table ORTC1 Summary 2013 ORTC Technology Trend Targets Архивная копия от 21 января 2015 на Wayback Machine // ITRS из ITRS 2013 EDITION Архивная копия от 21 сентября 2014 на Wayback Machine

ixbt.com

iXBT.com :: Все новости :: Intel и Micron освоили выпуск 3-битной флэш-памяти типа NAND по нормам 25 нм (недоступная ссылка)

lenovo.com

Comparison of NAND Flash Technologies Used in SolidState Storage Архивная копия от 4 марта 2016 на Wayback Machine, IBM 2010 «Table 1. Endurance performance for various technology nodes»

linuxdevices.com

ELJonline:Flash Filesystems for Embedded Linux Systems — Linux For Devices Articles — Linux for Devices (неопр.). Дата обращения: 12 декабря 2007. Архивировано из оригинала 5 декабря 2012 года.
Introducing YAFFS, the first NAND-specific flash file system — News — Linux for Devices (неопр.). Дата обращения: 12 декабря 2007. Архивировано из оригинала 12 сентября 2012 года.

micron.com

download.micron.com

Design and Use Considerations for NAND Flash memory (неопр.). Дата обращения: 15 октября 2012. Архивировано из оригинала 19 июля 2011 года.

micron.com

Flash Memory Technology Direction Архивная копия от 11 сентября 2014 на Wayback Machine, Jim Cooke, 2007 Reducing Read Disturb ""«Rule of thumb for excessive reads per block between ERASE operations: SLC — 1,000,000 READ cycles; MLC — 100,000 READ cycles»

msdn.com

blogs.msdn.com

ReadyBoost — Using Your USB Key to Speed Up Windows Vista — Tom Archer’s Blog — Site Home — MSDN Blogs (неопр.). Дата обращения: 12 декабря 2007. Архивировано 23 мая 2006 года.

newatlas.com

Samsung moves into mass production of 3D flash memory (неопр.). Дата обращения: 19 ноября 2016. Архивировано 12 ноября 2016 года.

nih.gov

ncbi.nlm.nih.gov

Overview of emerging nonvolatile memory technologies Архивная копия от 16 мая 2022 на Wayback Machine // Nanoscale Res Lett. 2014; 9(1): 526. Sep 25, 2014. doi:10.1186/1556-276X-9-526

nikkeibp.co.jp

techon.nikkeibp.co.jp

Kawamatus, Tatsuya Technology For Managing Nand Flash (неопр.). Hagiwara sys-com co., LTD. Дата обращения: 1 августа 2011. (недоступная ссылка)

nuvoton.com

http://www.nuvoton.com/NuvotonMOSS/Community/ProductInfo.aspx?tp_GUID=d2589477-840d-4046-9c3a-2e0e457048b3 Архивная копия от 7 июля 2011 на Wayback Machine ISD ChipCorder

objective-analysis.com

Samsung samples 3D NAND SSD (неопр.). "ObjectiveAnalysis" (июль 2014). Дата обращения: 9 января 2015. Архивировано 9 января 2015 года.: «.Samsung introduced its 19nm NAND by calling it a „10nm-class“ product. Once again, the press misunderstood and broadcast to the world that Samsung was ahead of all of its competitors»

onfi.org

ONFI 1.0 (неопр.). Дата обращения: 12 декабря 2007. Архивировано из оригинала 28 ноября 2007 года.
ONFI members (неопр.). Дата обращения: 12 декабря 2007. Архивировано из оригинала 16 октября 2007 года.

pcworld.com

"Samsung's 840 EVO SSD family: Fast, large, and in charge". PCWorld. 2013-07-25. Архивировано 9 января 2015. Дата обращения: 9 января 2015.: «the 19nm manufacturing process used to produce the NAND. Samsung for some reason is calling this 10nm-class, or 1x NAND, but they assured us that it’s 19nm.»

scu.edu

cse.scu.edu

Thomas Schwarz. Floating Gate Basics (неопр.). Дата обращения: 12 марта 2017. Архивировано 1 октября 2017 года.

skhynix.com

news.skhynix.com

SK hynix Develops World’s Highest 238-Layer 4D NAND Flash (англ.). SK hynix (2 августа 2022). Дата обращения: 5 августа 2022. Архивировано 5 августа 2022 года.

snia.org

Tom Coughlin; Ed Grochowski.: Thanks for the Memories: Emerging Non-Volatile Memory Technologies (англ.). Coughlin Associates; SNIA 2014 Storage Developer Conference (15 сентября 2014). Дата обращения: 9 января 2015. Архивировано 13 января 2015 года.

techinsights.com

Technology Roadmap for NAND Flash Memory (неопр.). techinsights (апрель 2013). Дата обращения: 9 января 2015. Архивировано из оригинала 9 января 2015 года.
Technology Roadmap for NAND Flash Memory (неопр.). techinsights (апрель 2014). Дата обращения: 9 января 2015. Архивировано из оригинала 9 января 2015 года.

tomshardware.com

Samsung Mass Producing 128Gb 3-bit MLC NAND Flash Kevin Parrish // Tom’s Hardware, 11 April 2013

toshiba.co.jp

Toshiba Starts World’s First Sample Shipment of 64-Layer 3D Flash Memory (неопр.). Дата обращения: 19 ноября 2016. Архивировано 20 ноября 2016 года.

trendforce.com

seminar.trendforce.com

Sean Yang. Supply Dynamics: Limited Growth &Constant Share. Market Share (Production Base) (англ.). 2014 NAND Flash Market Update. Supply, Demand and Beyond. TrendForce. Дата обращения: 9 января 2015. Архивировано 13 января 2015 года.

ucsd.edu

cseweb.ucsd.edu

Grupp, Laura M., John D. Davis,Steven Swanson. The Bleak Future of NAND Flash Memory // Proceedings of the 10th USENIX conference on File and Storage Technologies. — USENIX Association, 2012. Архивировано 6 сентября 2015 года.

usenix.org

static.usenix.org

Simona Boboila, Peter Desnoyers. Write Endurance in Flash Drives: Measurements and Analysis (англ.) // FAST. — San Jose, California: Northeastern University, 2010. Архивировано 17 марта 2013 года.

web.archive.org

Simona Boboila, Peter Desnoyers. Write Endurance in Flash Drives: Measurements and Analysis (англ.) // FAST. — San Jose, California: Northeastern University, 2010. Архивировано 17 марта 2013 года.
Hasso Plattner, Alexander. Zeier. In-Memory Data Management: Technology and Applications. — SpringerLink : Bücher. — Springer, 2012. — С. 45. — 267 с. — ISBN 3-642-29575-4. Архивировано 7 мая 2018 года.
Kristian Vättö,Understanding TLC NAND Архивная копия от 25 июля 2013 на Wayback Machine // Anandtech, February 23, 2012
Dennis Martin. NAND Flash – Endurance (неопр.). Demartek, Storage Decisions Conference (12 июня 2013). — «MLC typical life 10,000 or fewer write cycles  MLC-2: 3,000 – 10,000 write cycles  MLC-3: 300 – 3,000 write cycles». Дата обращения: 9 января 2015. Архивировано 9 января 2015 года.
Samsung запустила производство массовых SSD на памяти QLC V-NAND (неопр.). Дата обращения: 8 августа 2018. Архивировано 8 августа 2018 года.
Toshiba начала выпуск 16-Гбит SLC NAND повышенной надёжности (неопр.). Дата обращения: 19 ноября 2016. Архивировано 20 ноября 2016 года.
http://www.nuvoton.com/NuvotonMOSS/Community/ProductInfo.aspx?tp_GUID=d2589477-840d-4046-9c3a-2e0e457048b3 Архивная копия от 7 июля 2011 на Wayback Machine ISD ChipCorder
Thomas Schwarz. Floating Gate Basics (неопр.). Дата обращения: 12 марта 2017. Архивировано 1 октября 2017 года.
Обзор Samsung 850 EVO второй версии: с 48-слойной TLC 3D V-NAND внутри (неопр.). Дата обращения: 11 июля 2016. Архивировано 8 июля 2016 года.
Samsung moves into mass production of 3D flash memory (неопр.). Дата обращения: 19 ноября 2016. Архивировано 12 ноября 2016 года.
Новый завод Toshiba по производству 3D NAND начнёт работу летом 2018 года (неопр.). Дата обращения: 19 ноября 2016. Архивировано 20 ноября 2016 года.
Toshiba Starts World’s First Sample Shipment of 64-Layer 3D Flash Memory (неопр.). Дата обращения: 19 ноября 2016. Архивировано 20 ноября 2016 года.
Samsung приступила к производству 96-слойной памяти 3D NAND (неопр.). Дата обращения: 8 августа 2018. Архивировано 8 августа 2018 года.
Samsung начала массовое производство 136-слойной 3D NAND и 256-ГБ SSD на новой памяти Архивная копия от 4 августа 2020 на Wayback Machine // fcenter.ru
Как на microSD помещается 1 ТБ? - Разбор | Droider.ru (неопр.). Дата обращения: 7 сентября 2021. Архивировано 7 сентября 2021 года.
[1] Архивная копия от 3 августа 2022 на Wayback Machine Выпущена первая в мире 232-слойная NAND-память Архивная копия от 28 июля 2022 на Wayback Machine // 28.07.2022
SK hynix Develops World’s Highest 238-Layer 4D NAND Flash (англ.). SK hynix (2 августа 2022). Дата обращения: 5 августа 2022. Архивировано 5 августа 2022 года.
Геннадий Детинич. SK hynix побила рекорд Micron и представила самую высокую в мире флеш-память — 238-слойную (рус.). 3DNews (3 августа 2022). Дата обращения: 5 августа 2022. Архивировано 5 августа 2022 года.
«Многокристальный модуль флеш-памяти NAND со стеком из 16-ти кристаллов NAND (NAND flash MCP (multi-chip package) with a 16-die NAND stack)» (англ.) (неопр.). Дата обращения: 12 июня 2012. Архивировано 4 июня 2012 года.
Comparison of NAND Flash Technologies Used in SolidState Storage Архивная копия от 4 марта 2016 на Wayback Machine, IBM 2010 «Table 1. Endurance performance for various technology nodes»
http://www.altec-cs.com/downloads/altec_white_paper/WP_Avoiding_premature_failures_of_NAND_Flash_memory_for_duplex-printing_e10.pdf Архивная копия от 4 марта 2016 на Wayback Machine «Resulting from the continuous reduction of the structure size of the flash memory chips, 2-bit MLC and 3-bit MLC (TLC) NAND flash memory …sometimes only allows 1,000 P/E cycles (MLC) and/or only a few hundred P/E cycles (TLC) per flash memory cell before degradation»; «Table 1: Typical P/E cycles …»
Flash Memory Survives 100 Million Cycles — IEEE Spectrum (неопр.). Дата обращения: 4 декабря 2012. Архивировано 4 декабря 2012 года.
Design and Use Considerations for NAND Flash memory (неопр.). Дата обращения: 15 октября 2012. Архивировано из оригинала 19 июля 2011 года.
Flash Memory Technology Direction Архивная копия от 11 сентября 2014 на Wayback Machine, Jim Cooke, 2007 Reducing Read Disturb ""«Rule of thumb for excessive reads per block between ERASE operations: SLC — 1,000,000 READ cycles; MLC — 100,000 READ cycles»
Solid State Drive (SSD) FAQ Архивная копия от 8 октября 2013 на Wayback Machine // Dell: «6. I have unplugged my SSD drive and put it into storage. How long can I expect the drive to retain my data without needing to plug the drive back in? … In MLC and SLC, this can be as low as 3 months and best case can be more than 10 years»
Technology Roadmap for NAND Flash Memory (неопр.). techinsights (апрель 2013). Дата обращения: 9 января 2015. Архивировано из оригинала 9 января 2015 года.
Clarke, Peter (20 November 2012). «Samsung takes NAND memory below 20-nm» Архивная копия от 28 ноября 2012 на Wayback Machine eetimes.com. Retrieved 21 December 2012.
Anand, Lal Shimpi (2013-07-25). "Samsung SSD 840 EVO Review: 120GB, 250GB, 500GB, 750GB & 1TB Models Tested". AnandTech. Архивировано 9 января 2015. Дата обращения: 9 января 2015. «Samsung calls its latest NAND process 10nm-class or 1x-nm, which can refer to feature sizes anywhere from 10nm to 19nm but we’ve also heard it referred to as 19nm TLC.»
Samsung samples 3D NAND SSD (неопр.). "ObjectiveAnalysis" (июль 2014). Дата обращения: 9 января 2015. Архивировано 9 января 2015 года.: «.Samsung introduced its 19nm NAND by calling it a „10nm-class“ product. Once again, the press misunderstood and broadcast to the world that Samsung was ahead of all of its competitors»
"Samsung's 840 EVO SSD family: Fast, large, and in charge". PCWorld. 2013-07-25. Архивировано 9 января 2015. Дата обращения: 9 января 2015.: «the 19nm manufacturing process used to produce the NAND. Samsung for some reason is calling this 10nm-class, or 1x NAND, but they assured us that it’s 19nm.»
Assessment of the Potential & Maturity of Selected Emerging Research Memory Technologies Архивная копия от 18 апреля 2012 на Wayback Machine // ITRS 2010
Table ORTC1 Summary 2013 ORTC Technology Trend Targets Архивная копия от 21 января 2015 на Wayback Machine // ITRS из ITRS 2013 EDITION Архивная копия от 21 сентября 2014 на Wayback Machine
Technology Roadmap for NAND Flash Memory (неопр.). techinsights (апрель 2014). Дата обращения: 9 января 2015. Архивировано из оригинала 9 января 2015 года.
Edward Grochowski, Robert E.Fontana, Future Technology Challenges For NAND Flash and HDD Products Архивная копия от 9 января 2015 на Wayback Machine // Flash Memory Summit, 2012 (англ.): slide 6 «Projected NAND Flash Memory Circuit Density Roadmap»
Sean Yang. Supply Dynamics: Limited Growth &Constant Share. Market Share (Production Base) (англ.). 2014 NAND Flash Market Update. Supply, Demand and Beyond. TrendForce. Дата обращения: 9 января 2015. Архивировано 13 января 2015 года.
Jeongdong Choe (TechInsights) (2013-07-25). "Comparing Leading-Edge NAND Flash Memories" (англ.). EETimes. Архивировано 12 января 2015. Дата обращения: 11 января 2015. All the NAND manufacturers adopted an air-gap process to achieve high performance and reliability. Toshiba implemented an air-gap process on its 19nm NAND device, while Samsung adopted it on 21nm. IMFT has used a more mature air-gap process on both the wordline and bitline structure since its 25nm NAND technology.
Nirmal Ramaswamy, Thomas Graettinger, (Micron) (2013-07-05). "NAND flash scaling: 20nm node and below. Here are some of the fundamental cell design issues considered and addressed to arrive at this planar cell technology" (PDF) (англ.). EE Times-Asia. Архивировано (PDF) 12 января 2015. Дата обращения: 11 января 2015. This had already become a problem at the 25nm node requiring the deployment of airgap between the cells to reduce interference{{cite news}}: Википедия:Обслуживание CS1 (множественные имена: authors list) (ссылка)
Peter Clarke (2014-08-25). "NAND, DRAM 3D-Transition Roadmaps" (англ.). EETimes. Архивировано 12 января 2015. Дата обращения: 11 января 2015.
Dick James (2014-08-05). "The Second Shoe Drops – Samsung V-NAND Flash" (англ.). ChipWorks. Архивировано 1 января 2015. Дата обращения: 11 января 2015.
Rick Merritt (2014-08-05). "Samsung Tips 3-Bit Vertical NAND. Korean giant starts smart storage initiative" (англ.). EETimes. Архивировано 13 января 2015. Дата обращения: 11 января 2015.
Lal Shimpi, Anand (2010-12-02). "Micron's ClearNAND: 25nm + ECC, Combats Increasing Error Rates". Anandtech. Архивировано 3 декабря 2010. Дата обращения: 2 декабря 2010.
Ed Oswald (2012-02-20). "Current solid-state drive technology is doomed, says Microsoft Research" (англ.). ExtremeTech. Архивировано 9 января 2015. Дата обращения: 9 января 2015.
Grupp, Laura M., John D. Davis,Steven Swanson. The Bleak Future of NAND Flash Memory // Proceedings of the 10th USENIX conference on File and Storage Technologies. — USENIX Association, 2012. Архивировано 6 сентября 2015 года.
Tom Coughlin; Ed Grochowski.: Thanks for the Memories: Emerging Non-Volatile Memory Technologies (англ.). Coughlin Associates; SNIA 2014 Storage Developer Conference (15 сентября 2014). Дата обращения: 9 января 2015. Архивировано 13 января 2015 года.
Overview of emerging nonvolatile memory technologies Архивная копия от 16 мая 2022 на Wayback Machine // Nanoscale Res Lett. 2014; 9(1): 526. Sep 25, 2014. doi:10.1186/1556-276X-9-526
Flash Wear-Leveling (неопр.). Дата обращения: 22 марта 2013. Архивировано 24 июня 2016 года.
[«Из восьми /кристаллов/ можно сформировать чип флеш-памяти на 128 Гб (Eight can be combined to produce … 128GB flash memory chip)» (англ.) (неопр.). Дата обращения: 12 июня 2012. Архивировано из оригинала 27 апреля 2012 года. «Из восьми /кристаллов/ можно сформировать чип флеш-памяти на 128 Гб (Eight can be combined to produce … 128GB flash memory chip)» (англ.)]
ReadyBoost — Using Your USB Key to Speed Up Windows Vista — Tom Archer’s Blog — Site Home — MSDN Blogs (неопр.). Дата обращения: 12 декабря 2007. Архивировано 23 мая 2006 года.
R.I.P. Floppy Disk Архивная копия от 16 февраля 2009 на Wayback Machine // BBC NEWS, UK, 1 april 2003
ONFI 1.0 (неопр.). Дата обращения: 12 декабря 2007. Архивировано из оригинала 28 ноября 2007 года.
Exhibit 3: NAND Flash interface standards development of different manufactories (англ.). 2012 NAND Flash market annual report. Industry analysis report. ChinaFlashMarket.com (13 января 2013). Дата обращения: 9 января 2015. Архивировано 1 августа 2014 года.
ONFI members (неопр.). Дата обращения: 12 декабря 2007. Архивировано из оригинала 16 октября 2007 года.
NAND Flash related product application market (англ.). 2012 NAND Flash market annual report. Industry analysis report. ChinaFlashMarket.com (13 января 2013). Дата обращения: 9 января 2015. Архивировано 1 августа 2014 года.

xbitlabs.com

«Многокристальный модуль флеш-памяти NAND со стеком из 16-ти кристаллов NAND (NAND flash MCP (multi-chip package) with a 16-die NAND stack)» (англ.) (неопр.). Дата обращения: 12 июня 2012. Архивировано 4 июня 2012 года.