Фудзи Масуока (Russian Wikipedia)

Analysis of information sources in references of the Wikipedia article "Фудзи Масуока" in Russian language version.

refsWebsite

Global rank Russian rank

12web.archive.org

1^st place

4doi.org

2^nd place

3^rd place

3ieee.org

652^nd place

857^th place

2unisantis-el.jp

low place

2semanticscholar.org

11^th place

286^th place

2wikipedia.org

low place

2computerhistory.org

2,213^th place

4,605^th place

1patents.google.com

1,182^nd place

1,720^th place

1google.com

163^rd place

248^th place

1books.google.com

3^rd place

10^th place

1toshiba.com

low place

1eweek.com

5,390^th place

7,214^th place

1forbes.com

54^th place

93^rd place

1theregister.co.uk

1,216^th place

1,545^th place

books.google.com

Detlev Richter. Flash Memories: Economic Principles of Performance, Cost and Reliability. — Springer Science and Business Media, 2013. — Vol. 40. — P. 5–6. — ISBN 978-94-007-6081-3. — doi:10.1007/978-94-007-6082-0.

computerhistory.org

archive.computerhistory.org

Jeff Katz. Oral History of Fujio Masuoka (неопр.). Computer History Museum (21 сентября 2012). Дата обращения: 20 марта 2017. Архивировано 23 августа 2016 года.

computerhistory.org

1971: Reusable semiconductor ROM introduced (неопр.). Computer History Museum. Дата обращения: 19 июня 2019. Архивировано 10 августа 2023 года.

doi.org

Masuoka, Fujio; Takato, Hiroshi; Sunouchi, Kazumasa; Okabe, N.; Nitayama, Akihiro; Hieda, K.; Horiguchi, Fumio (December 1988). "High performance CMOS surrounding-gate transistor (SGT) for ultra high density LSIs". Technical Digest., International Electron Devices Meeting: 222—225. doi:10.1109/IEDM.1988.32796. S2CID 114148274.
F. Masuoka; M. Asano; H. Iwahashi; T. Komuro; S. Tanaka (1984-12-09). "A new flash E2PROM cell using triple polysilicon technology". International Electronic Devices Meeting. IEEE: 464—467. doi:10.1109/IEDM.1984.190752. S2CID 25967023.
Masuoka, F.; Momodomi, M.; Iwata, Y.; Shirota, R. (1987). "New ultra high density EPROM and flash EEPROM with NAND structure cell". Electron Devices Meeting, 1987 International. IEDM 1987. IEEE. doi:10.1109/IEDM.1987.191485.

dx.doi.org

Detlev Richter. Flash Memories: Economic Principles of Performance, Cost and Reliability. — Springer Science and Business Media, 2013. — Vol. 40. — P. 5–6. — ISBN 978-94-007-6081-3. — doi:10.1007/978-94-007-6082-0.

eweek.com

1987: Toshiba Launches NAND Flash (неопр.). eWeek (11 апреля 2012). Дата обращения: 20 июня 2019.

forbes.com

Fulford, Benjamin Unsung hero (неопр.). Forbes (24 июня 2002). Дата обращения: 20 марта 2017. Архивировано 3 марта 2008 года.

google.com

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same (неопр.). US Patent 4531203 A (13 ноября 1981). Дата обращения: 20 марта 2017. Архивировано 21 марта 2017 года.

ieee.org

ieeexplore.ieee.org

Fujio Masuoka (неопр.). IEEE Explore^[англ.]. IEEE. Дата обращения: 17 июля 2019. Архивировано 17 июля 2019 года.

sscs.ieee.org

A 256K Flash EEPROM using Triple Polysilicon Technology (неопр.). IEEE historic photo repository. Дата обращения: 20 марта 2017. Архивировано 21 марта 2017 года.

ieee.org

IEEE Morris N. Liebmann Memorial Award Recipients (неопр.). IEEE. Дата обращения: 27 февраля 2011. Архивировано из оригинала 3 марта 2016 года.

patents.google.com

Masuoka, Fujio (1972-08-31). "Avalanche injection type mos memory". Архивировано 21 декабря 2022. Дата обращения: 21 декабря 2022. {{cite journal}}: Cite journal требует |journal= (справка)

semanticscholar.org

api.semanticscholar.org

Masuoka, Fujio; Takato, Hiroshi; Sunouchi, Kazumasa; Okabe, N.; Nitayama, Akihiro; Hieda, K.; Horiguchi, Fumio (December 1988). "High performance CMOS surrounding-gate transistor (SGT) for ultra high density LSIs". Technical Digest., International Electron Devices Meeting: 222—225. doi:10.1109/IEDM.1988.32796. S2CID 114148274.
F. Masuoka; M. Asano; H. Iwahashi; T. Komuro; S. Tanaka (1984-12-09). "A new flash E2PROM cell using triple polysilicon technology". International Electronic Devices Meeting. IEEE: 464—467. doi:10.1109/IEDM.1984.190752. S2CID 25967023.

theregister.co.uk

Tony Smith (2006-07-31). "Toshiba settles spat with Flash memory inventor: Boffin gets ¥87m but wanted ¥1bn". The Register. Архивировано 21 марта 2017. Дата обращения: 20 марта 2017.

toshiba.com

flash25.toshiba.com

Toshiba: Inventor of Flash Memory (неопр.). Toshiba. Дата обращения: 20 июня 2019. Архивировано 20 июня 2019 года.

unisantis-el.jp

Company Profile (неопр.). Unisantis Electronics. Дата обращения: 17 июля 2019. Архивировано из оригинала 22 февраля 2007 года.
Company profile (неопр.). Unisantis-Electronics (Japan) Ltd.. Дата обращения: 20 марта 2017. Архивировано из оригинала 22 февраля 2007 года.

web.archive.org

Company Profile (неопр.). Unisantis Electronics. Дата обращения: 17 июля 2019. Архивировано из оригинала 22 февраля 2007 года.
Jeff Katz. Oral History of Fujio Masuoka (неопр.). Computer History Museum (21 сентября 2012). Дата обращения: 20 марта 2017. Архивировано 23 августа 2016 года.
Company profile (неопр.). Unisantis-Electronics (Japan) Ltd.. Дата обращения: 20 марта 2017. Архивировано из оригинала 22 февраля 2007 года.
Fujio Masuoka (неопр.). IEEE Explore^[англ.]. IEEE. Дата обращения: 17 июля 2019. Архивировано 17 июля 2019 года.
Masuoka, Fujio (1972-08-31). "Avalanche injection type mos memory". Архивировано 21 декабря 2022. Дата обращения: 21 декабря 2022. {{cite journal}}: Cite journal требует |journal= (справка)
Semiconductor memory device and method for manufacturing the same (неопр.). US Patent 4531203 A (13 ноября 1981). Дата обращения: 20 марта 2017. Архивировано 21 марта 2017 года.
A 256K Flash EEPROM using Triple Polysilicon Technology (неопр.). IEEE historic photo repository. Дата обращения: 20 марта 2017. Архивировано 21 марта 2017 года.
Toshiba: Inventor of Flash Memory (неопр.). Toshiba. Дата обращения: 20 июня 2019. Архивировано 20 июня 2019 года.
1971: Reusable semiconductor ROM introduced (неопр.). Computer History Museum. Дата обращения: 19 июня 2019. Архивировано 10 августа 2023 года.
Fulford, Benjamin Unsung hero (неопр.). Forbes (24 июня 2002). Дата обращения: 20 марта 2017. Архивировано 3 марта 2008 года.
Tony Smith (2006-07-31). "Toshiba settles spat with Flash memory inventor: Boffin gets ¥87m but wanted ¥1bn". The Register. Архивировано 21 марта 2017. Дата обращения: 20 марта 2017.
IEEE Morris N. Liebmann Memorial Award Recipients (неопр.). IEEE. Дата обращения: 27 февраля 2011. Архивировано из оригинала 3 марта 2016 года.

wikipedia.org

en.wikipedia.org

Fujio Masuoka (неопр.). IEEE Explore^[англ.]. IEEE. Дата обращения: 17 июля 2019. Архивировано 17 июля 2019 года.
Masuoka, F.; Momodomi, M.; Iwata, Y.; Shirota, R. (1987). "New ultra high density EPROM and flash EEPROM with NAND structure cell". Electron Devices Meeting, 1987 International. IEDM 1987. IEEE. doi:10.1109/IEDM.1987.191485.