Prati, E.; De Michielis, M.; Belli, M.; Cocco, S.; Fanciulli, M.; Kotekar-Patil, D.; Ruoff, M.; Kern, D. P.; Wharam, D. A.; Verduijn, J.; Tettamanzi, G. C.; Rogge, S.; Roche, B.; Wacquez, R.; Jehl, X.; Vinet, M.; Sanquer, M. (2012). „Few electron limit of n-type metal oxide semiconductor single electron transistors”. Nanotechnology. 23 (21): 215204. PMID22552118. doi:10.1088/0957-4484/23/21/215204.
Prati, E.; De Michielis, M.; Belli, M.; Cocco, S.; Fanciulli, M.; Kotekar-Patil, D.; Ruoff, M.; Kern, D. P.; Wharam, D. A.; Verduijn, J.; Tettamanzi, G. C.; Rogge, S.; Roche, B.; Wacquez, R.; Jehl, X.; Vinet, M.; Sanquer, M. (2012). „Few electron limit of n-type metal oxide semiconductor single electron transistors”. Nanotechnology. 23 (21): 215204. PMID22552118. doi:10.1088/0957-4484/23/21/215204.