Двовимірні дихалькогеніди перехідних металів (Ukrainian Wikipedia)

Analysis of information sources in references of the Wikipedia article "Двовимірні дихалькогеніди перехідних металів" in Ukrainian language version.

refsWebsite

Global rank Ukrainian rank

1^st place

2^nd place

4^th place

5^th place

9^th place

1,248^th place

900^th place

149^th place

211^th place

234^th place

157^th place

2,020^th place

2,185^th place

low place

acs.org

Eda, Goki; Fujita, Takeshi; Yamaguchi, Hisato; Voiry, Damien; Chen, Mingwei; Chhowalla, Manish (28 серпня 2012). Coherent Atomic and Electronic Heterostructures of Single-Layer MoS 2. ACS Nano (англ.). Т. 6, № 8. с. 7311—7317. doi:10.1021/nn302422x.. ISSN 1936-0851. Процитовано 20 грудня 2024. {{cite news}}: Перевірте значення |doi= (довідка)
Castellanos-Gomez, A.; Barkelid, M.; Goossens, A. M.; Calado, V. E.; van der Zant, H. S. J.; Steele, G. A. (13 червня 2012). Laser-Thinning of MoS 2 : On Demand Generation of a Single-Layer Semiconductor. Nano Letters (англ.). Т. 12, № 6. с. 3187—3192. doi:10.1021/nl301164v. ISSN 1530-6984. Процитовано 20 грудня 2024.
J. Heising and M. G. Kanatzidis “Exfoliated and Restacked MoS2 and WS2: Ionic or Neutral Species? Encapsulation and Ordering of Hard Electropositive Cations”. J. Am. Chem. Soc., 1999, 121, 11720–11732. https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/ja991644d

Voiry, Damien; Mohite, Aditya; Chhowalla, Manish (2015). Phase engineering of transition metal dichalcogenides. Chemical Society Reviews (англ.). Т. 44, № 9. с. 2702—2712. doi:10.1039/c5cs00151j. ISSN 0306-0012. Процитовано 20 грудня 2024.
Eda, Goki; Fujita, Takeshi; Yamaguchi, Hisato; Voiry, Damien; Chen, Mingwei; Chhowalla, Manish (28 серпня 2012). Coherent Atomic and Electronic Heterostructures of Single-Layer MoS 2. ACS Nano (англ.). Т. 6, № 8. с. 7311—7317. doi:10.1021/nn302422x.. ISSN 1936-0851. Процитовано 20 грудня 2024. {{cite news}}: Перевірте значення |doi= (довідка)
Castellanos-Gomez, A.; Barkelid, M.; Goossens, A. M.; Calado, V. E.; van der Zant, H. S. J.; Steele, G. A. (13 червня 2012). Laser-Thinning of MoS 2 : On Demand Generation of a Single-Layer Semiconductor. Nano Letters (англ.). Т. 12, № 6. с. 3187—3192. doi:10.1021/nl301164v. ISSN 1530-6984. Процитовано 20 грудня 2024.

"Electronics and optoelectronics of two-dimensional transition metal dichalcogenides", Qing Hua Wang, Kourosh Kalantar-Zadeh, Andras Kis, Jonathan N. Coleman & Michael S. Strano, Nature Nanotechnology volume 7, pages 699–712 (2012). https://www.nature.com/articles/nnano.2012.193 [Архівовано 25 квітня 2019 у Wayback Machine.].

M. A. Py and R. R. Haering “Structural destabilization induced by lithium intercalation in MoS2 and related compounds”. Can. J. Phys., 1983, 61, 76–84. http://www.nrcresearchpress.com/doi/abs/10.1139/p83-013#.XHCzRsbgqCh [Архівовано 25 лютого 2019 у Wayback Machine.]

Voiry, Damien; Mohite, Aditya; Chhowalla, Manish (2015). Phase engineering of transition metal dichalcogenides. Chemical Society Reviews (англ.). Т. 44, № 9. с. 2702—2712. doi:10.1039/c5cs00151j. ISSN 0306-0012. Процитовано 20 грудня 2024.

Ming-Yang Li et al., Heterostructures based on two-dimensional layered materials and their potential applications. Materials Today, Volume 19, Issue 6, July–August 2016, Pages 322-335. Архів оригіналу за 12 березня 2022. Процитовано 21 лютого 2019.
"Electronics and optoelectronics of two-dimensional transition metal dichalcogenides", Qing Hua Wang, Kourosh Kalantar-Zadeh, Andras Kis, Jonathan N. Coleman & Michael S. Strano, Nature Nanotechnology volume 7, pages 699–712 (2012). https://www.nature.com/articles/nnano.2012.193 [Архівовано 25 квітня 2019 у Wayback Machine.].
Jack R. Brent et al., Synthetic approaches to two-dimensional transition metal dichalcogenide nanosheets. Progress in Materials Science, Volume 89, August 2017, Pages 411-478. Архів оригіналу за 14 грудня 2021. Процитовано 21 лютого 2019.
M. A. Py and R. R. Haering “Structural destabilization induced by lithium intercalation in MoS2 and related compounds”. Can. J. Phys., 1983, 61, 76–84. http://www.nrcresearchpress.com/doi/abs/10.1139/p83-013#.XHCzRsbgqCh [Архівовано 25 лютого 2019 у Wayback Machine.]

Voiry, Damien; Mohite, Aditya; Chhowalla, Manish (2015). Phase engineering of transition metal dichalcogenides. Chemical Society Reviews (англ.). Т. 44, № 9. с. 2702—2712. doi:10.1039/c5cs00151j. ISSN 0306-0012. Процитовано 20 грудня 2024.
Eda, Goki; Fujita, Takeshi; Yamaguchi, Hisato; Voiry, Damien; Chen, Mingwei; Chhowalla, Manish (28 серпня 2012). Coherent Atomic and Electronic Heterostructures of Single-Layer MoS 2. ACS Nano (англ.). Т. 6, № 8. с. 7311—7317. doi:10.1021/nn302422x.. ISSN 1936-0851. Процитовано 20 грудня 2024. {{cite news}}: Перевірте значення |doi= (довідка)
Castellanos-Gomez, A.; Barkelid, M.; Goossens, A. M.; Calado, V. E.; van der Zant, H. S. J.; Steele, G. A. (13 червня 2012). Laser-Thinning of MoS 2 : On Demand Generation of a Single-Layer Semiconductor. Nano Letters (англ.). Т. 12, № 6. с. 3187—3192. doi:10.1021/nl301164v. ISSN 1530-6984. Процитовано 20 грудня 2024.