Технологія виробництва напівпровідників (Ukrainian Wikipedia)

Cutress, Ian (26 July 2021), Intel's Process Roadmap to 2025: with 4nm, 3nm, 20A and 18A?!, www.anandtech.com, архів оригіналу за 3 листопада 2021, процитовано 3 листопада 2021
Cutress, Dr Ian. Intel's Process Roadmap to 2025: with 4nm, 3nm, 20A and 18A?!. www.anandtech.com. Архів оригіналу за 3 листопада 2021. Процитовано 27 липня 2021.

chinawaterrisk.org

8 Things You Should Know About Water & Semiconductors. China Water Risk (амер.). Процитовано 25 березня 2023.

cnet.com

news.cnet.com

End of Moore's Law: It's not just about physics. CNET. 28 серпня 2013.

computerhistory.org

archive.computerhistory.org

Архівована копія (PDF). Архів оригіналу (PDF) за 14 лютого 2012. Процитовано 10 січня 2015.{{cite web}}: Обслуговування CS1: Сторінки з текстом «archived copy» як значення параметру title (посилання)

computery.ru

Корпорація Altera встановила новий галузевий рекорд - Програмована вентильна матриця (FPGA) Stratix V. Архів оригіналу за 5 березня 2016. Процитовано 10 січня 2015. [Архівовано 2016-03-05 у Wayback Machine.]

dailytech.com

IDF 2013: Intel Shows Plans For 7 nm Chips; 22 nm LTE Atoms are Shipping. DailyTech. 11 вересня 2013. Архів оригіналу за 3 січня 2015. Процитовано 10 січня 2015. [Архівовано 2015-01-03 у Wayback Machine.]

digitimes.com

doi.org

Purwins, Hendrik; Barak, Bernd; Nagi, Ahmed; Engel, Reiner; Höckele, Uwe; Kyek, Andreas; Cherla, Srikanth; Lenz, Benjamin; Pfeifer, Günter (2014-02). Regression Methods for Virtual Metrology of Layer Thickness in Chemical Vapor Deposition. IEEE/ASME Transactions on Mechatronics. Т. 19, № 1. с. 1—8. doi:10.1109/TMECH.2013.2273435. ISSN 1941-014X. Процитовано 25 березня 2023.
Fuechsle, M.; Miwa, J. A.; Mahapatra, S.; Ryu, H.; Lee, S.; Warschkow, O.; Hollenberg, L. C. L.; Klimeck, G.; Simmons, M. Y. (2012). A single-atom transistor. Nature Nanotechnology. 7 (4): 242. doi:10.1038/nnano.2012.21.
Jagannathan, H. та ін. (2021). Vertical-Transport Nanosheet Technology for CMOS Scaling beyond Lateral-Transport Devices. 2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). с. 26.1.1–26.1.4. doi:10.1109/IEDM19574.2021.9720561. ISBN 978-1-6654-2572-8. S2CID 247321213.

eetimes.com

Update: Intel to build fab for 14-nm chips // Mark LaPedus 2/18/2011 «Fab 42, will be a 300-mm plant. It will also be compatible for 450-mm»
Santo, Brian (27 липня 2021), Intel Charts Manufacturing Course to 2025, www.eetimes.com, архів оригіналу за 19 серпня 2021, процитовано 3 листопада 2021

extremetech.com

to worry-about Intel cancels 14nm Fab 42 in Arizona, due to increasing competition from ARM.^{[недоступне посилання]} // ExtremeTech

hardwareluxx.ru

Нова архітектура AMD «Steamroller» у 2014? // 3.01.2013

ieee.org

ieeexplore.ieee.org

Purwins, Hendrik; Barak, Bernd; Nagi, Ahmed; Engel, Reiner; Höckele, Uwe; Kyek, Andreas; Cherla, Srikanth; Lenz, Benjamin; Pfeifer, Günter (2014-02). Regression Methods for Virtual Metrology of Layer Thickness in Chemical Vapor Deposition. IEEE/ASME Transactions on Mechatronics. Т. 19, № 1. с. 1—8. doi:10.1109/TMECH.2013.2273435. ISSN 1941-014X. Процитовано 25 березня 2023.
Jagannathan, H. та ін. (2021). Vertical-Transport Nanosheet Technology for CMOS Scaling beyond Lateral-Transport Devices. 2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). с. 26.1.1–26.1.4. doi:10.1109/IEDM19574.2021.9720561. ISBN 978-1-6654-2572-8. S2CID 247321213.

spectrum.ieee.org

Johnson, Dexter (6 травня 2021), IBM Introduces the World’s First 2-nm Node Chip, IEEE Spectrum, архів оригіналу за 7 May 2021, процитовано 7 травня 2021

informit.com

Mueller, S (21 липня 2006). Microprocessors from 1971 to the Present. informIT. Процитовано 11 травня 2012.

intel.com

Мініатюрність, чистота. Архів оригіналу за 5 серпня 2013. Процитовано 11 січня 2015.
Intel Museum — From Sand to Circuits
PRESS KIT — First 45nm Chips: Eco-Friendly. Faster. ‘Cooler’.
Intel 32nm Logic Technology(англ.)
Новини з форуму Intel, який проходив з 22 по 24 вересня у Сан-Франциско для розробників (Intel Developer Forum, IDF)^{[недоступне посилання з липня 2019]}
Intel Technology Roadmaps and Milestones. Intel (англ.). Процитовано 13 червня 2023.

download.intel.com

ixbt.com

TSMC подолала складності 40-нанометрової технології і в цьому році почне випуск за нормами 28 нм. Архів оригіналу за 6 жовтня 2017. Процитовано 8 травня 2019.
Samsung випускатиме процесори для Apple за нормами 14 нм. [Архівовано 5 липня 2017 у Wayback Machine.] // iXBT.com
У майбутньому році TSMC планує почати пробний, а в 2016 році - серійний випуск продукції за нормами 10 нм. Архів оригіналу за 10 лютого 2019. Процитовано 8 травня 2019.

lbl.gov

newscenter.lbl.gov

Yang, Sarah (6 жовтня 2016). Smallest. Transistor. Ever. | Berkeley Lab. News Center. Процитовано 13 червня 2023.

listoid.com

Архівована копія. Архів оригіналу за 27 квітня 2015. Процитовано 10 січня 2015.{{cite web}}: Обслуговування CS1: Сторінки з текстом «archived copy» як значення параметру title (посилання) [Архівовано 2015-04-27 у Wayback Machine.]

matrixmen.ru

IBM і AMD продемонструють 22 нм комірку пам'яті. Архів оригіналу за 5 березня 2016. Процитовано 10 січня 2015. [Архівовано 2016-03-05 у Wayback Machine.]

mcst.ru

МЦСТ. = Новий 8-ядерний мікропроцесор Ельбрус-8С.^{[недоступне посилання з липня 2019]}
Восьмиядерний мікропроцесор з архітектурою Ельбрус. Архів оригіналу за 25 червня 2014. Процитовано 10 січня 2015. [Архівовано 2014-06-25 у Wayback Machine.]

modnews.ru

news.modnews.ru

процессоры Intel по 32-нм технологии. Архів оригіналу за 30 березня 2010. Процитовано 17 січня 2015.

newscientist.com

#author.fullName}. Atom-thick material runs rings around silicon. New Scientist (амер.). Процитовано 12 червня 2023.

nvworld.ru

TSMC почне 16 нм виробництво в 1 кварталі 2015 року.

reuters.com

Nellis, Stephen (6 травня 2021), IBM unveils 2-nanometer chip technology for faster computing, Reuters (англ.), архів оригіналу за 7 травня 2021, процитовано 6 травня 2021

samsung.com

news.samsung.com

Samsung Electronics Unveils Plans for 1.4nm Process Technology and Investment for Production Capacity at Samsung Foundry Forum 2022. Samsung Global Newsroom. 4 жовтня 2022.

semanticscholar.org

api.semanticscholar.org

Jagannathan, H. та ін. (2021). Vertical-Transport Nanosheet Technology for CMOS Scaling beyond Lateral-Transport Devices. 2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). с. 26.1.1–26.1.4. doi:10.1109/IEDM19574.2021.9720561. ISBN 978-1-6654-2572-8. S2CID 247321213.

semiwiki.com

Розетський камінь літографії, 2013-11-20, за матеріалами Lars Leibmann, The Escalating Design Impact of Resolution-Challenged Lithography. ICCAD 2013

tech-labs.ru

news.tech-labs.ru

IBM, AMD і Toshiba продемонстрували першу 22-нм комірку пам'яті SRAM^{[недоступне посилання з травня 2019]}

thg.ru

A First Look at Intel's 14nm Fab 42 Manufacturing Facility // January 25, 2012 by Douglas Perry — source: VLSI Research; російською: Intel Fab 42: первые фото строящегося производства по созданию 14 нм процессоров. Цитата: «first volume production facility that is compatible with 450 mm wafers»

tomshardware.com

A First Look at Intel's 14nm Fab 42 Manufacturing Facility // January 25, 2012 by Douglas Perry — source: VLSI Research; російською: Intel Fab 42: первые фото строящегося производства по созданию 14 нм процессоров. Цитата: «first volume production facility that is compatible with 450 mm wafers»
Imec Presents Sub-1nm Process and Transistor Roadmap Until 2036. Tom's Hardware. 21 травня 2022.

tsmc.com

TSMC Unveils 6-nanometer Process (англ.). TSMC. Процитовано 18 квітня 2019.
TSMC and OIP Ecosystem Partners Deliver Industry’s First Complete Design Infrastructure for 5nm Process Technology (англ.). TSMC. Архів оригіналу за 14 квітня 2019. Процитовано 18 квітня 2019.

web.archive.org

Мініатюрність, чистота. Архів оригіналу за 5 серпня 2013. Процитовано 11 січня 2015.
Архівована копія (PDF). Архів оригіналу (PDF) за 14 лютого 2012. Процитовано 10 січня 2015.{{cite web}}: Обслуговування CS1: Сторінки з текстом «archived copy» як значення параметру title (посилання)
Архівована копія. Архів оригіналу за 27 квітня 2015. Процитовано 10 січня 2015.{{cite web}}: Обслуговування CS1: Сторінки з текстом «archived copy» як значення параметру title (посилання) [Архівовано 2015-04-27 у Wayback Machine.]
процессоры Intel по 32-нм технологии. Архів оригіналу за 30 березня 2010. Процитовано 17 січня 2015.
TSMC подолала складності 40-нанометрової технології і в цьому році почне випуск за нормами 28 нм. Архів оригіналу за 6 жовтня 2017. Процитовано 8 травня 2019.
Корпорація Altera встановила новий галузевий рекорд - Програмована вентильна матриця (FPGA) Stratix V. Архів оригіналу за 5 березня 2016. Процитовано 10 січня 2015. [Архівовано 2016-03-05 у Wayback Machine.]
Восьмиядерний мікропроцесор з архітектурою Ельбрус. Архів оригіналу за 25 червня 2014. Процитовано 10 січня 2015. [Архівовано 2014-06-25 у Wayback Machine.]
IBM і AMD продемонструють 22 нм комірку пам'яті. Архів оригіналу за 5 березня 2016. Процитовано 10 січня 2015. [Архівовано 2016-03-05 у Wayback Machine.]
Samsung випускатиме процесори для Apple за нормами 14 нм. [Архівовано 5 липня 2017 у Wayback Machine.] // iXBT.com
У майбутньому році TSMC планує почати пробний, а в 2016 році - серійний випуск продукції за нормами 10 нм. Архів оригіналу за 10 лютого 2019. Процитовано 8 травня 2019.
IDF 2013: Intel Shows Plans For 7 nm Chips; 22 nm LTE Atoms are Shipping. DailyTech. 11 вересня 2013. Архів оригіналу за 3 січня 2015. Процитовано 10 січня 2015. [Архівовано 2015-01-03 у Wayback Machine.]
TSMC and OIP Ecosystem Partners Deliver Industry’s First Complete Design Infrastructure for 5nm Process Technology (англ.). TSMC. Архів оригіналу за 14 квітня 2019. Процитовано 18 квітня 2019.
Nellis, Stephen (6 травня 2021), IBM unveils 2-nanometer chip technology for faster computing, Reuters (англ.), архів оригіналу за 7 травня 2021, процитовано 6 травня 2021
Johnson, Dexter (6 травня 2021), IBM Introduces the World’s First 2-nm Node Chip, IEEE Spectrum, архів оригіналу за 7 May 2021, процитовано 7 травня 2021
Cutress, Ian (26 July 2021), Intel's Process Roadmap to 2025: with 4nm, 3nm, 20A and 18A?!, www.anandtech.com, архів оригіналу за 3 листопада 2021, процитовано 3 листопада 2021
Cutress, Dr Ian. Intel's Process Roadmap to 2025: with 4nm, 3nm, 20A and 18A?!. www.anandtech.com. Архів оригіналу за 3 листопада 2021. Процитовано 27 липня 2021.
Santo, Brian (27 липня 2021), Intel Charts Manufacturing Course to 2025, www.eetimes.com, архів оригіналу за 19 серпня 2021, процитовано 3 листопада 2021

worldcat.org

search.worldcat.org

Purwins, Hendrik; Barak, Bernd; Nagi, Ahmed; Engel, Reiner; Höckele, Uwe; Kyek, Andreas; Cherla, Srikanth; Lenz, Benjamin; Pfeifer, Günter (2014-02). Regression Methods for Virtual Metrology of Layer Thickness in Chemical Vapor Deposition. IEEE/ASME Transactions on Mechatronics. Т. 19, № 1. с. 1—8. doi:10.1109/TMECH.2013.2273435. ISSN 1941-014X. Процитовано 25 березня 2023.