Patent DE833366: Halbleiterverstärker. Angemeldet am 15. April 1949, veröffentlicht am 30. Juni 1952, Anmelder: SIEMENS AG, Erfinder: W. Jacobi.
Patent US2981877: Semiconductor device and lead structure. Angemeldet am 30. Juli 1959, veröffentlicht am 25. April 1961, Erfinder: Robert N. Noyce.
fu-berlin.de
diss.fu-berlin.de
V. Ney: Lichtinduziertes Trockenätzen von Kupfer und Kobalt mit Chlor. Hrsg.: Freie Universität Berlin, Fachbereich Physik. Berlin Mai 2004, S.158 (fu-berlin.de [PDF]).
Graphene. Semiconductor Manufacturing & Design Community, abgerufen am 10. Februar 2017 (amerikanisches Englisch).
web.archive.org
Wafer Level Through Silicon Via (TSV) for 3D Integration. In: International Technology Roadmap for Semiconductors 2009 Edition. Assembly and Packaging. 2009, S.18–19 (itrs.net (Memento vom 9. Oktober 2010 im Internet Archive; PDF)).