Integrierter Schaltkreis (German Wikipedia)

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dnb.de

portal.dnb.de

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worldwide.espacenet.com

  • Patent DE833366: Halbleiterverstärker. Angemeldet am 15. April 1949, veröffentlicht am 30. Juni 1952, Anmelder: SIEMENS AG, Erfinder: W. Jacobi.
  • Patent US2981877: Semiconductor device and lead structure. Angemeldet am 30. Juli 1959, veröffentlicht am 25. April 1961, Erfinder: Robert N. Noyce.

fu-berlin.de

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  • V. Ney: Lichtinduziertes Trockenätzen von Kupfer und Kobalt mit Chlor. Hrsg.: Freie Universität Berlin, Fachbereich Physik. Berlin Mai 2004, S. 158 (fu-berlin.de [PDF]).

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  • Wafer Level Through Silicon Via (TSV) for 3D Integration. In: International Technology Roadmap for Semiconductors 2009 Edition. Assembly and Packaging. 2009, S. 18–19 (itrs.net (Memento vom 9. Oktober 2010 im Internet Archive; PDF)).