J. R. Pierce:The naming of the transistor. In: Proceedings of the IEEE. Band86, Nr.1, 1998, S.37–45, doi:10.1109/5.658756 (englisch).
I. M. Ross:The invention of the transistor. In: Proceedings of the IEEE. Band86, Nr.1, 1998, S.7–28, doi:10.1109/4.643644 (englisch).
J. Bardeen, W. H Brattain:The Transistor. A Semi-Conductor Triode. In: Physical Review. Band74, Nr.2, 1948, ISSN0031-899X, S.230–231, doi:10.1103/PhysRev.74.230 (englisch).
R.G. Arns:The other transistor: early history of the metal-oxide semiconductor field-effect transistor. In: Engineering Science and Education Journal. Band7, Nr.5, Oktober 1998, S.233–240, doi:10.1049/esej:19980509 (englisch).
Carver A. Mead:Schottky barrier gate field effect transistor. In: Proceedings of the IEEE. Band54, Nr.2, 1966, S.307–308, doi:10.1109/PROC.1966.4661 (englisch).
P. K. Weimer:The TFT – A New Thin-Film Transistor. In: Proceedings of the IRE. Band50, Nr.6, 1962, S.1462–1469, doi:10.1109/JRPROC.1962.288190 (englisch).
Man Li, Huan Wu, Erin M. Avery, Zihao Qin, Dominic P. Goronzy, Huu Duy Nguyen, Tianhan Liu, Paul S. Weiss, Yongjie Hu:Electrically gated molecular thermal switch. In: Science. Band382, Nr.6670, 3.November 2023, ISSN0036-8075, S.585–589, doi:10.1126/science.abo4297 (englisch, Online[abgerufen am 27.Dezember 2023]).
PatentCA272437:Electric Current Control Mechanism.Veröffentlichtam19.Juli 1927,Erfinder:Julius Edgar Lilienfeld(Eintrag beim kanadischen Patentamt).
PatentGB439457:Improvements in or relating to electrical amplifiers and other control arrangements and devices.Erfinder:Oskar Heil(Erstanmeldung am 2. März 1934 in Deutschland).
PatentUS2524035:Three-Electrode Circuit Element Utilizing Semiconductive Materials.Angemeldetam27.Juni 1948,veröffentlichtam3.Oktober 1950,Erfinder:J. Bardeen, W. Brattain, W. Shockley.
PatentFR1010427:Nouveau système cristallin à plusieurs électrodes réalisant des effects de relais électroniques.Angemeldetam13.August 1948,Erfinder:H. F. Mataré, H. Welker.
PatentUS2673948:Crystal device for controlling electric currents by means of a solid semiconductor.Erfinder:H. F. Mataré, H. Welker(französische Priorität 13. August 1948).
P. G. Neudeck, G. M. Beheim, C. S. Salupo: 600°C Logic Gates Using Silicon Carbide JFET's (PDF; 954kB) In: Government Microcircuit Applications Conference Technical Digest, Anaheim, März 2000, S. 421–424.
Armand van Dormael: The “French” Transistor. In: Proceedings of the 2004 IEEE Conference on the History of Electronics. Bletchley Park, June 2004; ieeeghn.org (Memento vom 24. Juni 2016 im Internet Archive; PDF; 3,2MB)
J. Bardeen, W. H Brattain:The Transistor. A Semi-Conductor Triode. In: Physical Review. Band74, Nr.2, 1948, ISSN0031-899X, S.230–231, doi:10.1103/PhysRev.74.230 (englisch).
Man Li, Huan Wu, Erin M. Avery, Zihao Qin, Dominic P. Goronzy, Huu Duy Nguyen, Tianhan Liu, Paul S. Weiss, Yongjie Hu:Electrically gated molecular thermal switch. In: Science. Band382, Nr.6670, 3.November 2023, ISSN0036-8075, S.585–589, doi:10.1126/science.abo4297 (englisch, Online[abgerufen am 27.Dezember 2023]).