Сохранение состояния ячейки, хранящей один бит информации, при отключении питания является возможным благодаря наличию потенциального барьера, который необходимо преодолеть для переориентации направления намагниченности в свободном (сенсорном) слое при переходе между параллельными и антипараллельными состояниями структуры (см. Denny D. Tang, Yuan-Jen Lee.Magnetic Memory: Fundamentals and Technology. — Cambridge University Press, 2010. — P. 103. — 208 p. — ISBN 978-0521449649.).
Схема не отображает наличие магнитного гистерезиса, так как форма его петли в сверхрешётке существенно зависит от толщины немагнитного слоя. В опытах Ферта хорошо выраженный гистерезис с полем насыщения около 4 кГс и остаточной намагниченностью, составляющей около 60 % от намагниченности насыщения, наблюдался при толщине немагнитной прослойки, равной нм. Но при уменьшении до значения 0,9 нм, соответствующего наибольшему достигнутому ГМС, петля редуцировалась до узкой вытянутой фигуры с полем насыщения 20 кГс и малой остаточной намагниченностью (см. Baibich M. N et al. Giant Magnetoresistance of (001)Fe/(001)Cr Magnetic Superlattices (неопр.) // PRL. — 1988. — Т. 61, № 21. — С. 2472—2475. — doi:10.1103/PhysRevLett.61.2472.)
R. E. Camley and J. Barnaś. Theory of giant magnetoresistance effects in magnetic layered structures with antiferromagnetic coupling (англ.) // Phys. Rev. Lett : journal. — 1989. — Vol. 63, no. 6. — P. 664—667. — doi:10.1103/PhysRevLett.63.664.
Peter M. Levy, Shufeng Zhang, Albert Fert. Electrical conductivity of magnetic multilayered structures (англ.) // Phys. Rev. Lett : journal. — 1990. — Vol. 65, no. 13. — P. 1643—1646. — doi:10.1103/PhysRevLett.65.1643.
J. Inoue, T. Tanaka and H. Kontani. Anomalous and spin Hall effects in magnetic granular films (англ.) // Physical Review B : journal. — 2009. — Vol. 80, no. 2. — P. 020405(R). — doi:10.1103/PhysRevB.80.020405.
Dali Sun, Lifeng Yin, Chengjun Sun, Hangwen Guo, Zheng Gai, X.-G. Zhang, T. Z. Ward, Zhaohua Cheng, and Jian Shen. Giant Magnetoresistance in Organic Spin Valves (англ.) // Phys. Rev. Lett : journal. — 2010. — Vol. 104, no. 23. — P. 236602. — doi:10.1103/PhysRevLett.104.236602.
Rui Qin, Jing Lu, Lin Lai, Jing Zhou, Hong Li, Qihang Liu, Guangfu Luo, Lina Zhao, Zhengxiang Gao, Wai Ning Mei, and Guangping Li. Room-temperature giant magnetoresistance over one billion percent in a bare graphene nanoribbon device (англ.) // Physical Review B : journal. — 2010. — Vol. 81, no. 23. — P. 233403. — doi:10.1103/PhysRevB.81.233403.
Torok, E. J.; Zurn, S.; Sheppard, L. E.; Spitzer, R.; Seongtae Bae; Judy, J. H.; Egelhoff, W. F. Jr.; Chen, P. J. „Transpinnor“: A new giant magnetoresistive spin-valve device (неопр.) // INTERMAG Europe 2002. Digest of Technical Papers. 2002 IEEE International. — 2002. — С. AV8. — ISBN 0-7803-7365-0. — doi:10.1109/INTMAG.2002.1000768.
Aboaf J. A.New Magnetoresistive Materials(англ.) (недоступная ссылка — история) (9 октября 1984). — United States Patent No. 4476454. Дата обращения: 11 апреля 2011.
Зайцев Д. Д.Магнетосопротивление, Туннельное (неопр.). Словарь нанотехнологических и связанных с нанотехнологиями терминов. Роснано. Дата обращения: 11 апреля 2011. Архивировано 10 августа 2011 года.
tue.nl
web.phys.tue.nl
R. Coehoorn.Novel Magnetoelectronic Materials and Devices(англ.). Giant magnetoresistance and magnetic interactions in
exchange-biased spin-valves. Lecture Notes. Technische Universiteit Eindhoven (2003). Дата обращения: 25 апреля 2011. Архивировано 10 августа 2011 года.
Aboaf J. A.New Magnetoresistive Materials(англ.) (недоступная ссылка — история) (9 октября 1984). — United States Patent No. 4476454. Дата обращения: 11 апреля 2011.
R. Coehoorn.Novel Magnetoelectronic Materials and Devices(англ.). Giant magnetoresistance and magnetic interactions in
exchange-biased spin-valves. Lecture Notes. Technische Universiteit Eindhoven (2003). Дата обращения: 25 апреля 2011. Архивировано 10 августа 2011 года.
Evgeny Tsymbal.GMR Structures(англ.). University of Nebraska-Lincoln. Дата обращения: 11 апреля 2011. Архивировано 10 августа 2011 года.
Зайцев Д. Д.Магнетосопротивление, Туннельное (неопр.). Словарь нанотехнологических и связанных с нанотехнологиями терминов. Роснано. Дата обращения: 11 апреля 2011. Архивировано 10 августа 2011 года.