Фотолитография в глубоком ультрафиолете (Russian Wikipedia)

Рубеж пройден: спрос на сканеры EUV остаётся высоким Архивная копия от 24 января 2020 на Wayback Machine // 23.01.2020 — «В 2019 году заказчикам было поставлено 26 сканеров EUV, а на 2020 год собрано 35 заказов на эти машины.»

appliedmaterials.com

Centura Tetra EUV Advanced Reticle Etch | Applied Materials (неопр.). www.appliedmaterials.com. Дата обращения: 12 июля 2023. Архивировано 17 октября 2021 года.

asml.com

Making EUV: From lab to fab (неопр.). Дата обращения: 4 июня 2023. Архивировано 6 июня 2023 года.
Our history - Supplying the semiconductor industry (неопр.). Дата обращения: 4 июня 2023. Архивировано 28 июля 2010 года.
ASML: Products - TWINSCAN NXE:3400B (неопр.). asml.com. Дата обращения: 2 июля 2017. Архивировано 15 декабря 2018 года.

astronet.ru

vivovoco.astronet.ru

Литография на длине волны 13 нм Архивная копия от 5 октября 2016 на Wayback Machine. член-корр. РАН С. В. Гапонов, Вестник РАН, т. 73, № 5, с. 392 (2003). «…более коротковолновое излучение сильно поглощается всеми веществами. Можно думать только об использовании зеркальной оптики, размещенной в вакууме.»

cymer.com

Cymer SPIE 2018 (неопр.). Дата обращения: 12 июля 2023. Архивировано 18 апреля 2023 года.

doi.org

Tomie, Toshihisa (2012-05-21). "Tin laser-produced plasma as the light source for extreme ultraviolet lithography high-volume manufacturing: history, ideal plasma, present status, and prospects". Journal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS (англ.). 11 (2): 021109—1. doi:10.1117/1.JMM.11.2.021109. ISSN 1932-5150.
Elg, Daniel T.; Sporre, John R.; Panici, Gianluca A.; Srivastava, Shailendra N.; Ruzic, David N. (2016). "In situ collector cleaning and extreme ultraviolet reflectivity restoration by hydrogen plasma for extreme ultraviolet sources" (PDF). Journal of Vacuum Science & Technology A. 34 (021305). doi:10.1116/1.4942456. Архивировано (PDF) 10 июня 2023. Дата обращения: 12 июля 2023.
Bosgra, Jeroen; Zoethout, Erwin; van der Eerden, Ad M. J.; Verhoeven, Jan; van de Kruijs, Robbert W. E.; Yakshin, Andrey E.; Bijkerk, Fred (2012). "Structural properties of subnanometer thick Y layers in extreme ultraviolet multilayer mirrors". Applied Optics. 51 (36): 8541—8548. doi:10.1364/AO.51.008541. Архивировано 12 июля 2023. Дата обращения: 12 июля 2023.
Schmoeller, Thomas; Klimpel, T; Kim, I; F. Lorusso, G; Myers, A; Jonckheere, Rik; Goethals, Anne-Marie; Ronse, K (14 March 2008). "EUV pattern shift compensation strategies - art. no. 69211B". Proceedings of SPIE. 6921. doi:10.1117/12.772640. S2CID 121926142 — ResearchGate.
Tao, Y.; et al. (2005). "Characterization of density profile of laser-produced Sn plasma for 13.5 nm extreme ultraviolet source". Appl. Phys. Lett. 86 (20): 201501. Bibcode:2005ApPhL..86t1501T. doi:10.1063/1.1931825.
Paetzel, R.; et al. (2003). Yen, Anthony (ed.). "Excimer lasers for superhigh NA 193-nm lithography". Proc. SPIE. Optical Microlithography XVI. 5040: 1665. Bibcode:2003SPIE.5040.1665P. doi:10.1117/12.485344. S2CID 18953813.
Harilal, S. S.; et al. (2006). "Spectral control of emissions from tin doped targets for extreme ultraviolet lithography". J. Phys. D. 39 (3): 484—487. Bibcode:2006JPhD...39..484H. doi:10.1088/0022-3727/39/3/010. S2CID 34621555.
Yunfei Deng; Bruno M. La Fontaine; Harry J. Levinson; Andrew R. Neureuther (2003). "Rigorous EM simulation of the influence of the structure of mask patterns on EUVL imaging". In Roxann L. Engelstad (ed.). Emerging Lithographic Technologies VII. Vol. 5037. doi:10.1117/12.484986. S2CID 137035695.

dx.doi.org

Krome, Thorsten. EUV capping layer integrity // Photomask Japan 2018: XXV Symposium on Photomask and Next-Generation Lithography Mask Technology / Thorsten Krome, Jonas Schmidt, Pavel Nesládek. — 2018. — P. 8. — ISBN 978-1-5106-2201-2. — doi:10.1117/12.2324670.
Matsumoto, Hiroshi; Yamaguchi, Keisuke; Kimura, Hayato; Nakayamada, Noriaki Multi-beam mask writer, MBM-2000 (неопр.) 175–180. SPIE (23 августа 2021). doi:10.1117/12.2604378.
Waiblinger, M.; Kornilov, K.; Hofmann, T.; Edinger, K. e-beam induced EUV photomask repair: a perfect match (неопр.) 243–250. SPIE (15 мая 2010). doi:10.1117/12.863542.

ed.nl

Cookies op ed.nl | ed.nl (неопр.). Дата обращения: 12 июля 2023. Архивировано 21 апреля 2023 года.

eetimes.com

"U.S. gives ok to ASML on EUV effort". EE Times. 1999-02-24. Архивировано 30 января 2023. Дата обращения: 17 мая 2023.

euvlitho.com

Sascha Migura. Optics for EUV Lithography (неопр.). euvlitho.com (2018). Дата обращения: 17 мая 2023. Архивировано 25 декабря 2022 года.
Zeiss 2018 EUVL Workshop update (неопр.). Дата обращения: 4 июня 2023. Архивировано 25 декабря 2022 года.
ASML, 2016 EUVL Workshop, p.14 (неопр.). Дата обращения: 12 июля 2023. Архивировано 17 апреля 2023 года.
ASML update Nov. 2013, Dublin (неопр.). Дата обращения: 9 декабря 2023. Архивировано 27 июня 2023 года.

gigaphoton.com

Gigaphoton (неопр.). Дата обращения: 17 мая 2023. Архивировано 9 июля 2020 года.

harvard.edu

ui.adsabs.harvard.edu

Tao, Y.; et al. (2005). "Characterization of density profile of laser-produced Sn plasma for 13.5 nm extreme ultraviolet source". Appl. Phys. Lett. 86 (20): 201501. Bibcode:2005ApPhL..86t1501T. doi:10.1063/1.1931825.
Paetzel, R.; et al. (2003). Yen, Anthony (ed.). "Excimer lasers for superhigh NA 193-nm lithography". Proc. SPIE. Optical Microlithography XVI. 5040: 1665. Bibcode:2003SPIE.5040.1665P. doi:10.1117/12.485344. S2CID 18953813.
Harilal, S. S.; et al. (2006). "Spectral control of emissions from tin doped targets for extreme ultraviolet lithography". J. Phys. D. 39 (3): 484—487. Bibcode:2006JPhD...39..484H. doi:10.1088/0022-3727/39/3/010. S2CID 34621555.

illinois.edu

cpmi.illinois.edu

Elg, Daniel T.; Sporre, John R.; Panici, Gianluca A.; Srivastava, Shailendra N.; Ruzic, David N. (2016). "In situ collector cleaning and extreme ultraviolet reflectivity restoration by hydrogen plasma for extreme ultraviolet sources" (PDF). Journal of Vacuum Science & Technology A. 34 (021305). doi:10.1116/1.4942456. Архивировано (PDF) 10 июня 2023. Дата обращения: 12 июля 2023.

iop.org

iopscience.iop.org

[https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac49fa/pdf High-NA EUV lithography: current status and outlook for the future] (неопр.). Дата обращения: 10 декабря 2023. Архивировано 10 декабря 2023 года.

laserfocusworld.com

StackPath (неопр.). www.laserfocusworld.com. Дата обращения: 12 июля 2023. Архивировано 20 мая 2023 года.

microsystems.ru

Экстремальная ультрафиолетовая литография — будущее наноэлектроники // Журнал «Нано- и микросистемная техника». Автор С. В. Гапонов, чл.-корр. РАН, ИФМ РАН , 7.04.2008 / Архивная копия от 24 апреля 2017 на Wayback Machine

nifs.ac.jp

Abstract 107 Last Page (неопр.). www.nifs.ac.jp. Дата обращения: 22 ноября 2023. Архивировано 22 апреля 2023 года.

nist.gov

Archived copy (неопр.). Дата обращения: 23 июня 2019. Архивировано 2 июня 2017 года.

optica.org

opg.optica.org

Bosgra, Jeroen; Zoethout, Erwin; van der Eerden, Ad M. J.; Verhoeven, Jan; van de Kruijs, Robbert W. E.; Yakshin, Andrey E.; Bijkerk, Fred (2012). "Structural properties of subnanometer thick Y layers in extreme ultraviolet multilayer mirrors". Applied Optics. 51 (36): 8541—8548. doi:10.1364/AO.51.008541. Архивировано 12 июля 2023. Дата обращения: 12 июля 2023.

osti.gov

Montcalm, C. (March 10, 1998). Multilayer reflective coatings for extreme-ultraviolet lithography. 23. SPIE annual international symposium on microlithography conference, Santa Clara, CA (United States), 22-27 Feb 1998. OSTI 310916.

patents.google.com

Optimized capping layers for EUV multilayers (неопр.). Дата обращения: 12 июля 2023. Архивировано 18 апреля 2023 года.

pfkek.jp

H. Mizoguchi et al., 2017 EUV-FEL Workshop, p. 4. (неопр.) Дата обращения: 22 ноября 2023. Архивировано 12 мая 2023 года.

researchgate.net

Schmoeller, Thomas; Klimpel, T; Kim, I; F. Lorusso, G; Myers, A; Jonckheere, Rik; Goethals, Anne-Marie; Ronse, K (14 March 2008). "EUV pattern shift compensation strategies - art. no. 69211B". Proceedings of SPIE. 6921. doi:10.1117/12.772640. S2CID 121926142 — ResearchGate.

russianelectronics.ru

Субмикронная УФ-литография появится нескоро (неопр.). Дата обращения: 14 ноября 2010. Архивировано 22 октября 2012 года.

semanticscholar.org

api.semanticscholar.org

Schmoeller, Thomas; Klimpel, T; Kim, I; F. Lorusso, G; Myers, A; Jonckheere, Rik; Goethals, Anne-Marie; Ronse, K (14 March 2008). "EUV pattern shift compensation strategies - art. no. 69211B". Proceedings of SPIE. 6921. doi:10.1117/12.772640. S2CID 121926142 — ResearchGate.
Paetzel, R.; et al. (2003). Yen, Anthony (ed.). "Excimer lasers for superhigh NA 193-nm lithography". Proc. SPIE. Optical Microlithography XVI. 5040: 1665. Bibcode:2003SPIE.5040.1665P. doi:10.1117/12.485344. S2CID 18953813.
Harilal, S. S.; et al. (2006). "Spectral control of emissions from tin doped targets for extreme ultraviolet lithography". J. Phys. D. 39 (3): 484—487. Bibcode:2006JPhD...39..484H. doi:10.1088/0022-3727/39/3/010. S2CID 34621555.
Yunfei Deng; Bruno M. La Fontaine; Harry J. Levinson; Andrew R. Neureuther (2003). "Rigorous EM simulation of the influence of the structure of mask patterns on EUVL imaging". In Roxann L. Engelstad (ed.). Emerging Lithographic Technologies VII. Vol. 5037. doi:10.1117/12.484986. S2CID 137035695.

sematech.org

H. S. Kim, Future of Memory Devices and EUV Lithography, 2009 EUV Symposium (неопр.). Дата обращения: 25 октября 2012. Архивировано 10 июля 2015 года.
EUV Mask Flatness Requirements (неопр.). Дата обращения: 26 июня 2015. Архивировано 26 июня 2015 года.

semiengineering.com

Next EUV Issue: Mask 3D Effects (неопр.) (25 апреля 2018). Дата обращения: 12 июля 2023. Архивировано 23 апреля 2023 года.
Semiconductor Engineering - EUV Mask Blank Battle Brewing (неопр.) (15 ноября 2018). Дата обращения: 12 июля 2023. Архивировано 22 апреля 2023 года.

semiwiki.com

Оценка выхода пластин EUV: 2019-2022 (неопр.). semiwiki.com. Дата обращения: 30 ноября 2023. Архивировано 26 июня 2023 года.
The Uncertain Phase Shifts of EUV Masks (неопр.). Дата обращения: 10 декабря 2023. Архивировано 10 декабря 2023 года.
Pattern Shifts Induced by Dipole-Illuminated EUV Masks (неопр.). Дата обращения: 10 декабря 2023. Архивировано 10 декабря 2023 года.
Double Diffraction in EUV Masks: Seeing Through The Illusion of Symmetry (неопр.). Дата обращения: 10 декабря 2023. Архивировано 10 декабря 2023 года.
Multiple Monopole Exposures: The Correct Way to Tame Aberrations in EUV Lithography? (неопр.) Дата обращения: 10 декабря 2023. Архивировано 10 декабря 2023 года.

spiedigitallibrary.org

Matsumoto, Hiroshi; Yamaguchi, Keisuke; Kimura, Hayato; Nakayamada, Noriaki Multi-beam mask writer, MBM-2000 (неопр.) 175–180. SPIE (23 августа 2021). doi:10.1117/12.2604378.
Waiblinger, M.; Kornilov, K.; Hofmann, T.; Edinger, K. e-beam induced EUV photomask repair: a perfect match (неопр.) 243–250. SPIE (15 мая 2010). doi:10.1117/12.863542.

staticasml.com

SPIE 2007 paper (неопр.). Дата обращения: 28 июля 2018. Архивировано 12 августа 2017 года.
M. van den Brink et al., Proc. SPIE 2726 (1996). (неопр.) Дата обращения: 17 июля 2018. Архивировано 9 августа 2017 года.

technologyreview.com

Inside the machine that saved Moore's Law (неопр.). Дата обращения: 4 июня 2023. Архивировано 7 июня 2023 года.

web.archive.org

Субмикронная УФ-литография появится нескоро (неопр.). Дата обращения: 14 ноября 2010. Архивировано 22 октября 2012 года.
Экстремальная ультрафиолетовая литография — будущее наноэлектроники // Журнал «Нано- и микросистемная техника». Автор С. В. Гапонов, чл.-корр. РАН, ИФМ РАН , 7.04.2008 / Архивная копия от 24 апреля 2017 на Wayback Machine
Making EUV: From lab to fab (неопр.). Дата обращения: 4 июня 2023. Архивировано 6 июня 2023 года.
Our history - Supplying the semiconductor industry (неопр.). Дата обращения: 4 июня 2023. Архивировано 28 июля 2010 года.
"U.S. gives ok to ASML on EUV effort". EE Times. 1999-02-24. Архивировано 30 января 2023. Дата обращения: 17 мая 2023.
Inside the machine that saved Moore's Law (неопр.). Дата обращения: 4 июня 2023. Архивировано 7 июня 2023 года.
Sascha Migura. Optics for EUV Lithography (неопр.). euvlitho.com (2018). Дата обращения: 17 мая 2023. Архивировано 25 декабря 2022 года.
Archived copy (неопр.). Дата обращения: 23 июня 2019. Архивировано 2 июня 2017 года.
Next EUV Issue: Mask 3D Effects (неопр.) (25 апреля 2018). Дата обращения: 12 июля 2023. Архивировано 23 апреля 2023 года.
Optimized capping layers for EUV multilayers (неопр.). Дата обращения: 12 июля 2023. Архивировано 18 апреля 2023 года.
Semiconductor Engineering - EUV Mask Blank Battle Brewing (неопр.) (15 ноября 2018). Дата обращения: 12 июля 2023. Архивировано 22 апреля 2023 года.
Centura Tetra EUV Advanced Reticle Etch | Applied Materials (неопр.). www.appliedmaterials.com. Дата обращения: 12 июля 2023. Архивировано 17 октября 2021 года.
Elg, Daniel T.; Sporre, John R.; Panici, Gianluca A.; Srivastava, Shailendra N.; Ruzic, David N. (2016). "In situ collector cleaning and extreme ultraviolet reflectivity restoration by hydrogen plasma for extreme ultraviolet sources" (PDF). Journal of Vacuum Science & Technology A. 34 (021305). doi:10.1116/1.4942456. Архивировано (PDF) 10 июня 2023. Дата обращения: 12 июля 2023.
Bosgra, Jeroen; Zoethout, Erwin; van der Eerden, Ad M. J.; Verhoeven, Jan; van de Kruijs, Robbert W. E.; Yakshin, Andrey E.; Bijkerk, Fred (2012). "Structural properties of subnanometer thick Y layers in extreme ultraviolet multilayer mirrors". Applied Optics. 51 (36): 8541—8548. doi:10.1364/AO.51.008541. Архивировано 12 июля 2023. Дата обращения: 12 июля 2023.
StackPath (неопр.). www.laserfocusworld.com. Дата обращения: 12 июля 2023. Архивировано 20 мая 2023 года.
H. S. Kim, Future of Memory Devices and EUV Lithography, 2009 EUV Symposium (неопр.). Дата обращения: 25 октября 2012. Архивировано 10 июля 2015 года.
Cookies op ed.nl | ed.nl (неопр.). Дата обращения: 12 июля 2023. Архивировано 21 апреля 2023 года.
Gigaphoton (неопр.). Дата обращения: 17 мая 2023. Архивировано 9 июля 2020 года.
Cymer SPIE 2018 (неопр.). Дата обращения: 12 июля 2023. Архивировано 18 апреля 2023 года.
Zeiss 2018 EUVL Workshop update (неопр.). Дата обращения: 4 июня 2023. Архивировано 25 декабря 2022 года.
SPIE 2007 paper (неопр.). Дата обращения: 28 июля 2018. Архивировано 12 августа 2017 года.
ASML, 2016 EUVL Workshop, p.14 (неопр.). Дата обращения: 12 июля 2023. Архивировано 17 апреля 2023 года.
R. Capelli et al., Proc. SPIE 9231, 923109 (2014). (неопр.) Дата обращения: 17 мая 2023. Архивировано из оригинала 10 августа 2017 года.
M. van den Brink et al., Proc. SPIE 2726 (1996). (неопр.) Дата обращения: 17 июля 2018. Архивировано 9 августа 2017 года.
Abstract 107 Last Page (неопр.). www.nifs.ac.jp. Дата обращения: 22 ноября 2023. Архивировано 22 апреля 2023 года.
H. Mizoguchi et al., 2017 EUV-FEL Workshop, p. 4. (неопр.) Дата обращения: 22 ноября 2023. Архивировано 12 мая 2023 года.
Оценка выхода пластин EUV: 2019-2022 (неопр.). semiwiki.com. Дата обращения: 30 ноября 2023. Архивировано 26 июня 2023 года.
ASML update Nov. 2013, Dublin (неопр.). Дата обращения: 9 декабря 2023. Архивировано 27 июня 2023 года.
Литография на длине волны 13 нм Архивная копия от 5 октября 2016 на Wayback Machine. член-корр. РАН С. В. Гапонов, Вестник РАН, т. 73, № 5, с. 392 (2003). «…более коротковолновое излучение сильно поглощается всеми веществами. Можно думать только об использовании зеркальной оптики, размещенной в вакууме.»
Что такое затенение в EUV-литографии? (неопр.) Дата обращения: 9 декабря 2023. Архивировано 11 мая 2023 года.
Поляризация путем отражения в системах EUV-литографии (неопр.). Дата обращения: 9 декабря 2023. Архивировано 13 мая 2023 года.
[https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac49fa/pdf High-NA EUV lithography: current status and outlook for the future] (неопр.). Дата обращения: 10 декабря 2023. Архивировано 10 декабря 2023 года.
The Uncertain Phase Shifts of EUV Masks (неопр.). Дата обращения: 10 декабря 2023. Архивировано 10 декабря 2023 года.
Pattern Shifts Induced by Dipole-Illuminated EUV Masks (неопр.). Дата обращения: 10 декабря 2023. Архивировано 10 декабря 2023 года.
Модель двойной дифракции EUV-масок (неопр.). Дата обращения: 10 декабря 2023. Архивировано 27 апреля 2023 года.
Double Diffraction in EUV Masks: Seeing Through The Illusion of Symmetry (неопр.). Дата обращения: 10 декабря 2023. Архивировано 10 декабря 2023 года.
EUV Mask Flatness Requirements (неопр.). Дата обращения: 26 июня 2015. Архивировано 26 июня 2015 года.
ASML: Products - TWINSCAN NXE:3400B (неопр.). asml.com. Дата обращения: 2 июля 2017. Архивировано 15 декабря 2018 года.
Multiple Monopole Exposures: The Correct Way to Tame Aberrations in EUV Lithography? (неопр.) Дата обращения: 10 декабря 2023. Архивировано 10 декабря 2023 года.
Рубеж пройден: спрос на сканеры EUV остаётся высоким Архивная копия от 24 января 2020 на Wayback Machine // 23.01.2020 — «В 2019 году заказчикам было поставлено 26 сканеров EUV, а на 2020 год собрано 35 заказов на эти машины.»

worldcat.org

search.worldcat.org

Tomie, Toshihisa (2012-05-21). "Tin laser-produced plasma as the light source for extreme ultraviolet lithography high-volume manufacturing: history, ideal plasma, present status, and prospects". Journal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS (англ.). 11 (2): 021109—1. doi:10.1117/1.JMM.11.2.021109. ISSN 1932-5150.

youtube.com

Что такое затенение в EUV-литографии? (неопр.) Дата обращения: 9 декабря 2023. Архивировано 11 мая 2023 года.
Поляризация путем отражения в системах EUV-литографии (неопр.). Дата обращения: 9 декабря 2023. Архивировано 13 мая 2023 года.
Модель двойной дифракции EUV-масок (неопр.). Дата обращения: 10 декабря 2023. Архивировано 27 апреля 2023 года.

zeiss.com

R. Capelli et al., Proc. SPIE 9231, 923109 (2014). (неопр.) Дата обращения: 17 мая 2023. Архивировано из оригинала 10 августа 2017 года.